公开(公告)号：CN101513990A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910004248.4

申请日：2009-02-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川久保隆 ,  长野利彦 ,  西垣亨彦

IPC: B81B7/02 ,  H03H9/13 ,  H03H9/15 ,  H03H9/54

CPC classification number: B81B3/0008 ,  B81B2201/032 ,  H01G5/16 ,  H01G5/18 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/094

Abstract: 本发明解决驱动电压偏移、电极的粘着等问题，由此，提供一种经时变化小、具有稳定的驱动特性的压电驱动方式的致动器。本发明提供一种致动器，具备：基板；设置在上述基板的主面上的固定电极；设置在上述固定电极上、由结晶体构成的第1电介质膜；与上述主面相对、在上述基板的上方空出间隙地被保持的可动梁；设置在上述可动梁的与上述固定电极相对的面上、在与上述固定电极之间被施加交流电压的可动电极；以及设置在上述可动电极的与上述固定电极相对的面上、由结晶体构成的第2电介质膜。

公开(公告)号：CN100411968C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN03165014.7

申请日：2003-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南润宇 ,  李锡汉

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L41/45 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00182 ,  H01L41/094 ,  H01L41/0973 ,  H04R1/406 ,  H04R17/02 ,  H04R2420/07

Abstract: 本发明公开柔性MEMS换能器及其制造方法、以及柔性MEMS无线扩音器。一种柔性无线MEMS扩音器，包括：柔性聚合物材料的衬底，在衬底上通过PECVD形成的柔性MEMS换能器结构，在衬底上印制的天线、用于与外界源通信，在衬底中嵌入的导线和接口电路以便电连接柔性MEMS换能器和天线，电连接到衬底的柔性电池层、用于将电源提供到MEMS换能器，以及电连接到电池层的柔性蓝牙模块层。柔性MEMS换能器包括：柔性衬底，在衬底上沉积的薄膜层，在薄膜层上形成的下电极层，在下电极层上通过沉积压电聚合物形成的有源层，在有源层上形成的上电极层，以及分别电连接到下电极层和上电极层的第一和第二连接焊盘。

公开(公告)号：CN101047226A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710091368.3

申请日：2007-03-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西垣亨彦 ,  长野利彦 ,  宫崎崇 ,  板谷和彦 ,  川久保隆

IPC: H01L41/09 ,  H01G5/18 ,  H02N2/02 ,  H02N1/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/032 ,  H01G5/18 ,  H01H57/00 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/094

Abstract: 一种MEMS器件包括：具有第一固定端的第一致动器，其包括第一下电极、第一压电膜、以及第一上电极的层叠结构，并且可通过在第一下电极和第一上电极上施加电压而工作；具有第二固定端的第二致动器，其与第一致动器平行设置，并且包括第二下电极、第二压电膜、以及第二上电极的层叠结构，并且可通过在第二下电极和第二上电极上施加电压而工作；以及电路元件，其具有连接到第一致动器的第一作用部分和连接到第二致动器的第二作用部分。

公开(公告)号：CN101027741A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200580029357.1

申请日：2005-08-31

Applicant: 爱德万测试株式会社

Inventor： 高柳史一 ,  三瓶广和

IPC: H01H61/01 ,  B81B3/00 ,  G02B26/08 ,  H01H61/013 ,  H01H37/14 ,  H01H37/52

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0118 ,  G02B26/0866 ,  H01H61/02 ,  H01H2061/006

Abstract: 一种双压电晶片元件，具备：氧化硅层；高膨胀率层，其形成在氧化硅层上且具有较此氧化硅层的热膨胀率还高的热膨胀率；以及变形防止层，其覆盖氧化硅层的表面，以防止氧化硅层由于经常变化所形成的变形。变形防止层变形防止层相对于水份和氧的透过率亦可较氧化硅层还低，变形防止层亦可以是一种以较形成氧化硅层时还高的能量来进行成膜时所形成的氧化硅，变形防止层亦可为氮化硅层或金属层。

公开(公告)号：CN1315623C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN01800473.3

申请日：2001-03-08

Applicant: 大研化学工业株式会社 ,  中山喜万

Inventor： 中山喜万 ,  秋田成司 ,  原田昭雄 ,  大川隆

IPC: B25J15/12 ,  B82B1/00

CPC classification number: B25J7/00 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/12 ,  B81B2203/0118 ,  B81C99/002 ,  B82B3/00 ,  G01Q80/00 ,  Y10S977/732 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/778 ,  Y10S977/78 ,  Y10S977/837 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/858 ,  Y10S977/863 ,  Y10S977/875 ,  Y10S977/876 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/901 ,  Y10S977/962

Abstract: 静电方式的纳米镊子2的特征在于：由在棱锥部6固定地凸设基端部的多个纳米管、对这些纳米管表面进行绝缘覆盖的涂覆被膜、及连接于其中2根纳米管8、9的导线10、10构成，通过在该导线间加电压，可由静电引力使上述2根纳米管的前端间自由开闭，在其间把持纳米物质。另外，如在纳米管9的表面形成压电膜32，使压电膜伸缩，可自由开闭上述纳米管的前端间，则不论是绝缘体、半导体、导电体，都可对任意的纳米物质进行处理。另外，如以静电方式自由开闭3根纳米管，则可处理球状、杆状等任意形状的纳米物质。另外，与3维驱动机构进行组合构成纳米机械手，可容易地进行纳米物质的把持、移动、放出。

