公开(公告)号：EP1544163A2

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：EP04105448.7

申请日：2004-11-02

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： BENZEL, Hubert ,  SCHAEFER, Frank ,  ARMBRUSTER, Simon ,  LAMMEL, Gerhard ,  SCHELLING, Christoph ,  BRASAS, Joerg

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0116 ,  B81C2201/0136

Abstract: Die Erfindung beschreibt ein Herstellungsverfahrens eines insbesondere mikromechanischen Halbleiterbauelements sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement. Zur Herstellung des Halbleiterbauelements ist vorgesehen, dass auf einem Halbleiterträger ein strukturiertes Stabilisierungselement mit wenigstens einer Öffnung erzeugt wird. Die Öffnung ist dabei so angebracht, dass sie den Zugang zu einem mit einer ersten Dotierung aufweisenden ersten Bereich im Halbleiterträger erlaubt. Weiterhin ist ein selektives Herauslösen wenigstens eines Teils des mit der ersten Dotierung versehenen Halbleitermaterials aus dem ersten Bereich des Halbleiterträger vorgesehen. Darüber hinaus wird mittels einer ersten Epitaxieschicht, die auf das Stabilisierungselement aufgebracht wird, eine Membran oberhalb des ersten Bereichs erzeugt. Wenigstens ein Teil des ersten Bereichs dient in einem weiteren Verfahrensschritt dazu, eine Kaverne unterhalb des Stabilisierungselement zu erzeugen. Der Kern der Erfindung besteht nun darin, das strukturierte Stabilisierungselement mittels einer zweiten Epitaxieschicht, die auf dem Halbleiterträger aufgebracht wird, zu erzeugen.

Abstract translation: 用于半导体的制造方法，爱尤其是微机械，元件包括在半导体衬底上形成有结构稳定元件（上开口，以一掺杂区，选择性地去除该区域的一部分，形成由外延膜（240）和形成空腔 250）。 第二外延层形成在基底上。 因此独立claimsoft被包括为如上述所形成的半导体元件。

公开(公告)号：US20240182298A1

公开(公告)日：2024-06-06

申请号：US18525410

申请日：2023-11-30

Applicant: Robert Bosch GmbH

Inventor： Johannes Classen

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81C2201/0116 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0198 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0785

Abstract: A method producing a microelectromechanical component. A dielectric layer is structured on an upper side of a substrate forming a grating, and a blind hole is formed beneath the grating. A cover layer is arranged on the dielectric layer closing the blind hole. A layer sequence is arranged on the cover layer and above the blind hole. Functional structures are formed in the layer sequence and an access channel extending through the layer sequence to the blind hole is formed. A further substrate is connected to the substrate. The functional structures are enclosed in a cavity, connected to the blind hole, between the substrate and the further substrate. Another blind hole is formed on an underside of the substrate. The blind hole is opened in the region of the other blind hole. A cavity internal pressure is set, and the blind hole is closed.

公开(公告)号：US20180299337A1

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：US15958461

申请日：2018-04-20

Applicant: STMICROELECTRONICS S.R.L.

Inventor： Lorenzo BALDO ,  Sarah ZERBINI ,  Enri DUQI

IPC: G01L9/00 ,  B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: G01L9/0052 ,  B81B3/0021 ,  B81B7/0006 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0116 ,  G01L9/0072

Abstract: A process for manufacturing a MEMS pressure sensor having a micromechanical structure envisages: providing a wafer having a substrate of semiconductor material and a top surface; forming a buried cavity entirely contained within the substrate and separated from the top surface by a membrane suspended above the buried cavity; forming a fluidic-communication access for fluidic communication of the membrane with an external environment, set at a pressure the value of which has to be determined; forming, suspended above the membrane, a plate made of polysilicon, separated from the membrane by an empty space; and forming electrical-contact elements for electrical connection of the membrane and of the plate, which are designed to form the plates of a sensing capacitor, the value of capacitance of which is indicative of the value of pressure to be detected. A corresponding MEMS pressure sensor having the micromechanical structure is moreover described.

公开(公告)号：US20090243003A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12413346

申请日：2009-03-27

Applicant: Crocifisso Marco Antonio Renna ,  Alessandro Auditore ,  Alessio Romano ,  Sebastiano Ravesi

Inventor： Crocifisso Marco Antonio Renna ,  Alessandro Auditore ,  Alessio Romano ,  Sebastiano Ravesi

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/28

CPC classification number: G01N27/128 ,  B81B2201/0214 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0116 ,  H01L21/3247

Abstract: A method manufactures a gas sensor integrated on a semiconductor substrate. The method includes: realizing a first plurality of openings in the semiconductor substrate; realizing a crystalline silicon membrane suspended on the semiconductor substrate, forming an insulating cavity buried in the substrate; realizing a second plurality of openings in the semiconductor substrate, so as to totally suspend on the semiconductor substrate the crystalline silicon membrane; realizing, through a thermal oxidation process of the totally suspended crystalline silicon membrane, a suspended dielectric membrane; realizing, through selective photolithography, a heating element; realizing, through selective photolithography, electrodes and a pair of electric contacts; and selectively realizing, above the electrodes, a sensitive element by compacting layers of metallic oxide through a sintering process generated in the gas sensor by connecting the electrodes to a voltage generator.

