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公开(公告)号:CN102067036B
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN200980123604.2
申请日:2009-07-23
Applicant: 株式会社尼康
CPC classification number: C03B19/1469 , C03B19/1453 , C03B2201/07 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C2201/30 , C03C2201/32 , C03C2201/42 , C03C2201/50 , C03C2203/40 , C03C2203/42 , C03C2203/54 , G03F1/50
Abstract: 本发明涉及光掩模用光学构件,其为在合成石英玻璃中添加了TiO2的光学构件。含有3.0~6.5重量%的TiO2。本发明还涉及光掩模用光学构件的制造方法,其在合成了石英玻璃铸锭后,成形为平板状的所定形状,之后,在氧化气氛中进行退火。通过退火使石英玻璃铸锭中的Ti3+变化成Ti4+,可降低Ti3+导致的光的吸收。由于对波长365nm的光之透射率为90%以上,因此即使在波长365nm附近也具有实用上充分的透射率,且与石英玻璃相比不易热膨胀。
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公开(公告)号:CN101061075B
公开(公告)日:2012-08-15
申请号:CN200680001203.6
申请日:2006-03-30
Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司
CPC classification number: C03C3/06 , C03B19/06 , C03B19/09 , C03B32/00 , C03B2201/07 , C03B2201/075 , C03B2201/24 , C03B2201/32 , C03C15/00 , C03C19/00 , C03C23/0025 , C03C23/006 , C03C2201/11 , C03C2201/12 , C03C2201/23 , C03C2201/24 , C03C2201/32 , C03C2201/50 , C03C2203/54 , C30B25/12 , C30B31/14 , C30B35/00 , Y02P40/57
Abstract: 用于蚀刻作用环境中的晶片夹具用理想石英玻璃的特征在于高纯度和高抗干蚀刻性。为给出一种完全符合这些要求的石英玻璃,本发明提出该石英玻璃应至少在其近表面区域掺杂氮,且亚稳态羟基的平均含量小于30重量ppm,以及其假定温度低于1250℃和在1200℃的温度下粘度为至少1013dPas。一种制造这种石英玻璃的经济性方法包括以下步骤:熔融SiO2原料以获得石英玻璃坯,其中使所述SiO2原料或石英玻璃坯经受脱水处理,在含氨气氛中将所述SiO2原料或石英玻璃坯加热至1050℃至1850℃范围的氮化温度,进行温度处理藉此将石英玻璃坯的石英玻璃设定到1250℃或更低的假定温度,对石英玻璃坯进行表面处理,形成石英玻璃夹具。
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公开(公告)号:CN102617033A
公开(公告)日:2012-08-01
申请号:CN201210020051.1
申请日:2012-01-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C03B37/014
CPC classification number: C03B37/01211 , C03B37/01413 , C03B37/01807 , C03B37/01861 , C03B37/01869 , C03B2201/07 , C03B2201/12 , C03B2201/20 , C03B2201/50 , G02B6/02019 , G02B6/02242 , G02B6/02266 , G02B6/03611 , G02B6/03627
Abstract: 本发明提供了一种用于制备光纤预制件的方法,所述光纤预制件用于制备衰减低的光纤。所述制备方法包括:(1)棒形成步骤,其中,形成含有碱金属元素的石英玻璃的玻璃棒,所述碱金属元素的平均浓度为大于或等于5at.ppm;(2)热处理步骤,其中,对所述玻璃棒进行热处理;(3)芯部分形成步骤,其中,于在所述热处理步骤中经过热处理的玻璃棒的外周形成不含碱金属元素、并且氯浓度为大于或等于6000at.ppm的石英玻璃层,从而形成包括所述玻璃棒和所述石英玻璃层的芯部分;以及(4)包层部分形成步骤,其中,在所述芯部分的外周形成折射率低于该芯部分的折射率的石英玻璃的包层部分。
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公开(公告)号:CN100509669C
公开(公告)日:2009-07-08
申请号:CN200380103744.6
申请日:2003-11-28
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03C3/06 , C03B19/1453 , C03B2201/03 , C03B2201/04 , C03B2201/07 , C03B2201/075 , C03B2201/20 , C03B2201/24 , C03C2201/02 , C03C2201/11 , C03C2201/23 , C03C2201/24 , C03C2201/26
