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公开(公告)号：TW201921409A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107134289
申请日：2018-09-28
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 張劍 , ZHANG, JIAN , 康志文 , KANG, ZHIWEN , 王 義向 , WANG, YIXIANG
Abstract: 本發明揭示一種用於一帶電粒子束檢測系統中之光學系統。該光學系統包括一或多個光學透鏡及一補償透鏡，該補償透鏡經組態以補償該一或多個光學透鏡之一組合的一焦距自一第一介質至一第二介質的一漂移。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于一带电粒子束检测系统中之光学系统。该光学系统包括一或多个光学透镜及一补偿透镜，该补偿透镜经组态以补偿该一或多个光学透镜之一组合的一焦距自一第一介质至一第二介质的一漂移。
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公开(公告)号：TW201921274A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107147685
申请日：2017-08-18
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 泰爾溫 提波 , TEL,WIM TJIBBO , 莫斯羅馬克 約翰 , MASLOW,MARK JOHN , 史達爾法蘭克 , STAALS,FRANK , 希尼保羅 克利絲丁安 , HINNEN,PAUL CHRISTIAAN
IPC: G06F17/50
Abstract: 一種方法，其涉及判定在一基板已由一或多個製程裝置根據一圖案化製程處理之後該一或多個製程裝置對該基板之一特性作出的一貢獻，該判定該貢獻係藉由自該基板之該特性之值移除一微影裝置對該特性之一貢獻及一或多個微影前製程裝置對該特性之一貢獻來完成。
Abstract in simplified Chinese: 一种方法，其涉及判定在一基板已由一或多个制程设备根据一图案化制程处理之后该一或多个制程设备对该基板之一特性作出的一贡献，该判定该贡献系借由自该基板之该特性之值移除一微影设备对该特性之一贡献及一或多个微影前制程设备对该特性之一贡献来完成。
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公开(公告)号：TW201921180A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107131655
申请日：2018-09-10
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 凡 哈倫 理查 喬哈奈 法蘭西卡斯 , VAN HAREN, RICHARD JOHANNES FRANCISCUS , 凡 迪傑克 里昂 保羅 , VAN DIJK, LEON PAUL , 莫拉克霍夫斯基 伊亞 , MALAKHOVSKY, ILYA , 歐頓 羅納德 亨利克斯 喬哈奈 , OTTEN, RONALD HENRICUS JOHANNES , 薩德尼亞 瑪哈迪 , SADEGHINIA, MAHDI
Abstract: 本發明係關於用於重建構一基板之一自由形式幾何形狀的方法及相關聯裝置，該方法包含：將該基板定位於一基板固持器上，該基板固持器經組態以保持該基板處於一保持力下，該保持力使該基板自其自由形式幾何形狀變形；量測該變形基板之一高度圖；及基於該基板之一預期變形而由該保持力及經量測高度圖重建構該變形基板之該自由形式幾何形狀。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于用于重建构一基板之一自由形式几何形状的方法及相关联设备，该方法包含：将该基板定位于一基板固持器上，该基板固持器经组态以保持该基板处于一保持力下，该保持力使该基板自其自由形式几何形状变形；量测该变形基板之一高度图；及基于该基板之一预期变形而由该保持力及经量测高度图重建构该变形基板之该自由形式几何形状。
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公开(公告)号：TW201921167A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW108100498
申请日：2017-10-17
