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公开(公告)号：KR1019940018063A
公开(公告)日：1994-08-16
申请号：KR1019930000492
申请日：1993-01-15
Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소
Inventor： 손병기
IPC: A61B5/04
Abstract: 본 발명은 바이오센서로서 소오스와 게이트 및 드레인을 구비한 감이온 전계효과 트랜지스터(Ion-Sensitive Field-Effact Transistor)에 있어서, 상기 게이트상에 이온감지막을 형성하고, 이온감지막상에 백금전극을 형성함과 더불어 효소고정화막을 형성하여 응답이 크면서도 응답속도가 빠르고, 효소반응에서 H
2 O
2 를 발생시키는 모든 생체관련물질을 감지할 수 있는 백금전극을 내장한 감이온 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서이다.-
公开(公告)号：KR100163405B1
公开(公告)日：1999-03-30
申请号：KR1019960004671
申请日：1996-02-26
Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소
IPC: G01N27/414
Abstract: 본 발명은 이온센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘기판(1)과 소스(2), 드레인(3), 실리콘산화막(4), 실리콘질화막(5), 알루미늄금속전극(6) 및 이온감지막(7)으로 구성된 전계효과 트랜지스터형 이온센서에 있어서, 이온감지막(7)이 친유성 고분자박막(11) 위에 감지물질을 포함한 친수성 고분자 감지막(12)을 형성시켜 이중막 구조를 갖도록 한 구성으로, 낮은 감도 및 수용액 내에 측정대상 이온만큼 존재하는 수소이온에 대한 감응을 감이온 전계효과 트랜지스터 pH센서(pH-ISFET)바탕소자 위에 친유성의 고분자로 절연 방수막을 형성하여 방지하였을 뿐만 아니라 친수성인 고분자를 외부의 감지막으로 사용함으로서 수용액인 피측정액의 확산속도를 증가시켜 감응시간을 단축함과 더불어 감도를 향상시킬 수 있는 장점이 있는 감이온 전계효과 트랜� �스터 pH센서를 이용한 이온센서 및 그 제조방법이다.
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公开(公告)号：KR1019990009349A
公开(公告)日：1999-02-05
申请号：KR1019970031722
申请日：1997-07-09
Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 , 대성홀딩스 주식회사
IPC: G01L1/14
Abstract: 압력센서 및 그 제작방법에 대해 기술된다. 압력센서는 다이어프램과; 상기 다이아프램에 형성되는 압저항부들과; 상기 다이아프램 상에 형성되어 상기 압저항부들을 전기적으로 연결하는 신호선과; 상기 다이아프램의 하부 가장자리에 형성되는 소정 높이의 프레임를; 구비하고 상기 프레임에 의해 마련된 상기 다이아프램의 하부측 공동부를 폐쇄하는 밀폐부가 마련되어 있다. 이러한 압력센서는 다이아프램의 물리적 변화에 의한 프레임의 변형을 억제할 수 있어서 보다 정밀한 압력의 측정이 가능하고, 프레임에 고정된 밀폐가 다이아프램의 손상에 의한 가스누출을 2차적으로 방지한다.
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公开(公告)号：KR1019980067489A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970003543
申请日：1997-02-05
Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소
IPC: G01N27/28
Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조공정을 통하여 제조되는 전계효과 트랜지스터 pH센서에 관한 것으로, 특히 pH센서를 이용하여 수용액이나 혈액중의 용존 이산화탄소 분압을 측정하기 위한 전계효과 트랜지스터형 용존 이산화탄소 분압센서의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 실리콘기판(1), 소스영역(2), 드레인영역(3), 산화실리콘층(4), 질화실리콘 pH감지층(5), 알루미늄 금속전극(6), 기준전극(7), 수화젤막(8) 및 가스투과막(9)으로 구성된 FET형 이산화탄소 센서에서 광 중합형 감광성 고분자를 사용하여 수화젤막과 기체투과막을 형성할 때, 감광용액에 산소감쇄제를 넣어줌으로써 산소에 의한 중합금지 작용을 방지시켜 이들이 이중막 구조를 갖도록 하고, 상기 수화젤막은 친수성이 큰 아크릴아미드와 패턴형성특성이 우수한 하이드록시에틸 메타크릴레이트(HEMA)을 동시에 사용하여 형성한다는데 있다.