Abstract: 本发明的第一目的在于,提供一种杂质较少且具有与天然石英玻璃同等以上的高温粘度特性,并且即使在高温气氛下也难以变形的合成石英玻璃的制造方法,特别是,不起泡且致密的高耐热性合成石英玻璃的制造方法。本发明的第二目的在于,提供容易由本发明的制造方法制得的高耐热性合成石英玻璃体,特别是不起泡、细密、具有高红外线吸收率及放出率,且具有极高的碱金属扩散防止效果的透明及黑色石英玻璃体。本发明是制造在245nm的吸收系数为0.05cm-1以上的高耐热性石英玻璃体的方法,其中对二氧化硅多孔体进行还原处理后进行烧成处理,获得致密玻璃体。
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公开(公告)号:CN1968903A
公开(公告)日:2007-05-23
申请号:CN200580019852.4
申请日:2005-04-05
Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司
CPC classification number: C03B19/01 , C03B19/1453 , C03B32/00 , C03B2201/03 , C03B2201/04 , C03B2201/07 , C03B2201/23 , C03C3/06
Abstract: 一种生产用于UV辐射源的石英玻璃元件的常规方法,包括熔化含SiO2的晶粒,本发明的目的是提供一种改进和廉价的方法,其能生产特征在于高耐辐射性的石英玻璃元件。为此,熔化合成产生的石英晶体得到由石英玻璃组成并含有羟基数量大于SiH基数量的初始产品。为了除去SiH基,在至少850℃的温度下对初始产品进行回火步骤,由此得到石英玻璃元件。本发明的石英玻璃元件特征在于石英玻璃由合成产生的石英晶体熔化而成,并具有小于5×1017个分子/cm3的SiH基含量。本发明还涉及测试供UV辐射源使用的石英玻璃元件的适应性的方法。
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公开(公告)号:CN108698886A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201680082012.0
申请日:2016-12-16
Applicant: 贺利氏石英玻璃有限两合公司
CPC classification number: C01B33/181 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2006/10 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C03B17/04 , C03B19/106 , C03B19/1095 , C03B20/00 , C03B2201/07 , C03B2201/075 , C03B2207/32 , C03B2207/36 , C03C1/022 , C03C3/06 , C03C12/00 , C03C2201/02 , C03C2201/11 , C03C2201/26 , C03C2201/32 , C03C2201/54 , C03C2203/10 , C03C2203/40 , C03C2203/44 , C03C2203/50 , G02B6/12
Abstract: 本发明涉及一种制备石英玻璃体的方法,其包含方法步骤i.)提供二氧化硅颗粒,其中所述提供包含至少以下步骤:I.提供二氧化硅粉末;和II.加工所述二氧化硅粉末以获得二氧化硅颗粒,其中所述二氧化硅颗粒的粒径大于所述二氧化硅粉末,其中所述加工包含以下步骤:1)加工所述二氧化硅粉末以获得二氧化硅颗粒I,其中所述二氧化硅颗粒I具有第一碳含量wC(1),2)用反应物处理所述二氧化硅颗粒I以获得具有另一碳含量wC(2)的二氧化硅颗粒II,其中所述另一碳含量wC(2)小于所述第一碳含量wC(1),ii.)从所述二氧化硅颗粒制造玻璃熔体,和iii.)从至少一部分所述玻璃熔体制造石英玻璃体。本发明进一步涉及一种可通过此方法获得的石英玻璃体。本发明进一步涉及一种光导、一种照明体和一种成型体,其中的每一种可通过进一步加工所述石英玻璃体获得。本发明还涉及一种可以作为根据本发明的方法的中间产物获得的二氧化硅颗粒II。
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公开(公告)号:CN106842412A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201610585995.1
申请日:2016-07-22
Applicant: OFS菲特尔有限责任公司
Inventor: 曼·F·延 , 皮特·I·波莱尔 , 汤姆·盖斯勒 , 拉斯穆斯·V·杨森 , 奥勒·A·勒弗灵 , 于尔根·奥斯特加德·奥尔森 , 戴维·W·派克汉姆 , 丹尼斯·J·特雷弗 , 帕特里克·W·韦斯科 , B·朱
IPC: G02B6/02
CPC classification number: C03C13/046 , C03B37/01208 , C03B37/01853 , C03B37/027 , C03B2201/07 , C03B2201/08 , C03B2201/12 , C03B2201/20 , C03B2201/28 , C03B2201/50 , C03B2203/223 , C03B2203/23 , C03C3/06 , C03C4/10 , C03C13/045 , C03C2201/11 , C03C2201/12 , C03C2201/28 , C03C2201/50 , G02B6/03627 , G02B6/0365 , Y02P40/57 , G02B6/0229
