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公开(公告)号：KR1019980024624A
公开(公告)日：1998-07-06
申请号：KR1019970047117
申请日：1997-09-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 현상액을 저류한 용기(1) 내에 가압가스를 도입하고, 가압가스에 의해 용기(1)로부터 공급라인(5a,5b)을 경유하여 노즐(12)로 처리액을 압송하며, 노즐(12)로부터 기판(W) 상으로 현상액을 공급하는 레지스트 처리방법에 있어서, (a) 기액분리막(64a) 및 진공배기라인(51)을 구비한 탈기기구(10a,10b)를 상기 공급라인(5a,5b)에 설치하는 공정과, (b) 용기 내에 가압가스를 도입하고, 가압가스에 의해 용기로부터 공급라인을 경유하여 상기 기액분리막의 한쪽으로 처리액을 유통시키는 공정과, (c) 상기 진공배기라인(51)을 통하여 기액분리막의 다른쪽 분위기를 배기하여 기액분리막의 다른쪽 압력을 처리액의 포화증기압 이하의 압력으로 하며, 처리액 중에 존재하는 기체성분을 기액분리막의 한쪽에서 다른쪽으로 이동시켜, 이것에 의해 기판공급 전의 처리액으로부� � 기체성분을 제거하는 탈기공정과, (d) 상기 탈기기구로부터 노즐까지 사이의 공급라인(5a,5b)에 존재하는 처리액을 배출하고, 상기 탈기공정 (c)에서 탈기처리된 처리액을 탈기기구로부터 노즐까지 사이의 공급라인(5a,5b)으로 도입하는 처리액 치환공정과, (e) 탈기처리된 처리액을 노즐(12)로부터 기판으로 향하여 토출 공급하는 공정과, (f) 노즐(12)과 기판(W)을 상대적으로 회전시켜, 노즐과 기판 사이에 탈기처리된 처리액의 액막을 형성하는 공정을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1019960024699A
公开(公告)日：1996-07-20
申请号：KR1019950059477
申请日：1995-12-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/26
Abstract: 본 발명은, 피처리체에 처리액을 공급하여 레지스트 처리를 행하는 레지스트 처리장치로서, 피처리체에 처리액을 공급하는 처리액공급노즐과, 이 처리액 공급노즐에 처리액을 송출하는 처리액 송출수단과, 이 처리액 송출수단과 상기 처리액 공급 노즐 사이에 설치된 처리액유로와, 이 처리액유로의 도중에 설치되어 처리액을 탈기하는 처리액 탈기기구를 구비하고, 처리액 탈기기구는, 밀폐용기와, 밀폐용기내에 처리액을 도입하는 도입구와, 밀폐용기내에 설치된 기액분리기능을 가진 부재와, 밀폐용기내를 배기함에 의해, 기액분리기능을 가진 부재를 통해서 상기 처리액을 탈기하여 처리액으로부터 기체를 분리하는 배기수단과, 상기 기액분리기능을 가진 부재에 의해서 기체가 분리된 처리액을 상기 처리액 공급노즐을 향해 송출하는 송출구를 진 레지스트처리장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1019920007115A
公开(公告)日：1992-04-28
申请号：KR1019910016059
申请日：1991-09-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바 , 도꾜일렉트론큐슈리미티드
IPC: H01L21/31
Abstract: 내용 없음
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公开(公告)号：KR100230753B1
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019920000821
申请日：1992-01-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바 , 도꾜일렉트론큐슈리미티드
IPC: H01L21/20
CPC classification number: B05C5/001 , B05C5/0208 , B05C5/027 , B05C11/08 , G03F7/162 , Y10S134/902
Abstract: 본 발명에 관한 액도포 시스템은 액 공급원과, 이 액 공급원에 연통하는 인렛 및 실질적으로 선형인 액토출부를 갖는 노즐과, 액공급원에서 노즐 수단으로 향하여 가압가스에 의해 액을 압송하는 압송유닛과, 반도체웨이퍼를 재치 고정하는 스핀 척과, 노즐의 액토출부를 스핀척상의 웨이퍼에 근접대면시키는 승강실린더와, 스핀척을 회전시키는 회전기구를 구비한다. 노즐은 액 공급원에서 공급된 액이 모이는 액 저장부와, 상기 액 저장부에 연통하는 다수의 가는 구멍을 가진다. 또한, 노즐의 인렛과 액공급원과의 사이의 연통로에 형성되고, 액저장부로의 압송액의 압력을 줄이는 공기 조작밸브를 가진다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100209564B1
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019910016059
申请日：1991-09-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바 , 도꾜일렉트론큐슈리미티드
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67173 , B05C5/005 , H01L21/6715
Abstract: 본 발명에 따른 액 도포 시스템은 액 공급원(13,14)과, 액 공급원(13,14)에 연통하는 노즐(8,30)을 구비한다. 노즐(8,30)은 액공급원(13,14)으로 부터 공급된 액이 모이는 액저장부(21)와, 액저장부(21)에 연통되고, 각 횡단면이 액저장부(21)보다 각각 작은 복수의 세관(22)과, 세관(22)의 각각에 연통되고, 세관(22)으로부터의 액의 흐름을 합류시키고, 반도체 웨이퍼(W)로 향하여 액을 연속적이며 또한 커튼 형상으로 토출하는 슬릿통로(24)를 가진다.
