Abstract:
비휘발성 기억 소자 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 소자는 기판 상에 제1 절연막을 개재하여 배치된 제어 게이트 전극, 및 제어 게이트 전극 및 제1 절연막을 관통하여 기판을 노출시키는 홀 내에 배치된 플로팅 게이트를 포함한다. 플로팅 게이트와 기판 사이, 및 플로팅 게이트와 제어 게이트 전극 사이에 제2 절연막이 개재된다.
Abstract:
반도체 제조 설비용 전극 간격 조정 장치가 제공된다. 반도체 제조 설비용 전극 간격 조정 장치는, 핸들부, 반도체 제조 설비의 전극 간격 조정용 회전 레버와 대응 체결되며 사용자에 의한 핸들부의 조작에 따라 회전 레버를 조절하여 반도체 제조 설비의 전극을 이동시키는 헤드부, 헤드부의 동작에 대응되는 전극의 이동 거리를 산출하는 신호처리부 및 신호처리부에 의해 산출된 전극의 이동 거리 정보를 디스플레이 하는 디스플레이부를 포함한다. 전극, 간격, 조정, 렌치, 상부 전극, 하부 전극, 건식 식각, 레인보우 설비
Abstract:
측정용 패턴을 개선하여 측정의 신뢰도를 향상시킬 수 있는 측정용 패턴을 구비하는 반도체장치 및 이를 이용한 반도체장치의 측정방법이 개시된다. 본 발명에 따른 측정용 패턴을 구비하는 반도체장치는, 반도체 집적회로가 형성되는 칩영역과 상기 칩영역을 둘러싸는 스크라이브영역을 포함하는 반도체기판; 상기 스크라이브영역 내의 상기 반도체기판의 표면에 빈 공간의 형태로 형성되며, 계측설비의 측정용 빔이 투사되는 빔영역이 포함될 수 있도록 일정한 표면 단면적을 갖는 측정용 패턴; 및 상기 측정용 패턴의 내부에, 상기 측정용 패턴의 빈 공간의 표면 단면적을 감소, 예를 들어 빔영역의 표면 단면적 대비 더미 패턴의 표면 단면적의 비율이 5% 내지 15%가 될 수 있도록 더미 패턴을 포함한다.
Abstract:
본 발명은 저전압용 비휘발성 메모리 장치에 관한 것으로서, 특히 커패시터 영역에 대응하는 소자 분리영역 상부의 제 1 도전층 측벽에 상기 제 1 도전층과 동일한 막질로 형성된 스페이서와, 상기 스페이서와 제 1 도전층 하부의 소자 분리영역 내에 형성된 반타원형 홈을 포함하면서 상기 결과물 전면에 형성된 절연막 및 상기 홈을 채우면서 상기 절연막 상부면에 형성된 제 2 도전층으로 이루어진 커패시터를 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명은 대용량의 커패시턴스를 확보할 수 있기 때문에 상기 장치에 공급되는 전압 크기를 저전압으로 낮출 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for forming a split gate electrode of an NVM(non-volatile memory) device is provided to make a gate oxide layer under a control gate of a split gate electrode have a withstand voltage with respect to a high voltage applied to the control gate and make the oxide layer in contact with a control gate sidewall smoothen a tunneling effect of electrons by making the oxide layers existing between the control gate and a floating gate and under the control gate have different thicknesses. CONSTITUTION: After a nitride layer pattern selectively exposing a polysilicon layer is formed, a spacer oxide layer with a uniform thickness is formed. An etch-back process is performed to form a spacer and a split polysilicon layer pattern and a source line is formed in the opening of the nitride layer pattern. After the exposed nitride layer pattern and the exposed polysilicon layer pattern are etched to form a split floating gate, the gate oxide layer existing in a region except the split floating gate is etched to a degree that a substrate(100) is not exposed. The second gate oxide layer with a uniform thickness is formed on the resultant structure.
Abstract:
A camera lens mounting device of a folder-type telephone is disclosed. In the folder-type telephone including a body housing, a folder, and hinge means for rotatably connecting the body housing to the folder, the camera lens mounting device comprises hinge arms and a guide arm, which are integrally formed on a hinge axis of the body housing, and a camera lens assembly installed between the guide arm and one of the hinge arms so that a camera lens housing rotates within a designated angle, and the camera lens housing includes a camera lens assembly, a connector, and a rotating handle grip.
Abstract:
PURPOSE: A camera lens assembly of a portable wireless terminal is provided to support a rotational axis on both sides of a lens housing, and to install a rotation stopping unit, then to sequentially array the lens housing, fixing plates, and rotative plates, thereby stably maintaining a fixed state and realizing an easy assembling. CONSTITUTION: A terminal(400) comprises as follows. Side hinge arms(415) are formed on both sides of a body(401). Center hinge arms(425) are coupled between the side hinge arms(415). An opening(405) is disposed in the middle of the center hinge arms(425). Hinge holes(427) are extended from both sections of the center hinge arms(425). A piercing hole(429) connects the opening(405) with the hinge holes(427). A camera lens assembly comprises as follows. A lens housing(501) is coupled with the opening(405). Fixing grooves are recessed. Fixing plates(502) are coupled with the fixing grooves, and are interposed between a section of the lens housing(501) and a section of the opening(405). Rotative plates(503) are received in the hinge holes(427). Screws(591) bind the rotative plates(503) with the fixing plates(502).
Abstract:
PURPOSE: A portable terminal supplying a stereo sound is provided to install a side section in order to prevent sounds outputted from speaker devices from interfering with each other, and to fill a space between the speaker devices with a rubber material, then to comprise openings on speaker covers, thereby transmitting outputs of the speaker devices to a user. CONSTITUTION: One pair of stereo speaker devices are mounted on one pair of side hinge arms(15a,15b), respectively, and emit sounds in a direction of a hinge axis(A). Speaker covers(32,34) are faced with the one pair of stereo speaker devices toward the direction of the hinge axis(A), and form at least more than one opening that exposes the speaker devices. The speaker covers(32,34) are fixed by the first screw and the second screw, and cover sides of the side hinge arms(15a,15b). The first screw is coupled in the direction of the hinge axis(A). The second screw is coupled with the hinge axis(A) in vertical direction from an upper end of a body.
Abstract:
PURPOSE: A method for fabricating a non-volatile semiconductor memory device is provided to realize a formation of a floating gate having minute patterns. CONSTITUTION: A gate insulating layer(14) is grown in an active region of a silicon substrate(1), and a polysilicon layer(15) for a floating gate is stacked thereon. A nitride pattern(16) is then formed on a portion of the polysilicon layer(15) where the floating gate is not to be formed. Next, a nitride spacer(18) is formed on a sidewall of the nitride pattern(16), and an oxide layer(19) is then formed on a portion of the polysilicon layer(15) where the floating gate is to be formed. Here, the nitride spacer(18) is used as an oxidation mask during a formation of the oxide layer(19), preventing a lateral extension of a bird's beak of the oxide layer(19). Thereafter, the polysilicon layer(15) is etched by using the oxide layer(19) as an etch mask, so that a pattern of the floating gate is formed.