公开(公告)号：KR1020150098203A

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：KR1020150022365

申请日：2015-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미우라시게히로 ,  가토히토시 ,  사토준 ,  고바야시다케시 ,  요네자와마사토

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32532 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/205

Abstract: 본 발명은 소정의 출력을 갖는 제1 고주파 전력을 전극에 공급해서 플라즈마를 발생시키고, 피처리체(W)에 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치의 운전 방법이며, 상기 플라즈마 처리 장치의 전회의 운전 종료로부터의 시간 간격이 소정 간격을 초과했을 때에, 상기 소정의 출력보다도 작은 출력을 갖는 제2 고주파 전력을 상기 전극에 공급하는 전하 축적 공정을 행하고 나서 상기 플라즈마 처리를 행한다.

Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置的操作方法，其将具有设定输出的第一高频功率提供给电极以产生等离子体，并且对目标体（W）执行等离子体处理。 当在等离子体处理装置的先前操作结束之后经过设定的时间段时，执行向电极提供具有小于设定输出的输出的第二高频功率的电荷累积处理，然后执行等离子体处理。

公开(公告)号：KR101368768B1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：KR1020100116853

申请日：2010-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠나가마사노부 ,  스즈키케이스케 ,  장재혁 ,  초우파오화 ,  요네자와마사토 ,  하세가와마사유키 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: 성막 방법은, 진공 보지(保持; holding) 가능한 처리 용기 내에 수납된 피(被)처리체의 온도를 150∼550℃로 하여, 제1 공급 공정 및 제2 공급 공정을 교대로 포함하는 사이클을 복수회 반복하여, 상기 피처리체 상에 실리콘 질화막을 형성한다. 상기 제1 공급 공정에서는 압력을 66.65∼666.5Pa로 설정한 상기 처리 용기 내로 Si 소스로서의 모노클로로실란 가스를 공급한다. 상기 제2 공급 공정에서는 질화 가스로서의 질소 함유 가스를 상기 처리 용기 내로 공급한다.

公开(公告)号：KR1020150052784A

公开(公告)日：2015-05-14

申请号：KR1020140151167

申请日：2014-11-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  기쿠치히로유키 ,  요네자와마사토 ,  사토준 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02211 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/505 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31138

Abstract: 천장판을포함하는진공용기와, 상기진공용기내에회전가능하게설치된회전테이블과, 상기회전테이블에대치된기판의표면에흡착되는제1 처리가스를공급하는제1 처리가스공급수단과, 상기제1 처리가스공급수단으로부터상기회전테이블의주위방향으로이격된위치에설치되고, 상기기판의표면에플라즈마처리용가스를공급하는플라즈마처리용가스공급수단과, 상기제1 처리가스와상기플라즈마처리용가스를분리하는분리가스를공급하는분리가스공급수단과, 상기플라즈마처리용가스를플라즈마화하는플라즈마발생수단과, 상기플라즈마발생수단및 상기회전테이블중 적어도한쪽을승강시키는승강기구를갖는기판처리장치.

Abstract translation: 本发明公开了一种基板处理装置，包括：具有屋顶板的真空容器; 可旋转地安装在真空容器内的旋转台; 第一处理气体供给装置，用于提供吸附在位于旋转台上的基板的表面上的第一处理气体; 等离子体处理气体供给装置，其安装成在旋转台的径向方向与第一处理气体供给装置分离，以将等离子体处理气体提供到基板的表面上; 分离气体供给装置，用于供应分离第一处理气体和等离子体处理气体的分离气体; 等离子体产生装置，用于从等离子体处理气体产生等离子体; 以及用于提升等离子体产生装置和旋转台中的至少一个的提升装置。

公开(公告)号：KR101356445B1

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：KR1020100116850

申请日：2010-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠나가마사노부 ,  초우파오화 ,  요네자와마사토 ,  하세가와마사유키 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546

Abstract: 종형 성막 장치의 사용 방법은, 제품용 피(被)처리체가 존재하지 않는 상태의 처리 용기 내에서 처리 용기의 내벽을 코팅막으로 피복하는 코팅 처리를 행하고, 다음으로 제품용 피처리체를 보지(保持; holding)한 상태의 보지 부재가 수납된 처리 용기 내에서 제품용 피처리체 상에 소정의 막을 형성하는 성막 처리를 행한다. 코팅 처리에서는, 처리 용기 내에 제1 및 제2 처리 가스를 교대로, 또한 모두 플라즈마화하지 않고 공급한다. 성막 처리에서는, 처리 용기 내에 제1 및 제2 처리 가스를 교대로, 또한 이들의 적어도 한쪽을 플라즈마 생성계에 의해 플라즈마화하면서 공급한다.

公开(公告)号：KR1020110059539A

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：KR1020100116850

申请日：2010-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠나가마사노부 ,  초우파오화 ,  요네자와마사토 ,  하세가와마사유키 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546

Abstract: PURPOSE: A vertical film forming device, a using method thereof, and a storage medium are provided to reduce the Na density of SiN product layer by trapping Na in a coating layer by Cl. CONSTITUTION: A coating layer is coated on the inner wall of a process container(1). A holding member with a process agent forms a preset film on a target in the process container. First and second process gas is supplied to the process container without a plasma process in a coating process. The first and second process gas is supplied to the process container with a plasma process in a film forming process.

Abstract translation: 目的：提供垂直成膜装置及其使用方法和存储介质，以通过Cl将Na吸收在涂层中来降低SiN产物层的Na密度。 构成：将涂层涂覆在处理容器（1）的内壁上。 具有加工剂的保持构件在处理容器中的靶上形成预设膜。 在涂布过程中，没有等离子体处理，将第一和第二工艺气体供给到处理容器。 第一和第二处理气体在成膜过程中以等离子体处理方式供应给处理容器。

公开(公告)号：KR101862905B1

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：KR1020150022365

申请日：2015-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미우라시게히로 ,  가토히토시 ,  사토준 ,  고바야시다케시 ,  요네자와마사토

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32532 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/334

Abstract: 본발명은소정의출력을갖는제1 고주파전력을전극에공급해서플라즈마를발생시키고, 피처리체(W)에플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치의운전방법이며, 상기플라즈마처리장치의전회의운전종료로부터의시간간격이소정간격을초과했을때에, 상기소정의출력보다도작은출력을갖는제2 고주파전력을상기전극에공급하는전하축적공정을행하고나서상기플라즈마처리를행한다.

公开(公告)号：KR1020110059540A

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：KR1020100116853

申请日：2010-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠나가마사노부 ,  스즈키케이스케 ,  장재혁 ,  초우파오화 ,  요네자와마사토 ,  하세가와마사유키 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: PURPOSE: A method and device for forming a film and a storage medium are provided to form an SiN layer by an ALD at 150 to 550 degrees centigrade. CONSTITUTION: A target is received in a process container(1). The temperature of the target is 150 to 550 degrees centigrade. A silicon nitrification layer is formed on the target by repeating a first supply process and a second supply process. MCS gas is supplied to the process container of 66.65 to 666.5 Pa as a Si source. Nitrogen containing gas is supplied to the process container as nitrification gas.

Abstract translation: 目的：提供用于形成膜和存储介质的方法和装置，以通过ALD在150至550摄氏度下形成SiN层。 构成：在过程容器（1）中接收目标。 目标温度为150至550摄氏度。 通过重复第一供给处理和第二供给处理，在目标物上形成硅硝化层。 作为Si源，将MCS气体供给66.65〜666.5Pa的处理容器。 将含氮气体作为硝化气体供给到处理容器。