公开(公告)号：KR1020080107744A

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：KR1020070055934

申请日：2007-06-08

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 권성훈

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/20 ,  B81B2203/0338 ,  B81C1/00111 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/0159 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/2057

Abstract: An optofluidic maskless lithography system is provided to reduce the manufacturing cost required for replacing the mask by using the micorfluidic channel instead of the mask. An optofluidic maskless lithography system comprises the light source(10), the spatial light modulator(20), and the micorfluidic channel(40). The spatial light modulator modulates the light provided from the light source. The photo curable liquid flows inside the micorfluidic channel. The micorfluidic channel selectively hardens the photo curable liquid according to the modulated light provided from the spatial light modulator and outputs the result. The micro lens reduces the size of the modulated light provided from the spatial light modulator and provides the results to the micorfluidic channel.

Abstract translation: 提供了一种光流体无掩模光刻系统，以通过使用微流体通道代替掩模来降低更换面罩所需的制造成本。 光流体无掩模光刻系统包括光源（10），空间光调制器（20）和微流体通道（40）。 空间光调制器调制从光源提供的光。 可光固化液体在微流路内流动。 微流体通道根据从空间光调制器提供的调制光选择性地硬化可光固化液体并输出结果。 微透镜减小从空间光调制器提供的调制光的尺寸，并将结果提供给微流体通道。

公开(公告)号：KR100617528B1

公开(公告)日：2006-09-01

申请号：KR1020047014954

申请日：2003-01-29

Applicant: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

Inventor： 오쿠무라미카 ,  호리카와마키오 ,  사토우키미토시

IPC: H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00095 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0159 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

Abstract: 본 발명은 반도체기판, 예를 들면 가속도 센서를 탑재하는 실리콘기판과 접속되는 전극을 형성할 때, 포토레지스트가 덮는 단차를 감소하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그리고 상기 목적을 달성하기 위해, 희생층(4)이나 반도체막(50), 고정전극(51)을 형성하기 전에, 전극(90)을 형성하기 위한 개구(80)를 형성한다. 따라서 두꺼운 포토레지스트를 필요로 하지 않는다.
반도체, 가속도, 센서, 전극, 희생층, 개구, 포토레지스트

Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种用于在形成连接到半导体衬底的电极（例如，其上安装有加速度传感器的硅衬底）时减小光致抗蚀剂的阶梯覆盖的技术。 在牺牲层4，半导体膜50和固定电极51形成之前形成用于形成电极90的开口80。 因此，不需要厚的光致抗蚀剂。

公开(公告)号：JP2018520521A

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：JP2018501849

申请日：2016-07-07

Applicant: 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ,  テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド

Inventor： ジエ マオ ,  ハウ グエン ,  ルー グエン ,  アニンデヤ ポダー

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: B81C1/00873 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/047 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/098 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2203/0136 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/19 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/3511

Abstract: パネルフォーマットのオープンキャビティ(110a)を備えるパッケージされた半導体デバイスを製造する方法の記載する例において、この方法は、平坦なパッド(230)及び対称的に置かれる垂直ピラー(231)を有する金属性ピースのパネルサイズのグリッドを接着性キャリアテープ上に置くこと、センサシステムを下向きに半導体チップ(101)をテープ上に取り付けること、チップとグリッドの間のギャップを充填するため低CTE絶縁性材料をラミネート及び薄化すること、テープを取り除くためアッセンブリを反転させること、アッセンブリフロント側をプラズマ洗浄し、アッセンブリにわたって均一な金属層をスパッタリング及びパターニングし、及び任意選択でアッセンブリのための再配線トレース及び拡張コンタクトパッドを形成するため金属層をめっきすること、パネル全体に絶縁性スティフナーをラミネートすること(212)、センサシステムにアクセスするためスティフナーにキャビティを開けること(213)、及び金属性ピースを切ることによりパッケージングされたデバイスをシンギュレートすること(214)を含む。

公开(公告)号：JP2009513789A

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：JP2008537919

申请日：2006-10-25

Applicant: マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー

Inventor： ダナンヤイ デンドゥクリ ,  パトリック エス ドイル ,  ダニエル シー プレギボン

IPC: C08F2/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: G03F7/2012 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/0159 ,  G03F7/2035

Abstract: 高分子微細構造体を合成する方法において、単量体流は、流体チャネル内で、選択した流量で流動される。 少なくとも１つの成形された照明パルスが、前記単量体流に照射され、当該単量体流内で、前記照明パルスの形状に対応する少なくとも１つの微細構造の形状を画定する一方で、前記単量体内で、前記照明パルスにより、前記微細構造の形状を重合する。

公开(公告)号：JP2008182211A

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：JP2007326949

申请日：2007-12-19

Applicant: Palo Alto Research Center Inc ,  パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッドPalo Alto Research Center Incorporated

Inventor： DANIEL JUERGEN H ,  ARIAS ANA C

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/76802 ,  B81C1/00087 ,  B81C1/00111 ,  B81C2201/0159 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/124 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/775 ,  Y10S977/776

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive method regarding a formation of semiconductor device and an electrical contact formation of the semiconductor device. SOLUTION: The method is characterized in that VIA and pillar are formed using a printing mask 212 by ink jet printing, in that the printing mask is formed by a droplet 208 containing suspended metal nanoparticle, in that manufacturing process is eased by utilizing the same metal nanoparticle in both of mask formation and subsequent formation of conductive structure, and in that a structure excessively smaller than a size of printing droplet is formed using the metal nanoparticle. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供关于半导体器件的形成和半导体器件的电接触形成的便宜的方法。 解决方案：该方法的特征在于，通过喷墨打印使用印刷掩模212形成VIA和柱，因为印刷掩模由包含悬浮金属纳米颗粒的液滴208形成，因为通过利用 在掩模形成和随后形成导电结构两者中的相同金属纳米颗粒，并且使用金属纳米颗粒形成过度小于印刷液滴尺寸的结构。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007501951A

