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公开(公告)号：CN101688291A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880015419.7
申请日：2008-04-22
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 克里斯托夫·马克·帕夫洛夫 , 凯瑟琳·沙伊贝尔
CPC classification number: H01J37/3408 , C22C21/00 , C23C14/564 , H01J37/32477 , H01J37/32633 , H01J37/3441 , H01J37/3497
Abstract: 本发明提供一种处理套组(200)，其包含上遮蔽件(201a)，用以环绕住基板处理腔室(100)中的溅射靶材(140)，以减少工艺沉积物沉积在腔室部件及基板悬伸边缘上。所叙述的遮蔽件为单一结构，其具有在外表面(220)上的顶环(216)、支撑支架(226)和具有多个阶梯(223)的圆筒状箍(214)，以及具有在内表面(219)上的倾斜平面(221a)和垂直平面(221b)。顶环包括具有拱形表面的径向向内凸块(217)，该拱形表面塑造成可以环绕该溅射靶材的倾斜外围边缘。
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公开(公告)号：CN107614737A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680015969.3
申请日：2016-03-17
Applicant: 视觉缓解公司
CPC classification number: H01J37/3441 , H01J37/32477 , H01J37/32871 , H01J37/34 , H01J37/3438 , H01J37/3447 , H01J37/345 , H01J2237/026 , H01J2237/3323
Abstract: 一种溅射系统和一种阳极与阳极防护罩组件，其提供改善的接地来实现延长的溅射循环。
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公开(公告)号：CN106463326A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480078747.7
申请日：2014-05-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： H·吴尔斯特
IPC: H01J37/34
CPC classification number: H01J37/3441 , H01J37/3405 , H01J37/3435
Abstract: 根据本公开，提供一种用于可旋转阴极的遮蔽装置(20)以及一种用于遮蔽沉积设备中的暗空间区域的方法，所述可旋转阴极具有用于将材料沉积到基板上的可旋转靶材(10)。所述遮蔽装置(20)包括：遮蔽件(21)，配置成用于覆盖可旋转靶材(10)的部分；以及固定件(80)，用于将所述遮蔽件(21)连接至所述可旋转靶材(10)。固定件(80)配置成用于与所述遮蔽件(21)啮合，以允许所述遮蔽件在可旋转靶材的轴向上基本上远离可旋转靶材(10)的中心膨胀。
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公开(公告)号：CN104694901A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410738665.2
申请日：2014-12-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C23C14/3464 , C23C14/0676 , C23C14/352 , G03F1/68 , H01J37/3417 , H01J37/3441 , H01J37/3447
Abstract: 本发明提供了溅射沉积方法、溅射系统、光掩模坯料的制造及光掩模坯料。通过以下方法在衬底上溅射沉积膜：向真空室(3)提供第一和第二靶材(1，2)，使得第一和第二靶材(1，2)的溅射表面(11，21)可面向衬底(5)并且彼此平行或倾斜布置，同时向第一和第二靶材(1，2)供应电能，并且在衬底上沉积溅射颗粒同时控制溅射条件，使得从一个靶材射出的溅射颗粒到达另一个靶材的溅射表面并且沉积在其上的速率不大于通过溅射从该另一个靶材移除该溅射颗粒的速率。
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公开(公告)号：CN103998642A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280061498.1
申请日：2012-10-22
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
Inventor： 安松保志
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/22 , C23C14/3407 , C23C14/50 , C23C16/042 , H01J37/32651 , H01J37/3411 , H01J37/3441
Abstract: 本发明为处理装置及护罩，提供一种有利于提高对围住基板的护罩的变形的容许度的技术。处理装置具备基板保持部、当由上述基板保持部将基板保持时围在该基板的周围进行配置的护罩，和由磁力保持上述护罩的护罩保持部。上述护罩具有多个第1磁铁和多个第2磁铁，该第1磁铁朝着上述护罩保持部配置具有第1极性的磁极，该第2磁铁朝着上述护罩保持部配置具有第2极性的磁极，上述多个第1磁铁与上述多个第2磁铁配置在相对于上述护罩的中心对称的位置，上述护罩保持部具有多个第3磁铁和多个第4磁铁，该第3磁铁朝着上述护罩配置具有上述第1极性的磁极，以便与上述多个第2磁铁间产生吸引力；该第4磁铁朝着上述护罩配置具有上述第2极性的磁极，以便与上述多个第1磁铁间产生吸引力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103348446A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280007994.9
