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公开(公告)号:CN1959932A
公开(公告)日:2007-05-09
申请号:CN200610140074.0
申请日:2006-10-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 丹尼尔·J·霍夫曼 , 保罗·卢卡丝·比瑞哈特 , 理查德·弗威尔 , 哈密迪·塔瓦索里 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 道格拉斯·H·伯恩斯 , 卡洛·贝拉
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/683 , C23F4/00
CPC classification number: H01L21/67248 , F25B49/02 , F25B2400/0401 , F25B2400/0403 , F25B2400/0411 , F25B2700/21174 , F25B2700/21175 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H05H2001/4682
Abstract: 一种从RF耦合的等离子体反应装置中的工件支撑传热或者向其传热的方法包括将冷却剂放置于位于工件支撑内部的内部流通道中,并通过使冷却剂循环经过制冷环路而从冷却剂传热或者向冷却剂传热,在制冷环路中,工件支撑的内部流通道构成制冷环路的蒸发器。该方法还包括将蒸发器内部的冷却剂的热条件维持在这样一个范围内,其中工件支撑和冷却剂之间的热交换主要或完全是通过冷却剂的蒸发潜热进行的。
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公开(公告)号:CN1890776A
公开(公告)日:2007-01-03
申请号:CN200480035950.2
申请日:2004-12-03
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01L21/00 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/68764 , H01J37/3171 , H01J2237/2001 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/68792
Abstract: 本发明揭示一种离子束植入器,其包括离子束源,用以产生沿着一束线运动的离子束,以及一个真空或是植入腔体,在其中一个工件放置于与离子束相交的位置,以离子束进行工件表面的离子植入。离子束植入器进一步包括耦合于植入腔体且支撑工件的一个工件支撑架构。工件支撑架构包括一个夹盘,其包括用来支撑工件的可旋转基座。工件支撑架构进一步包括第一可旋转滚动条,其耦合于并且与基座一起旋转,以及一个可弯曲空心线,其运送设备例如冷却剂线以及耦合于第一可旋转滚动条的电力导体,因此当基座以第一方向旋转时,可弯曲线包住第一滚动条的长度增加,当基座以相反方向旋转时,可弯曲线包住第一滚动条的长度减少。
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公开(公告)号:CN1529994A
公开(公告)日:2004-09-15
申请号:CN02811946.0
申请日:2002-04-23
Applicant: 科林研发公司
CPC classification number: H01J37/20 , H01J2237/2001 , H01L21/67103 , H01L21/67248
Abstract: 本发明揭示一种用于一等离子处理机的卡盘,其包括一温控基座(302)、一热绝缘体(304)、一平支架(306)以及一加热器(308)。该温控基座(302)的温度低于一工件(310)的需要温度。热绝缘体(304)装设于温控基座(302)之上。平支架(306)夹持一工件(310)且其装设于热绝缘体(304)之上。一加热器(308)埋置于平支架内及/或装设于该平支架的一底面上。该加热器包括可加热多个对应加热分区的多个加热元件。每一加热元件的电源及/或温度是独立控制的。
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公开(公告)号:CN1129962C
公开(公告)日:2003-12-03
申请号:CN98118558.4
申请日:1998-09-03
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67248 , H01J37/32522 , H01J37/3299 , H01J2237/2001 , H01L21/67109 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 测量和控制半导体晶片温度的装置和方法。该装置包括处理中固定晶片的夹盘、冷却剂气体源、测量和控制处理中晶片温度的温度传感装置。晶片夹盘上表面有许多孔,氦冷却剂气体以控制速率和压力流进该孔。冷却剂气体流过夹盘上表面与晶片下侧间狭窄空间,被加热到晶片温度后通过排放管排出。温度传感装置连续测量刚被加热的冷却剂气体温度,温度传感装置产生控制到晶片的冷却剂气体流的压力和流量信号。处理过程中精确控制晶片温度,使之维持在所需的值。
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公开(公告)号:CN107924800A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680046896.4
申请日:2016-06-30
Applicant: 代尔夫特工业大学
Inventor: H·W·臧德伯根
IPC: H01J37/20
CPC classification number: H01J37/20 , G01N2223/3106 , H01J2237/2001 , H01J2237/2065
Abstract: 在电子显微镜中使用基于MEMS的微型加热器进行加热实验是已知的。样品的加热通常涉及至少50K并且通常至少200K的温度升高或降低。本发明提供了一种改进的加热系统,其用于需要
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公开(公告)号:CN105474348B