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：JP2006522383

申请日：2004-08-05

Applicant: コミツサリア タ レネルジー アトミーク

Inventor： マチュー キップ， ,  クリストフ コップ， ,  マルク ラバロ，

IPC: G03F7/20 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00103 ,  B81C2201/0159 ,  G03F7/70216

Abstract: 本発明は、基板（６００）上に配置される感光性樹脂層（６０１）にパターンを生成するリソグラフィー法に関する。 前記パターン（６０７）は、基板の主面の法線（ｎ）に対して傾斜する側面（６０８）を有し、その傾斜角（θ）は、先行技術により得られるパターンの傾斜角よりもずっと大きい。 本発明の方法を実行するデバイスも開示される。

公开(公告)号：JP5680315B2

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：JP2010046387

申请日：2010-03-03

Applicant: コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ ,  コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ

Inventor： ステファン・ランディ

IPC: H01L21/027 ,  B29C33/38 ,  B29C59/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: G03F7/2059 ,  B81C99/009 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/034 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0017

公开(公告)号：JP4799861B2

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：JP2004513506

申请日：2003-04-16

Applicant: プリンストン ユニバーシティ

Inventor： カオ、ハン ,  チョウ、ステファン、ワイ． ,  テジェンフェルド、ジョナス

IPC: B01J19/00 ,  G01N37/00 ,  B01L3/00 ,  B81B1/00 ,  B82B3/00 ,  C12M1/00 ,  C12N15/09 ,  G03F7/20

CPC classification number: G01N21/6486 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502715 ,  B01L3/502746 ,  B01L3/502761 ,  B01L2200/027 ,  B01L2200/0663 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0654 ,  B01L2300/0896 ,  B01L2400/0415 ,  B01L2400/086 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/0157 ,  B81C2201/0159 ,  B82Y30/00 ,  G01N33/48721 ,  G03F7/2008 ,  Y10T436/143333

Abstract: The present invention relates to a device for interfacing nanofluidic and microfluidic components suitable for use in performing high throughput macromolecular analysis. Diffraction gradient lithography (DGL) is used to form a gradient interface between a microfluidic area and a nanofluidic area. The gradient interface area reduces the local entropic barrier to anochannels formed in the nanofluidic area. In one embodiment, the gradient interface area is formed of lateral spatial gradient structures for narrowing the cross section of a value from the micron to the nanometer length scale. In another embodiment, the gradient interface area is formed of a vertical sloped gradient structure. Additionally, the gradient structure can provide both a lateral and vertical gradient.

公开(公告)号：JP2005533636A

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：JP2004513506

申请日：2003-04-16

Applicant: プリンストン ユニバーシティ

Inventor： カオ、ハン ,  チョウ、ステファン、ワイ． ,  テジェンフェルド、ジョナス

IPC: G01N37/00 ,  B01J19/00 ,  B01L3/00 ,  B81B1/00 ,  B82B3/00 ,  C12M1/00 ,  C12N15/09 ,  G03F7/20

CPC classification number: G01N21/6486 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502715 ,  B01L3/502746 ,  B01L3/502761 ,  B01L2200/027 ,  B01L2200/0663 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0654 ,  B01L2300/0896 ,  B01L2400/0415 ,  B01L2400/086 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/0157 ,  B81C2201/0159 ,  B82Y30/00 ,  G01N33/48721 ,  G03F7/2008 ,  Y10T436/143333

Abstract: The present invention relates to a device for interfacing nanofluidic and microfluidic components suitable for use in performing high throughput macromolecular analysis. Diffraction gradient lithography (DGL) is used to form a gradient interface between a microfluidic area and a nanofluidic area. The gradient interface area reduces the local entropic barrier to anochannels formed in the nanofluidic area. In one embodiment, the gradient interface area is formed of lateral spatial gradient structures for narrowing the cross section of a value from the micron to the nanometer length scale. In another embodiment, the gradient interface area is formed of a vertical sloped gradient structure. Additionally, the gradient structure can provide both a lateral and vertical gradient.

公开(公告)号：JP2005503592A

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：JP2003529506

申请日：2002-07-15

Applicant: ビノプティクス・コーポレイションBinoptics Corporation

Inventor： アルフレッド・ティ・シュレーマー ,  アレックス・ベーファー ,  クリスティアン・ビー・スタガレスク

IPC: G03F7/20 ,  B81C1/00 ,  G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  G02B6/42 ,  G03F7/00 ,  G03F7/09 ,  G03F7/095 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G02B6/12002 ,  B81B2201/047 ,  B81C99/008 ,  B81C2201/0159 ,  G02B6/13 ,  G02B6/4204 ,  G02B6/4249 ,  G03F7/0037 ,  Y10S438/948 ,  Y10S438/949 ,  Y10S438/95

Abstract: 連続した層にモノリシックな構造を製造する一連の処理ステップにより、基板（１０）の表面上に任意形状の三次元構造が製造される。 フォトレジスト材料の第１層（１４）が基板（１０）表面（１８）にスピンで延ばされ、最終的な構造において対応する断面の段における、その最終的な構造の形状に対応する所望のパターンで露光される（２６）。 露光の後、層は現像されず、代わりにフォトレジスト材料の第２層が堆積され、また、所望のパターンに露光される（３２）。 続く層（４０、５２、６４）が先の層（１４、３０）上にスピンで延ばされ、露光される（４４、５４、６６）。 そして、それぞれの層が所望の構造にて対応している段を規定した、連続層が完成すると、全ての層が同時に現像され、三次元構造（２２）が後に残る。