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公开(公告)号：KR1020160104562A
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：KR1020160021341
申请日：2016-02-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/45534 , C23C16/45551 , H01L21/02123 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02579 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L29/66181
Abstract: 기판(W)을적재가능한회전테이블(2)과, 상기회전테이블의회전방향을따라서로이격하여설치된제1 처리가스공급수단및 제2 처리가스공급수단을갖는성막장치를사용한실리콘함유막의성막방법이며, 상기회전테이블을회전시키면서상기제1 처리가스공급수단으로부터상기기판에아미노실란가스를공급하고, 상기기판의표면에시드층을형성하는시드층형성공정과, 상기회전테이블을회전시키면서상기제1 처리가스공급수단으로부터붕소함유가스를상기기판의표면에공급하는촉매공급공정과, 상기회전테이블을회전시키면서상기제2 처리가스공급수단으로부터실란계가스를상기기판의표면에공급하고, 상기기판의표면에실리콘끼리의결합을발생시키는원료가스공급공정을갖는다.
Abstract translation: 本发明涉及一种通过使用成膜装置形成含硅膜的方法，所述成膜装置包括装载基板（W）的旋转台（2），第一处理气体供应装置和第二处理气体供应装置 安装成相互分离。 该方法包括：在旋转旋转台的同时将氨基硅烷气体从第一工艺气体供给装置供给到衬底并在衬底的表面上形成晶种层的种子层形成工艺; 在旋转所述旋转台的同时，从所述第一处理气体供给装置向所述基板的表面供给含硼气体的催化剂供给工序; 以及在旋转所述旋转台的同时将硅烷类气体从所述第二处理气体供给装置供给到所述基板的表面，以及在所述基板的表面上产生耦合硅和硅的原料气体供给工序。
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公开(公告)号：KR1020160030368A
公开(公告)日：2016-03-17
申请号：KR1020150125487
申请日：2015-09-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/0234 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01J37/32366 , H01J37/32458 , H01J37/32513 , H01J37/32715 , H01J37/32752 , H01J37/32899 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/31116 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 플라즈마처리장치는, 처리용기와, 해당처리용기내에설치되고, 기판을상면에적재가능한회전테이블과, 해당회전테이블의주위방향에있어서의소정개소에형성되고, 제1 플라즈마가스로부터제1 플라즈마를발생시켜제1 플라즈마처리를행하는제1 플라즈마처리영역과, 해당제1 플라즈마처리영역과상기주위방향에있어서이격하여형성되고, 제2 플라즈마가스로부터제2 플라즈마를발생시켜제2 플라즈마처리를행하는제2 플라즈마처리영역과, 상기주위방향에있어서상기제1 플라즈마처리영역과상기제2 플라즈마처리영역사이의 2개의간격영역각각에형성되고, 상기제1 플라즈마처리영역과상기제2 플라즈마처리영역을분리하여상기제1 플라즈마가스와상기제2 플라즈마가스의혼합을방지하는 2개의분리영역을갖는다.
Abstract translation: 等离子体处理装置具有：处理容器; 旋转台，安装在相应的处理容器中，并可在上平面上装载基板; 第一等离子体处理区域，其形成在沿着相应旋转台的周围方向的固定位置，并且通过从第一等离子体气体产生第一等离子体来执行第一等离子体处理; 第二等离子体处理区域，其形成为沿着周围方向与相应的第一等离子体处理区域分离，并且通过从第二等离子体气体产生第二等离子体来进行第二等离子体处理; 以及沿着周围方向分别形成在第一等离子体处理区域和第二等离子体处理区域之间的两个间隔区域上的两个分离区域，并且通过分离第一等离子体处理气体和第二等离子体处理气体来防止混合第一等离子体处理气体 等离子体处理区域和第二等离子体处理区域。 本发明提供能够降低膜中的氟密度的等离子体处理装置和等离子体处理方法。
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公开(公告)号：KR101582720B1
公开(公告)日：2016-01-05
申请号：KR1020130082061
申请日：2013-07-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/45508 , C23C16/45551 , C23C16/45587 , C23C16/4584
Abstract: 진공분위기에서서로반응하는복수종류의처리가스를기판에차례로공급하는사이클을반복하여반응생성물의층을적층하여박막을얻는성막장치로, 진공용기내에배치되고, 그위에기판을적재하여공전시키기위한회전테이블과, 회전테이블의주위방향으로서로이격된영역에다른처리가스를공급하기위한복수의처리가스공급부와, 영역의사이에, 서로다른처리가스를분리하기위한분리가스공급부와, 진공용기내를진공배기하기위한배기기구를구비하고, 처리가스공급부중 적어도하나의처리가스공급부는, 회전테이블의주연부와중앙부사이에걸쳐신장되며, 회전테이블을향한토출구가길이방향을따라형성된가스노즐과, 가스노즐에있어서의회전테이블의회전방향의상류측에설치되고, 분리가스가그 상면측을흐르도록가스노즐의길이방향을따라설치된정류판을포함하고, 정류판은회전테이블과의이격거리가회전테이블의일단부측으로부터타단부측을향해작아지도록, 또한타단부에있어서의이격거리가일단부에있어서의이격거리보다도 1㎜이상작아지도록설치된다.