申请日：2012-02-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 , 汪荣军 , 清·X·源 , 艾伦·A·里奇
IPC: H01L21/203
CPC classification number: H01J37/34 , H01J37/32082 , H01J37/3441
Abstract: 本发明的实施例一般涉及用于半导体处理腔室的接地套件和具有接地套件的半导体处理腔室。更具体地说，在此描述的实施例涉及建立不对称接地路径的接地套件，该不对称接地路径经选择以显著地减少由偏离中心的RF功率输送所引发的不对称性。
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公开(公告)号：CN102822379A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201080065679.2
申请日：2010-03-24
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: C23C14/34 , H01L21/285
CPC classification number: H01J37/3441 , C23C14/0068 , C23C14/3407 , C23C14/35 , C23C14/50 , C23C14/505 , C23C14/564 , H01J37/3405 , H01J37/3447 , H01J2237/3323
Abstract: 本发明公开了一种用于电子装置的制造方法，包括：第一步骤，使得基板保持器运动成接近第一屏蔽部件以使得形成于第一屏蔽部件上并具有环形形状的第一凸出部分和具有环形形状并形成于第二屏蔽部件上的第二凸出部分定位在以非接触状态相互接合的位置处，该第二屏蔽部件安装在基板保持器的表面上并在基板的外周边部分处；第二步骤，在第一步骤之后溅射靶，同时使得第一凸出部分和第二凸出部分保持在以非接触状态相互接合的位置处；以及第三步骤，在第二步骤之后使得第一屏蔽部件设定在打开状态，通过溅射该靶在基板上形成薄膜。
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公开(公告)号：CN101688291B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880015419.7
申请日：2008-04-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯托夫·马克·帕夫洛夫 , 凯瑟琳·沙伊贝尔
CPC classification number: H01J37/3408 , C22C21/00 , C23C14/564 , H01J37/32477 , H01J37/32633 , H01J37/3441 , H01J37/3497
Abstract: 本发明提供一种处理套组(200)，所述处理套组(200)包含上遮蔽件(201a)，用以环绕住基板处理腔室(100)中的溅射靶材(140)，以减少工艺沉积物沉积在腔室部件及基板悬伸边缘上。所叙述的遮蔽件为单一结构，所述单一结构具有在外表面(220)上的顶环(216)、支撑支架(226)和具有多个阶梯(223)的圆筒状箍(214)，以及具有在内表面(219)上的倾斜平面(221a)和垂直平面(221b)。顶环包括具有拱形表面的径向向内凸块(217)，该拱形表面塑造成可以环绕该溅射靶材的倾斜外围边缘。
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公开(公告)号：CN102105618B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200980129280.3
申请日：2009-07-30
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/564 , H01J37/34 , H01J37/3441
Abstract: 一种等离子处理设备具有：被保持在预定电势的腔室、用于将基板保持在腔室内的基板台架、用于通过施加交流电力在腔室内产生等离子的电极、导电部件和粘接防止屏蔽，所述导电部件被构成为使得在形成等离子时所述部件包围基板台架和电极之间的等离子空间，由此连接基板台架和腔室的侧壁，并且在不形成等离子时通过所述部件的至少一部分因通过驱动机构导致的移动而引起的分离，而形成用于将基板引入到基板台架的开口，所述粘接防止屏蔽覆盖导电部件的等离子空间侧的表面。
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公开(公告)号：CN101924006B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010243822.4
申请日：2004-06-22
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3402 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3457 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/32623 , H01J37/3408 , H01J37/3411 , H01J37/3441 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76877
Abstract: 本发明涉及用于溅射反应器中的护罩。本发明的一个方面包括定位在等离子体溅射反应器的室壁外部的辅助磁环，其至少部分地布置在RF线圈的径向外部，该RF线圈用于感应发生等离子体，尤其是用于溅射刻蚀被溅射沉积的衬底。由此，磁阻挡防止等离子体向外泄漏至线圈，并改进溅射刻蚀的不均匀性。当线圈由与主靶相同材料制成时，线圈被用作第二磁体时，磁场还充当磁体。本发明的另一方面包括从靶延伸到支座的单片内护罩，该内护罩具有光滑内表面并在护罩中间部分由环形法兰支撑。该护罩可以被用于支撑RF线圈。
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