Abstract:
기판처리장치는, 복수의 기판을 수납한 카세트가 출입하는 카세트스테이션과, 이 카세트스테이션에 설치되어, 카세트로부터 기판을 꺼내고, 카세트에 기판을 넣는 서브반송아암기구와, 카세트 스테이션에서 받아들인 복수의 기판을 동시에 병행처리하는 처리스테이션을 구비하며, 상기 처리스테이션은, 카세트스테이션에 인접하여 설치되어, 기판을 처리하는 복수의 제 1 처리유니트를 가진 전단(前段)의 스테이션블록과, 이 전단의 스테이션블록에 설치되어, 서브반송아암기구와의 사이에서 기판을 받아넘기고, 제 1 처리유니트에 기판을 출입시키는 제 1 주반송아암기구와, 전단의 스테이션블록에 인접하여 설치되어, 기판을 처리하는 복수의 제 2 처리유니트를 갖는 후단(後段)의 스테이션블록과, 이 후단의 스테이션블록에 설치되어, 제 1 주반송아� ��기구와의 사이에서 기판을 받아넘기고, 제 2 처리유니트에 기판을 출입시키는 제 2 주반송아암기구를 구비하며, 복수의 제 1 처리유니트와 제 1 주반송아암기구의 상대적인 위치관계와, 복수의 제 2 처리유니트와 제 2 주반송아암기구의 상대적인 위치관계는 실질적으로 동일하고, 또한 제 1 주반송아암기구는 후단의 스테이션블록에 속하는 제 2 처리유니트의 적어도 하나에도 기판을 직접 출입시킬 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A device for processing a substrate is provided to perform a processing of a photo lithography process for the substrate such as a glass substrate for a semiconductor wafer or an LCD. CONSTITUTION: A cassette station(S1), a processing station(S2), an interface station(S3) and an exposing unit(S4) are arranged serially according to an Y shaft. Each station(S1,S2,S3,S4) is equipped each arm device(22,5A,5C,23) for returning a semiconductor wafer(W). The cassette station(S1) is equipped a cassette stage(21) and a first sub-returning arm device(22). Four cassettes(C1) are placed on the cassette stage(21). The first sub-returning arm device(22) is equipped a wafer holder(22a), a driving device of movement, an elevating device and a theta rotating device, and brings the wafer in a transferring and receiving unit of the processing station(S2) by taking out the wafer from the cassette(C1) on the stage(21). The processing station(S2) is equipped three station blocks(B1,B2,B3).
Abstract:
PURPOSE: A device for supplying a treating liquid is provided to continuously adjust the temperature of the treating liquid flowing through a treating liquid supplying pipe. CONSTITUTION: A developing liquid supplying device(2) is connected to a developing device(1). Herein, the developing device includes; a nozzle unit(4) for supplying a developing liquid(treating liquid) onto the surface of a semiconductor wafer(treated target substrate)(3); and a spin chuck apparatus(5) for maintaining the wafer by using a vacuum absorption while rotating the semiconductor wafer. Therefore, the semiconductor wafer is rotated by the spin chuck apparatus for dispersing the supplied developing liquid on the surface of the semiconductor wafer, and the developing liquid is supplied evenly on the whole surface of the semiconductor wafer.
Abstract:
본 발명은, 피처리체에 처리액을 공급하여 레지스트 처리를 행하는 레지스트 처리장치로서, 피처리체에 처리액을 공급하는 처리액공급노즐과, 이 처리액 공급노즐에 처리액을 송출하는 처리액 송출수단과, 이 처리액 송출수단과 상기 처리액 공급노즐의 사이에 설치된 처리액 유로와, 이 처리액 유로의 도중에 설치되어 처리액을 탈기하는 처리액 탈기기구를 구비하고, 처리액 탈기기구는, 밀폐용기와, 밀폐용기내에 처리액을 도입하는 도입구와, 밀폐용기내에 설치된 기액분리기능을 가진 부재와, 밀폐용기내를 배기함에 의해, 기액분리기능을 가진 부재를 통해서 상기 처리액을 탈기하여 처리액으로부터 기체를 분리하는 배기수단과, 상기 기액분리기능을 가진 부재에 의해서 기체가 분리된 처리액을 상기 처리액 공급노즐을 향해 송출하는 송출구� � 가진 레지스트 처리장치를 제공한다.
Abstract:
본 발명은 피처리체를 스핀척에 얹어서 피처리체 표면에 처리액을 도포하는 스피너형의 도포장치에 관한 것으로서, 컵(DC)내에서 기액분리를 실시하지 않고 컵으로부터 공통의 배출수단(122a)(122b)을 통하여 폐액과 배기가스 함께 저장수단(124a)(124b)에 보내어지고, 그 저장수단에서 폐액과 배기가스의 분리가 실시되며, 이에 따라 컵내에서 페액이 고체화하거나 막히는 일이 없어지고, 또 본 장치의 저장수단에서 항상 소정량의 저장수가 저장되어 있기 때문에 폐액의 액면에 미스트를 흡수시킬 수 있으며, 또한 저장수단내에서의 폐액의 고체화를 방지할 수 있으며, 또 장치가 정지하고 있을 때에도 열림정도 조정이 가능한 배기댐퍼에 의해 최소한의 배기가 실시되기 때문에 저장수단내에서 저장수를 응고시키는 일 없이 기화한 저장수를 적절히 배기할 있는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
처리제를 처리장치로 공급하는 장치는 액체 처리제를 저장하는 탱크와 탱크속에 구비되어 나선형 관에 의해 형성되는 열교환기를 가지고 있다. 질소가스(N 2 가스)가 탱크 속으로 도입되어 액체 처리제를 증발시킨다. 물은 열교환기의 하부에 연결된 유체 도입관으로부터 열교환기의 나선형관을 통해 열교환기의 상부에 연결된 유체 배출관으로 공급된다. 열교환기에서 물과 액체 처리제 사이의 열교환은 매우 효율적으로 수행된다. 전기를 사용하지 않아 안정성이 매우 높다. 버블링 공정에 의해 기체상태로 변화되는 액체 처리제의 온도는 효율적으로 제어되며, 탱크속에서 기화된 처리제의 농도는 안정화된다.