본 발명에 의해 제조되는 이산화탄소 분압센서는 기존의 마일러 필름의 사용으로 인한 감지막에의 핀홀 발생문제 및 불규칙 표면 발생문제를 해결할 수 있고 또한 감지막의 두께 조절도 용이한 장점이 있게 된다.-
公开(公告)号：KR100155141B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019940032959
申请日：1994-12-06
Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 , 만도기계 주식회사
Inventor： 이종현
IPC: H01L29/84
Abstract: 본 발명의 다공질실리콘을 이용한 실리콘 다이아프램의 제조방법은 N형 실리콘기판을 제조하는 단계와: 상기 실리콘 기판에 n
+ 불순물을 확산시켜 상기 기판의 소정의 부분에 n
+ 확산영역을 형성하는 단계와: n
+ 형 실리콘 에피택셜층을 성장시키는 단계와: 상기 n
+ 형 실리콘 에피택셜층에 통공(through-hole)을 형성하여 상기 n
+ 확산영역중 소정부분을 노출시키는 단계와: 불산(HF)용액에서 양극반응을 수행하여 상기 n
+ 확산영역을 다공질실리콘층으로 만드는 단계와: 상기 다공질실리콘층을 에칭하여 에어-갭을 형성하는 단계 및 상기 통공을 밀봉하는 단계를 포함한다.-
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公开(公告)号：KR100155140B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019940008000
申请日：1994-04-16
Applicant: 최시영 , 대한민국경북대학교센서기술연구소
IPC: H01L29/84
Abstract: 본 발명은 실리콘 가속 센서의 제조 방법에 관한 것으로서 메스(Mass)의 모서리에 언더컷이 발생하는 것을 억제할 수 있는 실리콘 가속도 센서의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 제조 방법은 마스크 패턴에, 메스의 높이를 C로 했을 때, 메스의 각변이 일치하는 네 귀퉁이의 모서리 점에 각 변의 폭이 메스 높이의 두배의 폭을 가지는 사각형의 보상 패턴을 그 중점을 C에 대해 10퍼센트 이내의 범위 내에서 상기 모서리 점에 일치시키고, 상기 보상 패턴의 각 변의 폭을 2C로 결정하도록 한다.
이러한 본 발명에 의하면, 목적하는 형태 메스를 성공적으로 형성할 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR1019970063514A
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：KR1019960004670
申请日：1996-02-26
Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소
IPC: H01L21/30
Abstract: 본 발명은 미세구조물을 제조하는 마이크로머시닝 방법에 관한 것으로, n형실리콘기판(1)을 세척하여 실리콘 산화막(2) (2')를 성장시키고 실리콘 산화막(2)을 선택적으로 식각하여 n
+ 확산창(3)을 열고 P
0 Cl
3 를 주입확산시켜 n
+ 확산영역(4)을 형성한 다음 실리콘 산화막(2)을 제거하고 n형실리콘에 피택셜층(5)을 성장시키는 단계와; 상기 n형실리콘에피택셜층(5)에 신호처리회로 및 변환소자부(6)를 형성한 후 버퍼산화막(7)과 질화막(8)을 순차 증착하고 소자의 접촉부를 정의하고 난 다음 Au/Ni-Cr막(9)을 증착하여 금속패턴을 정의하는 금속화 공정 단계와; 금속화공정이 끝난 기판위에 폴리이미드(10)를 도포하고 폴리이미드(10)를 부분적으로 선택식각하여 패턴을 정의하고 난 후 습식식각 또는 건식식각법으로 상기 n형실리콘에피택셜층 (5)을 식각하여 n
+ 확산영역(4)을 노출시키는 단계와; 고농도 HF 용액에서 정전류 또는 정전압원으로 양극반응시켜 상기 n
+ 확산영역(4)을 다공질실리콘층(11)으로 만들고, 다공질실리콘층(11)을 NaOH용액에서 식각하여 동공(12;cavity)를 형성 하고 상기 폴리이미드(10)를 제거하는 단계로 이루어져 고온의 열처리를 필요로하지 않으며, HF용액 속에서 양극반응시 화학적 및 전기적 절연특성이 우수한 폴리이미드 마스킹을 이용함으로써 신호처리회로 및 변환 소자부를 보호할 수 있을 뿐만아니라 정교한 미세구조물을 용이하게 제조할 수 있는 폴리이미드 마스킹을 이용한 다공질실리콘 마이크로머시닝 방법.-
公开(公告)号：KR1019970062697A
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：KR1019960004672
申请日：1996-02-26
Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소
Inventor： 이종현
Abstract: 본 발명은 가속도센서에 관한 것으로서, 압저항들과 고정저항들 및 가산기로 이루어진 제1~4브릿지회로부(1~4)를 각각 구성하고, 제1~4브릿지회로부(1~4)의 출력단을 서로 연결하여 가산회로(5)에다 연결한 구성으로 기존 가속도센서의 설계 및 제조공정의 변경없이 가산회로를 구비하여 브릿지회로에서 나오는 응답을 가산회로로 합함으로서 각 브릿지에서 나오는 타축감도를 상쇄시키고, 브릿지 수에 따른 강도의 감소를 보상해 주게되므로 가속도센서의 감도특성이 우수하고 정확한 감지효과를 얻을 수 있는 자기감도상쇄용 가산회로를 구비한 가속도센서이다.
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公开(公告)号：KR100118637B1
公开(公告)日：1997-07-22
申请号：KR1019930029497
申请日：1993-12-24
Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 , 만도기계 주식회사
Inventor： 이종현
IPC: H01L21/20
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公开(公告)号：KR100118636B1
公开(公告)日：1997-07-22
申请号：KR1019930029501
申请日：1993-12-24
Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 , 만도기계 주식회사
IPC: H01L21/027
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