Abstract translation: 一种制造集成在半导体衬底上的气体传感器的方法。 该方法包括：实现半导体衬底中的第一多个开口; 实现悬浮在半导体衬底上的结晶硅膜，形成埋在衬底中的绝缘腔; 在半导体衬底中实现第二多个开口，以便在半导体衬底上完全悬挂晶体硅膜; 通过完全悬浮的结晶硅膜的热氧化工艺实现悬浮介电膜; 通过选择性光刻实现加热元件; 通过选择性光刻实现电极和一对电触点; 并且通过在气体传感器中产生的烧结过程，通过将电极连接到电压发生器来压实金属氧化物层，从而在电极之上选择性地实现敏感元件。

公开(公告)号：US07494839B2

公开(公告)日：2009-02-24

申请号：US11011888

申请日：2004-12-13

Applicant: Hubert Benzel ,  Frank Schaefer ,  Simon Armbruster ,  Gerhard Lammel ,  Christoph Schelling ,  Joerg Brasas

Inventor： Hubert Benzel ,  Frank Schaefer ,  Simon Armbruster ,  Gerhard Lammel ,  Christoph Schelling ,  Joerg Brasas

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0116 ,  B81C2201/0136

Abstract: A manufacturing method for a micromechanical semiconductor element includes providing on a semiconductor substrate a patterned stabilizing element having at least one opening. The opening is arranged such that it allows access to a first region in the semiconductor substrate, the first region having a first doping. Furthermore, a selective removal of at least a portion of the semiconductor material having the first doping out of the first region of the semiconductor substrate is provided. In addition, a membrane is produced above the first region using a first epitaxy layer applied on the stabilizing element. In a further method step, at least a portion of the first region is used to produce a cavity underneath the stabilizing element. In this manner, the present invention provides for the production of the patterned stabilizing element by means of a second epitaxy layer, which is applied on the semiconductor substrate.

Abstract translation: 微机电半导体元件的制造方法包括在半导体衬底上提供具有至少一个开口的图案化稳定元件。 开口被布置成使得其允许接近半导体衬底中的第一区域，第一区域具有第一掺杂。 此外，提供了选择性地去除半导体衬底的第一区域中具有第一掺杂的半导体材料的至少一部分。 此外，使用施加在稳定元件上的第一外延层，在第一区域上方产生膜。 在另一方法步骤中，第一区域的至少一部分用于在稳定元件下方产生空腔。 以这种方式，本发明提供了通过施加在半导体衬底上的第二外延层来生产图案化的稳定元件。

公开(公告)号：US20040248349A1

公开(公告)日：2004-12-09

申请号：US10726005

申请日：2003-12-01

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Crocifisso Marco Antonio Renna ,  Luigi La Magna ,  Simona Lorenti ,  Salvatore Coffa

IPC: H01L021/336

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0116 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0649 ,  H04R19/005

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor substrate of a first concentration type is described, which comprises at least a buried insulating cavity, comprising the following steps: forming on the semiconductor substrate a plurality of trenches, forming a surface layer on the semiconductor substrate in order to close superficially the plurality of trenches forming in the meantime at least a buried cavity in correspondence with the surface-distal end of the trenches.

Abstract translation: 描述了一种用于制造第一浓缩型半导体衬底的方法，至少包括掩埋绝缘腔，包括以下步骤：在半导体衬底上形成多个沟槽，在半导体衬底上形成表面层，以便 在表面上紧密地闭合形成与沟槽的表面 - 远端相对应的至少一个掩埋腔的多个沟槽。

公开(公告)号：US20040152228A1

公开(公告)日：2004-08-05

申请号：US10472650

申请日：2004-03-26

Inventor： Hubert Benzel ,  Heribert Weber ,  Hans Artmann ,  Frank Schaefer

IPC: H01L021/00

CPC classification number: G01L9/0055 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0116 ,  B81C2203/0742 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0045

Abstract: Proposed is a method for manufacturing micromechanical sensors and sensors manufactured by this method, where openings (2) are introduced into a semiconductor substrate (1). After the openings (2) are introduced into the semiconductor substrate (1), a subsequent temperature treatment is carried out, in which the openings (2) are converted into voids in the depth of the substrate (1).