公开(公告)日:2018-02-23
申请号:CN201480045594.6
申请日:2014-09-18
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: H01J37/18 , F25B19/005 , F25B45/00 , H01J2237/002 , H01J2237/022 , H01J2237/028 , H01J2237/182 , H01J2237/2001 , H01J2237/2002
Abstract: 本发明提供防污染阱以及真空应用装置,在现有构造中将双重的冷却罐之间真空隔热,通过与内侧容器连接的高导热率材料来对冷却部进行冷却。在这样的构造中,也有由于高导热率材料、针对冷却部的浸入热而造成的影响,但例如在制冷剂使用了液体氮的情况下,约需要30分钟到达-120℃。即使花费了时间的情况下,也就是-150℃前后的到达温度,远远不及液体氮温度的-196℃。因此,在本发明的防污染阱以及真空应用装置中,其特征在于,是在真空应用装置中冷却装置内冷却部(5)的构造,具有装有对冷却部(5)进行冷却的制冷剂(2)的冷却罐(1)、和从上述冷却罐(1)到冷却部(5)附近的冷却管(7),制冷剂(2)被供给到冷却部(5)前端。并且,其特征在于,将用于释放冷却管内气泡(10)的管(8)插入到冷却部(5)。
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公开(公告)号:CN103983485B
公开(公告)日:2017-06-30
申请号:CN201410044980.5
申请日:2014-02-07
Applicant: FEI 公司
Inventor: J.A.H.W.G.佩索恩 , A.T.恩格伦 , M.P.W.范登博加尔德 , R.J.P.G.沙姆佩斯 , M.F.哈勒斯
IPC: G01N1/28
CPC classification number: H01J37/20 , G01N2001/2873 , H01J37/3056 , H01J2237/2001 , H01J2237/202 , H01J2237/204 , H01J2237/206 , H01J2237/208 , H01J2237/31745
Abstract: 所描述的是用于原位中样本制备和成像的一种系统和方法。该系统包括具有主体镜台110和栅镜台150的多轴镜台100,所述多轴镜台100具有各种自由度以允许样本制备。在一些实施例中,聚焦离子束系统用于在主体镜台110上制备薄片。该薄片然后可从主体镜台110转移到栅镜台150,而不需要从聚焦离子束系统移动多轴镜台100。
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公开(公告)号:CN103280415B
公开(公告)日:2016-07-27
申请号:CN201310210087.0
申请日:2009-06-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor: 大卫·苏若恩 , 岱尔·K·史东 , 茂雄·S·大城 , 亚瑟·P·瑞福 , 爱德华·D·梅克英特许
IPC: H01L21/67 , H01J37/317 , H01J37/32 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/67109 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/2001 , H01J2237/2007 , H01L21/6875
Abstract: 本发明揭示一种用以将基材连接于地面的接地引脚。接地引脚包括引脚主体以及套管。套管支撑引脚主体。套管包括一流体通道,以传输流体,并使流体通道的两侧的压力处于压力平衡。
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公开(公告)号:CN103594330B
公开(公告)日:2016-07-06
申请号:CN201310357603.2
申请日:2013-08-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor: K.皮尔希
CPC classification number: C03C15/00 , H01J2237/2001 , H01L21/02019 , H01L21/30604 , H01L21/30608 , H01L21/6708 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L22/12 , H01L22/26
Abstract: 本发明公开了蚀刻设备和方法。向工件供给蚀刻剂。此外,利用经空间调制的光来照射工件,以在供给蚀刻剂的同时调节所述工件的温度分布。
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公开(公告)号:CN102947916B
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201180026469.7
申请日:2011-05-26
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/20
CPC classification number: H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/166 , H01J2237/2001 , H01J2237/20214
Abstract: 本发明公开一种工件扫描系统,具有围绕第一轴线转动的扫描臂(202)和围绕用于选择性地固定工件的第二轴线可转动地连接到扫描臂的冷冻端部效应器(206)。冷冻端部效应器具有夹板(212)和用以冷却夹板的一个或多个冷却机构。轴承沿着第二轴线设置并且将端部效应器以能够转动地连接至扫描臂,和密封件沿着第二轴线设置,以在外部环境和内部环境之间提供压力屏障。轴承和/或密封可以具有与其相关联的铁磁流体。加热器组件靠近轴承和密封件设置,其中加热器组件配置成选择性地提供预定量的热量到轴承和密封件,从而增加端部效应器围绕第二轴线转动的倾向。
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