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公开(公告)号：KR100379648B1
公开(公告)日：2003-08-02
申请号：KR1019970047117
申请日：1997-09-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/3021 , B05D1/005 , B05D3/002 , G03F7/16
Abstract: A resist processing method for introducing a pressurized gas into a vessel 1 storing a processing solution, sending the processing solution from the vessel 1 to a nozzle 12 by way of a supply line by means of the pressurized gas, and supplying the processing solution from the nozzle 12 to a substrate W, the method comprising the steps of (a) providing a deaeration mechanism (10a, 10b) to the supply line, the deaeration mechanism having a gas-liquid separation membrane 64a and a vacuum evacuation line (51 - 53), (b) introducing the pressurized gas into the vessel to send out a processing solution from the vessel into one side portion of the gas-liquid separation membrane through the supply line, (c) evacuating the other side portion of the gas-liquid separation membrane through the vacuum evacuation line 51 to set the pressure of the other side portion of the gas-liquid separation membrane within a saturated vapor pressure of the processing solution, permitting a liquid component dissolved in the processing solution to migrate from the one side portion to the other side portion, thereby removing a gaseous component from the processing solution before the solution is supplied to a substrate (deaeration step), (d) discharging the processing solution present in the supply line between the deaeration mechanism and the nozzle, and introducing the processing solution deaerated in the deaeration step into the supply line between the deaeration mechanism and the nozzle, (e) supplying the deaerated processing solution to the substrate by expelling the deaerated processing solution from the nozzle 12, and (f) rotating the substrate relative to the nozzle to form a liquid film of the deaerated processing solution between the nozzle 12 and the substrate.
Abstract translation: 一种抗蚀剂处理方法，用于将加压气体引入容纳处理溶液的容器1中，通过加压气体通过供给管线将处理溶液从容器1输送到喷嘴12，并且将处理溶液从 （a）向供给管线设置脱气机构（10a，10b）的步骤，脱气机构具有气液分离膜64a和真空排气线路51-53 ），（b）将加压气体导入容器，通过供给管路将处理液从容器送出到气液分离膜的一侧部，（c）将气液的另一侧部分排气 通过真空排气管线51将气液分离膜的另一侧部分的压力设定在处理液的饱和蒸气压以内，使液体成分溶解 （d）将处理溶液中存在的处理溶液排出到处理溶液中以从一侧部分迁移到另一侧部分，从而在将溶液供给到基板之前从处理溶液中除去气体成分（脱气步骤），（d） 在所述脱气机构与所述喷嘴之间供给所述脱气处理液，并将脱气工序中脱气后的所述处理液导入所述脱气机构与所述喷嘴之间的供给管路中，（e）将所述脱气处理液从所述脱气处理液中排出， （f）使基板相对于喷嘴旋转，在喷嘴12与基板之间形成脱气后的处理液的液膜。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR100196047B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950059477
申请日：1995-12-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/26
CPC classification number: B01D19/0031 , G03F7/162
Abstract: 본 발명은, 피처리체에 처리액을 공급하여 레지스트 처리를 행하는 레지스트 처리장치로서, 피처리체에 처리액을 공급하는 처리액공급노즐과, 이 처리액 공급노즐에 처리액을 송출하는 처리액 송출수단과, 이 처리액 송출수단과 상기 처리액 공급노즐의 사이에 설치된 처리액 유로와, 이 처리액 유로의 도중에 설치되어 처리액을 탈기하는 처리액 탈기기구를 구비하고, 처리액 탈기기구는, 밀폐용기와, 밀폐용기내에 처리액을 도입하는 도입구와, 밀폐용기내에 설치된 기액분리기능을 가진 부재와, 밀폐용기내를 배기함에 의해, 기액분리기능을 가진 부재를 통해서 상기 처리액을 탈기하여 처리액으로부터 기체를 분리하는 배기수단과, 상기 기액분리기능을 가진 부재에 의해서 기체가 분리된 처리액을 상기 처리액 공급노즐을 향해 송출하는 송출구� � 가진 레지스트 처리장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1019970063423A
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：KR1019970003015
申请日：1997-01-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
막형성방법 및 막형성장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
처리액이 사용량이 적어도 되며, 또한 균일한 두께의 액막을 형성하는 것이 가능한 막형성방법 및 막형성장치와, 1종류 처리액의 점도를 조정하므로써, 다른 종류의 막두께의 액막을 형성하는 것을 가능하게 하는 막형성장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
스핀척으로 유지된 반도체 웨이퍼 표면에 용제공급노즐로부터 레지스트액의 용제를 방울져 떨어뜨린다. 이어서, 스핀척으로 반도체 웨이퍼를 회전시켜서 반도체 웨이퍼(W)의 표면전체에 레지스트액을 확산시킨다. 이와 동시에, 반도체 웨이퍼(W)에 레지스트액 공급노즐로부터 레지스트액을 적하하고 용제에 추종시켜서 확산시킨다. 이 때에, 처리용기의 덮개체를 닫고 처리공간을 외부공기와 차단함과 동시에 처리공간 내에 안개형상의 용제를 공급한다. 이에 의해 처리공간내는 안개형상의 용제로 충만된다. 용제가 공급된 처리공간 내에서는 레지스트액 중의 용제의 증발이 억제된다. 그리고, 레지스트액이 반도체 웨이퍼(W)의 둘레부까지 균일한 막두께로 도포된다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 제조프로세스중의 포토리소그래피공정에 있어서, 레지스트막을 도포하는데 사용함.-
公开(公告)号：KR1019920015456A
公开(公告)日：1992-08-26
申请号：KR1019920000821
申请日：1992-01-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바 , 도꾜일렉트론큐슈리미티드
IPC: H01L21/20
Abstract: 내용 없음
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