Abstract translation: 提出了一种通过这种方法制造微机械传感器和传感器的方法，其中开口（2）被引入到半导体衬底（1）中。 在将开口（2）引入到半导体衬底（1）中之后，进行随后的温度处理，其中开口（2）在衬底（1）的深度处被转换为空隙。

公开(公告)号：US20020174686A1

公开(公告)日：2002-11-28

申请号：US09851231

申请日：2001-05-07

Applicant: The Regents of the University of California

Inventor： Peter Krulevitch ,  Julie K. Hamilton ,  Harold D. Ackler

IPC: C03C027/00

CPC classification number: B81C1/00103 ,  B01L3/5027 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00071 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/0116 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2201/019 ,  C03B23/20 ,  C03B25/00 ,  C03C15/00 ,  Y02P40/57

Abstract: A process for micromachining capillaries was having circular cross-sections in glass substrates. Microchannels are isotropically etched into a flat glass substrate, resulting in a semi-circular half-channel (or a rectangle with rounded corners). A second flat glass substrate is then fusion bonded to the first substrate, producing sealed microchannels with rounded bottom corners and a flat top surface having sharp corners. The process is completed by annealing at a sufficiently high temperature (approximately 750 C.) to allow surface tension forces and diffusional effects to lower the over-all energy of the microchannels by transforming the cross-section to a circular shape. The process can be used to form microchannels with circular cross-sections by etching channels into a glass substrate, then anodically bonding to a silicon wafer and annealing. The process will work with other materials such as polymers.

Abstract translation: 用于微加工毛细管的方法在玻璃基底中具有圆形横截面。 微通道被各向同性地蚀刻成平坦的玻璃基板，产生半圆形的半通道（或具有圆角的矩形）。 然后将第二平板玻璃基板熔合到第一基板上，产生具有圆形底角的密封微通道和具有锐角的平坦顶表面。 该过程通过在足够高的温度（约750℃）下退火来完成，以通过将横截面变换为圆形形状来允许表面张力和扩散效应来降低微通道的总能量。 该方法可以用于通过将通道蚀刻到玻璃基板中，然后阳极结合到硅晶片和退火来形成具有圆形横截面的微通道。 该方法将与其他材料如聚合物一起使用。

公开(公告)号：US20020028529A1

公开(公告)日：2002-03-07

申请号：US09924559

申请日：2001-08-09

Inventor： Seiichiro Ishio ,  Inao Toyoda ,  Yasutoshi Suzuki

IPC: H01L021/00

CPC classification number: B81C1/00833 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0116 ,  B81C2201/019

Abstract: In a method for manufacturing a semiconductor pressure sensor, after a reference pressure chamber is formed inside a semiconductor substrate and a diaphragm is formed from a part of the semiconductor substrate, a heat treatment is performed to form an insulation film, an element, or the like on the semiconductor substrate. At that time, a heat treatment temperature is controlled to be lower than (null430P0null1430)null C. where P0 is an internal pressure (atm) of the reference pressure chamber at a room temperature. Accordingly, crystal defects can be prevented from being produced in the diaphragm.

Abstract translation: 在制造半导体压力传感器的方法中，在半导体衬底内部形成基准压力室之后，由半导体衬底的一部分形成隔膜，进行热处理以形成绝缘膜，元件或 像在半导体衬底上。 此时，将热处理温度控制为低于（-430P0 + 1430）℃，其中P0是在室温下参考压力室的内部压力（atm）。 因此，可以防止在隔膜中产生晶体缺陷。

公开(公告)号：JP2018041084A

公开(公告)日：2018-03-15

申请号：JP2017172082

申请日：2017-09-07

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ,  ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： ベンヤミン シュトイアー ,  シュテファン ピンター

IPC: B81C3/00 ,  B81B1/00 ,  G02B26/08

CPC classification number: B81C1/00626 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00317 ,  B81C2201/0116 ,  G02B26/0833 ,  G02B27/0006

Abstract: 【課題】傾斜した光学窓を有するマイクロメカニカルデバイスの製造方法に関する。 【解決手段】前面V1及び後面R1を有し、凹部L11を有する第1の基板W1を用意するステップと、前面V1側に、熱変形可能であって、凹部L11よりも小さい横方向の拡がりを有する第1のスルーホールL21を凹部L11の上方に含む第2の基板W2を設けるステップと、第1のスルーホールL21の上方又は下方で第2の基板W2にクラップ領域を形成し、当該クラップ領域を第1の基板W1に対する第1の位置に配置するステップと、第2の基板W2を熱変形させ、クラップ領域を、第1の位置に対して傾斜しかつ付加的に凹部L11内に沈んだ凹部L11内の第2の位置へ移行させるステップと、第2の基板W2からクラップ領域を除去するステップと、第1のスルーホールL21の上方又は下方の第2の傾斜位置で、第2の基板W2に光学窓FEを形成するステップと、を含む。 【選択図】図1f