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 寇偉田 , KOU,WEITIAN , 伊瑪亞力山大 , YPMA,ALEXANDER , 霍特曼馬克 , HAUPTMANN,MARC , 庫柏斯米切爾 , KUPERS,MICHIEL , 維蓋茲-輝澤莉迪亞 瑪麗安娜 , VERGAIJ-HUIZER,LYDIA MARIANNA , 瓦勒伯斯艾瑞克 裘漢斯 瑪麗亞 , WALLERBOS,ERIK JOHANNES MARIA , 德爾維尼艾瑞克 亨利 亞德里安 , DELVIGNE,ERIK HENRI ADRIAAN , 羅伊羅夫斯威廉 賽納 克里斯汀 , ROELOFS,WILLEM SEINE CHRISTIAN , 希可利哈奇 爾金 , CEKLI,HAKKI ERGUN , 凡 德 山登史帝芬 柯尼里斯 李歐朵魯斯 , VAN DER SANDEN,STEFAN CORNELIS THEODORUS , 高斯達席德瑞克 迪賽爾 , GROUWSTRA,CEDRIC DESIRE , 戴克司大衛 法蘭斯 賽門 , DECKERS,DAVID FRANS SIMON , 吉歐羅曼紐爾 , GIOLLO,MANUEL , 道芙布希伊莉娜 , DOVBUSH,IRYNA
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本發明揭示一種判定與一基板上之一微影製程有關的一製程參數之一校正的方法及相關聯裝置。該微影製程包含複數個輪次，在該複數個輪次中之每一者期間，將一圖案施加至一或多個基板。該方法包含獲得描述該基板之一屬性的曝光前度量衡資料；獲得包含已對一或多個先前曝光基板執行的對該製程參數之一或多個量測的曝光後度量衡資料；基於該曝光前度量衡資料，將來自一或多個群組之一群組隸屬狀態指派給該基板；及基於該群組隸屬狀態及該曝光後度量衡資料，判定該製程參數之該校正。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种判定与一基板上之一微影制程有关的一制程参数之一校正的方法及相关联设备。该微影制程包含复数个轮次，在该复数个轮次中之每一者期间，将一图案施加至一或多个基板。该方法包含获得描述该基板之一属性的曝光前度量衡数据；获得包含已对一或多个先前曝光基板运行的对该制程参数之一或多个量测的曝光后度量衡数据；基于该曝光前度量衡数据，将来自一或多个群组之一群组隶属状态指派给该基板；及基于该群组隶属状态及该曝光后度量衡数据，判定该制程参数之该校正。
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公开(公告)号：TW201921100A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107133296
申请日：2018-09-21
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 提那曼斯 派翠西斯 阿若瑟斯 約克伯 , TINNEMANS, PATRICIUS ALOYSIUS JACOBUS , 荷西布斯 愛多 瑪莉亞 , HULSEBOS, EDO MARIA , 麥更 亨力克斯 喬漢那 蘭伯特 , MEGENS, HENRICUS JOHANNES LAMBERTUS , 厄戴瑪 尤米特 柯瑞 , ERDAMAR, AHMET KORAY , 梵席斯 洛克 喬漢斯 彼托斯 , VERHEES, LOEK JOHANNES PETRUS , 羅伊羅夫斯 威廉 賽納 克里斯汀 , ROELOFS, WILLEM SEINE CHRISTIAN , 范 戴 凡 溫蒂 喬漢娜 瑪汀娜 , VAN DE VEN, WENDY JOHANNA MARTINA , 亞古比薩德 哈帝 , YAGUBIZADE, HADI , 希可利 哈奇 爾金 , CEKLI, HAKKI ERGUN , 布林克夫 拉夫 , BRINKHOF, RALPH , 余 陳清水 , VU, TRAN THANH THUY , 葛森 邁可 羅伯特 , GOOSEN, MAIKEL ROBERT , 凡 特 衛斯登得 瑪尹克 , VAN T WESTEINDE, MAAIKE , 寇偉田 , KOU, WEITIAN , 里澤斯特拉 馬諾克 , RIJPSTRA, MANOUK , 寇克斯 馬泰斯 , COX, MATTHIJS , 班捷恩 法蘭西斯科 哥登法蘭德斯 凱司柏 , BIJNEN, FRANCISCUS GODEFRIDUS CASPER