Abstract: 本申请具有低损耗和纳米级结构均匀的芯部的光学纤维。具体地,一种具有芯部区域的光学纤维,该芯部区域以各自的量掺杂有一种或多种降低粘度的掺杂剂,所述各自的量经配置以使得在具有大约600cm‑1的频移的拉曼光谱中该纤维具有纳米级结构,该纳米级结构具有小于0.025的积分D2线缺陷强度。可替代地,该芯部区域以各自的量掺杂有一种或多种降低粘度的掺杂剂,所述各自的量经配置以使得该纤维具有残余轴向压缩应力,该残余轴向压缩应力具有大于20MPa的应力幅值和芯部半径的2倍和7倍之间的应力径向范围。根据该发明的另一个方面,通过该纤维的光学传播的大部分由确定的组的纤维区域所支持,该确定的组的纤维区域包括芯部区域和一个或多个邻近的包层区域。该纤维区域以各自的量和径向位置掺杂有一种或多种降低粘度的掺杂剂,所述各自的量和径向位置经配置以获得在该确定的组中的纤维区域之间的粘度匹配。
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公开(公告)号:CN104203850A
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201280071132.2
申请日:2012-12-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C03B37/027 , C03C13/04
CPC classification number: C03B37/027 , C03B37/0253 , C03B2201/07 , C03B2201/12 , C03B2201/20 , C03B2201/50 , C03B2203/02 , C03B2203/22 , C03B2203/23 , C03B2203/26 , C03B2205/40 , C03B2205/42 , C03B2205/60 , C03B2205/72 , C03C13/045 , C03C25/1061
Abstract: 本发明提供一种可以制造这样的光纤的方法,该光纤在芯部含有碱金属元素,并且具有小的传输损耗。光纤(30)通过用拉丝装置(1)将石英类光纤预制件(20)拉丝而制备,该光纤(30)包括玻璃部和树脂包覆部,残留在玻璃部中的压缩应力的最大值为130MPa以下;该石英类光纤预制件(20)包括芯部和包层部,该芯部含有平均浓度为5原子ppm以上的碱金属,所述包层部含有氟和氯。在拉丝过程中,将该光纤预制件的各位置保持在1500℃以上的温度的持续时间为110分钟以下。拉丝速度优选为1,200m/min以上,甚至更优选为1,500至2,300m/min。光纤预制件(20)的直径优选为70至甚至更优选为90至
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公开(公告)号:CN103570225A
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201310466661.9
申请日:2013-07-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C03B20/00
CPC classification number: C03C3/04 , B29C33/38 , C03B19/1453 , C03B20/00 , C03B32/00 , C03B2201/07 , C03B2201/21 , C03B2201/23 , C03C3/06 , C03C2201/21 , C03C2201/23 , C03C2203/40 , C03C2203/52 , Y02P40/57
Abstract: 通过使提供硅的原料在氢氧焰中进行火焰水解来制备二氧化硅微细颗粒,将所述二氧化硅微细颗粒沉积在旋转石英玻璃靶上的同时使它们熔融并且玻璃化,从而形成合成石英玻璃锭,成型,退火,并且在至少600℃温度和最多5Pa压力下保持至少12小时进行脱氢处理。该合成石英玻璃具备高氦气渗透性并且适合行成纳米压印模具。
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公开(公告)号:CN101426744B
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN200780013293.5
申请日:2007-09-04
Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司 , 信越石英株式会社
CPC classification number: C03C3/06 , C03B19/06 , C03B19/066 , C03B20/00 , C03B2201/07 , C03B2201/075 , C03B2201/24 , C03B2201/34 , C03B2201/36 , C03C4/20 , C03C2201/23 , C03C2201/24 , C03C2201/3411 , C03C2201/3435 , C03C2203/10 , C03C2203/54
Abstract: 本发明始于用于半导体制造的已知石英玻璃元件,该元件至少在近表面区具有第一掺杂剂和第二氧化掺杂剂的共掺杂,所述第二掺杂剂含一种或多种浓度各为0.1~3wt%的稀土金属(以SiO2和掺杂剂的总质量为基准计算)。由此开始,为了提供用于在腐蚀作用环境中半导体制造的以高纯度和高耐干腐蚀著称并避免了由用氧化铝共掺杂所造成的已知缺点的石英玻璃元件,按照本发明建议:第一掺杂剂应是氮以及石英玻璃内亚稳定羟基的平均含量应小于30wtppm。
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