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公开(公告)号：KR1020150052784A
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：KR1020140151167
申请日：2014-11-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/683 , H01L21/677 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02211 , C23C16/45538 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , C23C16/505 , H01J37/3244 , H01J37/32513 , H01J37/32568 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/31138
Abstract: 천장판을포함하는진공용기와, 상기진공용기내에회전가능하게설치된회전테이블과, 상기회전테이블에대치된기판의표면에흡착되는제1 처리가스를공급하는제1 처리가스공급수단과, 상기제1 처리가스공급수단으로부터상기회전테이블의주위방향으로이격된위치에설치되고, 상기기판의표면에플라즈마처리용가스를공급하는플라즈마처리용가스공급수단과, 상기제1 처리가스와상기플라즈마처리용가스를분리하는분리가스를공급하는분리가스공급수단과, 상기플라즈마처리용가스를플라즈마화하는플라즈마발생수단과, 상기플라즈마발생수단및 상기회전테이블중 적어도한쪽을승강시키는승강기구를갖는기판처리장치.
Abstract translation: 本发明公开了一种基板处理装置，包括：具有屋顶板的真空容器; 可旋转地安装在真空容器内的旋转台; 第一处理气体供给装置，用于提供吸附在位于旋转台上的基板的表面上的第一处理气体; 等离子体处理气体供给装置，其安装成在旋转台的径向方向与第一处理气体供给装置分离，以将等离子体处理气体提供到基板的表面上; 分离气体供给装置，用于供应分离第一处理气体和等离子体处理气体的分离气体; 等离子体产生装置，用于从等离子体处理气体产生等离子体; 以及用于提升等离子体产生装置和旋转台中的至少一个的提升装置。
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公开(公告)号：KR1020140058351A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：KR1020130131277
申请日：2013-10-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32651 , H01J37/32715 , H05H1/46
Abstract: The present invention provides a plasma treatment apparatus including: a vacuum vessel; a substrate stacking unit installed in the vacuum vessel for stacking substrates; a gas supply unit for supplying gas used to generate plasma in the vacuum vessel; an antenna for receiving high-frequency power in order to make the gas used to generate the plasma, which is supplied from the gas supply unit, in the state of plasma; a faraday shield installed between the antenna and a region in which the plasma is generated, and including a conductive plate in which a plurality of slits crossing an extension direction of the antenna are arranged in a longitudinal direction of the antenna, in order to suppress an electric field of an electromagnetic field formed by the antenna and pass through a magnetic field; and an adjusting unit including a conductor to adjust an area of an opening of the slits in order to adjust a plasma density in the longitudinal direction of the antenna.
Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置，包括：真空容器; 安装在用于堆叠基板的真空容器中的基板堆叠单元; 用于在所述真空容器中供给用于产生等离子体的气体的气体供给单元; 用于接收高频电力的天线，以便以等离子体的状态从气体供给单元供给用于产生等离子体的气体; 安装在天线和产生等离子体的区域之间的法拉第屏蔽，并且包括导电板，其中与天线的延伸方向交叉的多个狭缝布置在天线的纵向方向上，以便抑制 由天线形成并通过磁场的电磁场的电场; 以及调节单元，其包括用于调节狭缝的开口的面积的导体，以便调节天线的纵向方向上的等离子体密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130092508A
公开(公告)日：2013-08-20
申请号：KR1020130014630
申请日：2013-02-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02104 , C23C16/45508 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , C23C16/5093 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: PURPOSE: A film forming device is provided to execute plasma treatment for a circuit board and to laminate reactant on the circuit board by supplying treatment gas. CONSTITUTION: A rotation table is installed within a vacuum container to rotate a circuit board loading area. A first treatment gas supply unit (31) supplies first treatment gas to a first treatment area (P1). A second treatment gas supply unit (32) supplies first treatment gas to a first treatment area (P2). A first plasma treatment unit executes plasma treatment for a circuit board in a second treatment area. A dissociation gas supply unit (41, 42) supplies dissociation gas to dissociation area (D1, D2).
Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，用于对电路板执行等离子体处理，并通过供应处理气体将反应物层压在电路板上。 构成：旋转台安装在真空容器内以旋转电路板装载区域。 第一处理气体供给单元（31）将第一处理气体供给到第一处理区域（P1）。 第二处理气体供给单元（32）将第一处理气体供给到第一处理区域（P2）。 第一等离子体处理单元对第二处理区域中的电路板执行等离子体处理。 离解气体供给单元（41,42）向解离区域（D1，D2）供给解离气体。
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公开(公告)号：KR1020130085008A
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020130005499
申请日：2013-01-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/458 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/45591
Abstract: 성막장치는, 진공용기내에서서로반응하는복수종류의처리가스를순서대로공급하는사이클을복수회행하여박막을형성한다. 상기성막장치는, 상기진공용기내에설치되고, 기판을적재하는기판적재영역이그 상면에형성되는동시에, 이기판적재영역을공전시키기위한회전테이블과, 이회전테이블의주위방향으로서로이격된처리영역에대해서로다른처리가스를각각공급하기위한복수의처리가스공급부와, 각처리영역의분위기를분리하기위해, 각처리영역의사이에형성된분리영역에대해분리가스를공급하는분리가스공급부와, 상기진공용기내의분위기를진공배기하기위한배기구를구비한다. 상기처리가스공급부중 적어도하나의처리가스공급부는, 상기회전테이블의중앙부로부터주연부를향해신장되는동시에, 상기회전테이블을향해처리가스를토출하는가스토출구가그 길이방향을따라형성된가스노즐로서구성되고, 상기가스노즐에있어서의상기회전테이블의회전방향의상류측및 하류측에는, 당해가스노즐로부터토출된처리가스의희박화를억제하기위해분리가스가그 상면측을흐르도록, 당해가스노즐의길이방향을따라정류판이설치되고, 상기가스노즐및 상기정류판의상방측에는, 분리가스가통류하는통류공간이형성되고, 상기정류판에있어서의회전테이블의외주측의테두리부는, 상기정류판의하방측의처리가스가회전테이블의외측으로배출되는것을억제하기위해, 당해회전테이블의외주단부면과간극을두고대향하도록하방측으로굴곡된굴곡부로서구성되어있다.
Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，通过抑制在基板表面层叠反应产物的处理气体的流量来形成具有良好成膜速率的薄膜。 构成：真空容器（1）包括天花板（11）和容器主体（12）。 旋转台（2）由向垂直方向延伸的旋转轴（22）旋转。 处理气体供给部（31）将各不同的处理气体供给到从纺纱台的周向彼此分离的处理区域。 离解气体供给部分将解离气体供给到形成在每个处理区域之间的分离区域。 空气出口真空排出真空容器内的气氛。 （标号）（AA）含Si气体; （BB，CC，EE）N_2气体
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公开(公告)号：KR1020130038161A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：KR1020120110547
申请日：2012-10-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/507 , H01J37/321 , H01J37/3211
Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus and a substrate processing apparatus are provided to successively supply multiple types of process gas to a substrate and to perform a plasma process for uniformly processing the substrate at the same time. CONSTITUTION: A plasma generation part includes an antenna(44), a faraday shield(51), an insulating member(59), and a housing. The faraday shield is installed in the recess part(64) of the housing. The faraday shield includes a lower plate and a vertical plate(53). Slits(55) are formed in the lower plate of the faraday shield. The antenna changes gas for generating plasma into plasma by an induction coupling method. The antenna faces the substrate mounting surface of a rotation table(2).
Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置和基板处理装置，以连续地向基板供给多种处理气体，并且同时执行用于均匀地处理基板的等离子体处理。 构成：等离子体产生部件包括天线（44），法拉第屏蔽（51），绝缘构件（59）和壳体。 法拉第屏蔽件安装在壳体的凹部（64）中。 法拉第屏蔽包括下板和垂直板（53）。 狭缝（55）形成在法拉第屏蔽的下板中。 天线通过感应耦合方法改变产生等离子体的气体。 天线面向旋转台（2）的基板安装表面。
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公开(公告)号：KR102119299B1
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：KR1020170061604
申请日：2017-05-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 미우라시게히로
IPC: H01L21/02 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01J37/32
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公开(公告)号：KR101922757B1
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：KR1020150067219
申请日：2015-05-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45534 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/507 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32779 , H01J37/32834 , H01L21/0228 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/68764
Abstract: 소정의플라즈마처리영역내에처리가스를공급하여, 플라즈마발생영역에서상기처리가스를플라즈마화해서기판(W) 상에형성된막에플라즈마처리를실시하는플라즈마처리방법이다. 기판상에형성된막의플라즈마처리에의한면내처리량의분포가취득된다. 이어서, 취득한상기면내처리량의분포에기초하여, 상기플라즈마처리의처리량을증가시키고싶은영역에공급하는상기처리가스의유속이상대적으로높아지거나, 또는상기플라즈마처리의처리량을감소시키고싶은영역에공급하는상기처리가스의유속이상대적으로낮아지도록상기처리가스의유속이조정된다. 그리고, 유속이조정된상기처리가스를상기소정의플라즈마처리영역내에공급하여, 상기기판상에형성된막에상기플라즈마처리가실시된다.
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