Abstract: 本發明揭示一種用於判定一感測器系統之一操作參數之一或多個最佳化值的方法，該感測器系統經組態以用於量測一基板之一屬性，該方法包含：判定關於複數個基板之一品質參數；判定針對該操作參數之複數個值使用該感測器系統所獲得的關於該複數個基板之量測參數；比較該品質參數之一基板間變化與該等量測參數之一映射之一基板間變化；及基於該比較判定該操作參數之該一或多個最佳化值。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于判定一传感器系统之一操作参数之一或多个最优化值的方法，该传感器系统经组态以用于量测一基板之一属性，该方法包含：判定关于复数个基板之一品质参数；判定针对该操作参数之复数个值使用该传感器系统所获得的关于该复数个基板之量测参数；比较该品质参数之一基板间变化与该等量测参数之一映射之一基板间变化；及基于该比较判定该操作参数之该一或多个最优化值。
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公开(公告)号：TW201921094A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107131656
申请日：2018-09-10
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 凡 東京 傑羅恩 , VAN DONGEN, JEROEN , 麥克 納馬拉 艾略特 葛雷德 , MC NAMARA, ELLIOTT GERARD , 希尼 保羅 克利絲丁安 , HINNEN, PAUL CHRISTIAAN , 喬錢森 馬利那 , JOCHEMSEN, MARINUS
IPC: G03F1/38
Abstract: 本發明揭示控制一圖案化程序之方法。在一個配置中，獲得由通過一基板上之一結構之一目標層的一蝕刻路徑中的傾角之一量測產生的傾角資料。該傾角表示該蝕刻路徑之一方向與該目標層之平面之一垂線的一偏差。該傾角資料用以控制一圖案化程序，該圖案化程序用以在一另外層中形成一圖案。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示控制一图案化进程之方法。在一个配置中，获得由通过一基板上之一结构之一目标层的一蚀刻路径中的倾角之一量测产生的倾角数据。该倾角表示该蚀刻路径之一方向与该目标层之平面之一垂线的一偏差。该倾角数据用以控制一图案化进程，该图案化进程用以在一另外层中形成一图案。
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公开(公告)号：TW201920939A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107131106
申请日：2018-09-05
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 賈克 馬丁 賈庫柏斯 喬漢 , JAK, MARTIN JACOBUS JOHAN , 艾伯特 馬汀 , EBERT, MARTIN , 丹 包伊夫 亞歷 傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 帕迪 尼特許 , PANDEY, NITESH
Abstract: 本發明提供一種方法，其包含：對照一或多個量測品質參數來評估與對使用一圖案化程序處理之一基板之一度量衡目標的量測相關聯的複數個偏光特性；及基於該等量測品質參數中之一或多者而自該複數個偏光特性選擇一或多個偏光特性。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种方法，其包含：对照一或多个量测品质参数来评估与对使用一图案化进程处理之一基板之一度量衡目标的量测相关联的复数个偏光特性；及基于该等量测品质参数中之一或多者而自该复数个偏光特性选择一或多个偏光特性。
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公开(公告)号：TW201920837A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107138005
申请日：2017-01-10
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 優莫林艾瑞克 亨瑞庫司 艾居迪司 卡薩瑞納 , EUMMELEN,ERIK HENRICUS EGIDIUS CATHARINA , 加多比吉歐吉凡尼 路卡 , GATTOBIGIO,GIOVANNI LUCA , 麥爾曼喬漢斯 康納歷斯 波勒斯 , MELMAN,JOHANNES CORNELIS PAULUS , 廉碧司韓 亨利克斯 亞德恭達 , LEMPENS,HAN HENRICUS ALDEGONDA , 于淼 , YU,MIAO , 羅伯茲康納利 馬利亞 , ROPS,CORNELIUS MARIA , 歐利史萊吉斯羅德 , OLIESLAGERS,RUUD , 優路肯亞頓克 , ULUCAN,ARTUNC , 波列特喜爾多爾斯 威爾赫瑪斯 , POLET,THEODORUS WILHELMUS , 斯布坦堡派翠克 喬韓妮絲 威爾海莫斯 , SPRUYTENBURG,PATRICK JOHANNES WILHELMUS
