公开(公告)号：FR3024930A1

公开(公告)日：2016-02-19

申请号：FR1457764

申请日：2014-08-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE

IPC: H03M1/00

Abstract: L'invention concerne un circuit de transmission de données pour transmettre un signal de données sur une ligne de transmission (202), ce circuit comprenant un convertisseur numérique-analogique , DAC, (212) capable de générer 2N niveaux de tension continue différents, dans lequel le DAC (212) est adapté à recevoir des valeurs numériques de N bits, et pour chaque valeur numérique, à sélectionner, en se basant sur les valeurs numériques, l'un des 2N niveaux de tension continue et à appliquer le niveau de tension continue sélectionné sur la ligne de transmission (202).

公开(公告)号：FR2982720B1

公开(公告)日：2014-01-03

申请号：FR1160349

申请日：2011-11-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  BOURGEAT JOHAN

IPC: H03K17/56 ,  H03K17/08

公开(公告)号：FR2989220A1

公开(公告)日：2013-10-11

申请号：FR1253236

申请日：2012-04-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  DEHAN PATRICE ,  HEITZ BORIS ,  JIMENEZ JEAN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: Circuit intégré comprenant au moins un transistor MOS ayant un substrat (SUB), une région de source (S), une région de drain (D), une région de grille (G), des régions isolantes d'espacement (ESP) de part et d'autre de la région de grille, le substrat comportant une première région (RC) située sous la région de grille entre les régions isolantes d'espacement. Selon une caractéristique générale du circuit intégré, l'une au moins des régions de source et de drain est séparée de la première région du substrat par une deuxième région du substrat (RSEP) située sous une région isolante d'espacement et de même type de conductivité que la première région du substrat.

公开(公告)号：FR2989218A1

公开(公告)日：2013-10-11

申请号：FR1253249

申请日：2012-04-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  JIMENEZ JEAN

IPC: H01L21/02

Abstract: Au moins trois blocs électriquement conducteurs (BLC) sont disposés au sein d'une région isolante (RIS) ; au moins deux d'entre eux sont mutuellement séparés et en couplage capacitif par l'intermédiaire d'une partie (OX) de la région isolante et au moins deux d'entre eux, semi-conducteurs, présentant des types de conductivité opposés ou des types de conductivité identiques mais avec des concentrations de dopants différentes sont en contact mutuel par un de leur côté ; l'agencement mutuel de ces blocs au sein de ladite région isolante, leur type de conductivité et leur concentration de dopants forment au moins un module électronique (MDL) ; certains des blocs forment des blocs d'entrée et de sortie.

公开(公告)号：FR2987938A1

公开(公告)日：2013-09-13

申请号：FR1252194

申请日：2012-03-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： JIMENEZ JEAN ,  GALY PHILIPPE ,  HEITZ BORIS

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60 ,  H01L29/747

Abstract: Le composant (CMP) incorpore topologiquement un nombre modulable de structures de triac (STRC1-STRC12) selon un agencement annulaire concentrique.

公开(公告)号：FR2975224B1

公开(公告)日：2013-07-26

申请号：FR1154120

申请日：2011-05-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  JIMENEZ JEAN

IPC: H01L27/02

公开(公告)号：FR2982416A1

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：FR1159951

申请日：2011-11-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  JIMENEZ JEAN ,  BOURGEAT JOHAN ,  HEITZ DAVID

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/02

Abstract: Le dispositif comprend un triac (TRC) et des blocs de déclenchement (BLCi) possédant un transistor MOS configuré pour fonctionner au moins transitoirement dans un mode de fonctionnement hybride, et un élément déclencheur supplémentaire à grille commandée, par exemple sous la forme d'une diode à effet de champ (GDi) , la grille de cette diode étant connectée à la grille du transistor MOS (TRi).

公开(公告)号：FR2970106B1

公开(公告)日：2013-03-15

申请号：FR1005155

申请日：2010-12-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GALY PHILIPPE ,  GAMET STEPHANE ,  JIMENEZ JEAN ,  HUARD VINCENT ,  DAMIENS JOEL

IPC: G11C17/14 ,  H01L29/772

公开(公告)号：FR2934710A1

公开(公告)日：2010-02-05

申请号：FR0855383

申请日：2008-08-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  ENTRINGER CHRISTOPHE ,  DRAY ALEXANDRE

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/02 ,  H02H9/00

Abstract: Le circuit intégré comprend au moins un moyen de protection électronique contre au moins une décharge électrostatique apte à évacuer le courant de surtension généré par la décharge électrostatique. Le moyen de protection électronique comprend un commutateur commandé de court-circuit réalisé en technologie CMOS comportant un triac de technologie CMOS ou un thyristor de technologie CMOS monté anti-parallèlement à une diode de technologie CMOS, et des moyens de déclenchement pour commander le commutateur de court-circuit.

公开(公告)号：FR2911996A1

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：FR0700688

申请日：2007-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  MICHELI LAURENT ,  TROUSSIER GHISLAIN ,  RIEN MIKAEL ,  VENIANT JEAN FRANCOIS

IPC: H01L23/60 ,  G01R31/00

Abstract: On identifie des noeuds de circuit qui, en mode non alimenté, peuvent être chargés avec des charges positives ou négatives mais ne peuvent pas être déchargés. On ajoute alors des éléments de protection permettant la décharge de ces noeuds. Ces protections n'affectent pas le fonctionnement du circuit en mode alimenté. On traite la décharge des charges des deux polarités, positive et négative. Le circuit est ainsi plus résistant aux ESD, et passe les tests CDM ("Charged Device Model").