公开(公告)号：CN1470897A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN03148097.7

申请日：2003-06-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 石川博一 ,  横沟宽治

IPC: G02B26/10 ,  H04N1/113

CPC classification number: G02B26/0866 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/058

Abstract: 一种热驱动微反射镜包括反射镜表面和具有用于支承反射镜表面的多层结构的支承构件部分。该支承构件部分在通电时产生热量，因为在多层结构中热膨胀系数不同，所以造成支承构件部分偏转，因而可以使反射镜表面倾斜任意角度。该支承构件部分配置在反射镜表面用于施加电的电极部分之间。该支承构件部分的纵轴垂直于反射镜表面的中心轴，而该支承构件部分的纵向中心基本上位于反射镜表面的中心轴上。因此，反射镜表面的转动轴不位移，在反射镜表面的光反射位置不移动。

公开(公告)号：CN108249387A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201710500966.5

申请日：2017-06-27

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： S·克斯坦蒂尼 ,  M·卡米纳蒂 ,  D·A·L·加蒂 ,  L·M·卡斯托尔迪 ,  R·卡尔米纳蒂

IPC: B81B7/02 ,  B81C3/00 ,  G02B26/08

CPC classification number: G02B26/0833 ,  B81B3/0083 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/058 ,  B81C1/00714 ,  B81C2203/032 ,  G02B26/105

Abstract: 本发明涉及具有可移动结构的微机电设备及其制造工艺。该微机电设备(20)在覆盖并键合至第二晶片(70)的第一晶片(40)中形成。固定部分(91)、可移动部分(92)以及将该可移动部分和该固定部分弹性耦合的弹性元件在该第一晶片中形成。该可移动部分承载致动元件(60)，这些致动元件被配置成用于控制该可移动部分相对于该固定部分的相对移动，例如，旋转。该第二晶片通过该第一晶片的突起(66)键合至该第一晶片，这些突起是通过选择性地移除半导体层(43)的一部分而形成的。对由该第一和第二晶片形成的复合晶片进行切割以形成多个MEMS设备。

公开(公告)号：CN104272167B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380023796.6

申请日：2013-04-24

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 堀江寿彰 ,  平冈聪一郎 ,  中园晋辅 ,  小牧一树

IPC: G02B26/10 ,  B81B3/00

CPC classification number: G02B26/0858 ,  B81B3/0043 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0163 ,  G02B26/0833 ,  G02B26/10 ,  G02B26/101 ,  G02B26/105

Abstract: 本发明提供一种光学反射元件，具有：反射镜部、一对接合部、一对振动部、多个驱动部、和固定部。接合部分别具有与反射镜部的对置的各个位置连接的第1端、和该第1端的相反侧的第2端，沿第1轴延伸。振动部分别具有与接合部的一方的第2端连接的中央部。多个驱动部分别设置在一对振动部的各自上，使反射镜部转动。在固定部连结一对振动部的各两端。定义为与接合部的第1轴正交的方向的长度的梁宽，大于一对振动部各自的梁宽。

公开(公告)号：CN106105268A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201480003818.7

申请日：2014-08-26

Applicant: 歌尔股份有限公司

Inventor： 邹泉波 ,  王喆 ,  陶继方 ,  邱冠勋

IPC: H04R31/00 ,  H04R7/00 ,  H04R7/06 ,  H04R9/06

CPC classification number: H04R19/02 ,  B81B7/008 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0197 ,  H04R7/06 ,  H04R19/013 ,  H04R31/00 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003 ,  H04R2307/025 ,  H04R2307/027

Abstract: 本发明提供一种热双晶振膜的制作方法及MEMS扬声器，其中该方法包括以下步骤：对基板(1)热氧化以在该基板上获得绝缘层(2)，在绝缘层(2)上设置金属层(3)；在金属层(3)上设置保护层(4)；在保护层(4)上设置热双晶第一层(5)；在热双晶第一层(5)上设置热双晶第二层(6)；在金属层(3)上未设置保护层(4)的位置处设置金属连接层(7)，在基板(1)和绝缘层(2)上形成相对应的背洞(16)，并释放保护层(4)；释放保护层(4)后，热双晶第一层(5)和热双晶第二层(6)形成弯曲的热双晶振膜。利用该MEMS扬声器，能够解决生产成本高、振膜制作复杂以及扬声器音效不佳的问题。

公开(公告)号：CN102730633B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201210101394.0

申请日：2012-03-31

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 格雷戈里·德布拉班德尔 ,  马克·内波穆尼西

IPC: B81C3/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/053 ,  B81C2201/0195 ,  B81C2203/036

Abstract: 本发明公开了一种用于制造具有弯曲特征的薄膜的方法。通过将薄膜真空接合至衬底的顶表面来创建具有弯曲特征的轮廓传递衬底表面，其中所述顶表面中形成有空穴。将薄膜的表面暴露至流体压力，以使得薄膜变形并且薄膜的下表面与空穴的底部接触。可以通过对薄膜与衬底之间的接合区域进行退火处理来使变形薄膜中形成的弯曲特征变得永久。薄膜的暴露表面上沉积的均匀材料层将在薄膜弯曲进空穴的位置处包括弯曲特征。在薄膜上已经均匀沉积了至少一层材料之后，从底部蚀刻开空穴，以从下方移除薄膜。