Abstract: 本發明係關於一種包含一流體處置結構之微影浸潤裝置及一種器件製造方法。在實施例中，流體處置結構經組態以將浸潤流體侷限於區且包含氣刀系統，該氣刀系統包含各自具有退出口之通道，該等通道包含具有複數個對應第一退出口之複數個第一通道及具有複數個對應第二退出口之複數個第二通道，其中至少一個第一通道及至少一個第二通道經組態以使得退出第一退出口之氣體的停滯壓力大於退出第二退出口之氣體的停滯壓力，其中複數個第一通道及複數個第二通道交纏且以直線配置，使得第一退出口及第二退出口形成平面圖中之形狀的一側。在實施例中，流體處置結構經組態以將浸潤流體侷限於區且在使用中包含氣刀，流體處置結構包含至少一個退出口，其中至少一個退出口經配置以使得氣刀形成平面圖中之形狀的一側，且至少一個退出口具有經組態以允許浸潤流體之小滴自氣刀之徑向外部的位置移動至氣刀之徑向內部的位置且經組態以約束浸潤流體之小滴自氣刀之徑向內部的位置移動至氣刀之徑向外部的位置之幾何形狀。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种包含一流体处置结构之微影浸润设备及一种器件制造方法。在实施例中，流体处置结构经组态以将浸润流体局限于区且包含气刀系统，该气刀系统包含各自具有退出口之信道，该等信道包含具有复数个对应第一退出口之复数个第一信道及具有复数个对应第二退出口之复数个第二信道，其中至少一个第一信道及至少一个第二信道经组态以使得退出第一退出口之气体的停滞压力大于退出第二退出口之气体的停滞压力，其中复数个第一信道及复数个第二信道交缠且以直线配置，使得第一退出口及第二退出口形成平面图中之形状的一侧。在实施例中，流体处置结构经组态以将浸润流体局限于区且在使用中包含气刀，流体处置结构包含至少一个退出口，其中至少一个退出口经配置以使得气刀形成平面图中之形状的一侧，且至少一个退出口具有经组态以允许浸润流体之小滴自气刀之径向外部的位置移动至气刀之径向内部的位置且经组态以约束浸润流体之小滴自气刀之径向内部的位置移动至气刀之径向外部的位置之几何形状。
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公开(公告)号：TW201910923A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107115162
申请日：2018-05-04
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 廉晉 , LIAN, JIN , 帕迪 尼特許 , PANDEY, NITESH
Abstract: 揭示量測形成於基板上之一目標結構之一所關注參數的方法及設備。在一個配置中，該目標結構包含一第一子目標及一第二子目標。該第一子目標包含一第一偏置且該第二子目標包含一第二偏置。該方法包含使用自該第一子目標散射之在一第一波長之輻射的一經偵測或經估計參考屬性及自該第二子目標散射之在一第二波長之輻射的一經偵測或經估計參考屬性來判定該所關注參數。該第一波長不同於該第二波長。
Abstract in simplified Chinese: 揭示量测形成于基板上之一目标结构之一所关注参数的方法及设备。在一个配置中，该目标结构包含一第一子目标及一第二子目标。该第一子目标包含一第一偏置且该第二子目标包含一第二偏置。该方法包含使用自该第一子目标散射之在一第一波长之辐射的一经侦测或经估计参考属性及自该第二子目标散射之在一第二波长之辐射的一经侦测或经估计参考属性来判定该所关注参数。该第一波长不同于该第二波长。
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公开(公告)号：TWI653513B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW106142682
申请日：2017-12-06
Applicant: 荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
Inventor： 帕迪 尼特許 , PANDEY, NITESH , 周子理 , ZHOU, ZILI
IPC: G03F7/20
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