公开(公告)号：KR1020020019650A

公开(公告)日：2002-03-13

申请号：KR1020000052610

申请日：2000-09-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남재우 ,  곽규환

IPC: H01L21/321

Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal pattern of a semiconductor device is provided to prevent generation of an inferior metal pattern generated from a photoresist removal process. CONSTITUTION: An insulating layer(210) having an opening is formed on a semiconductor substrate(200). A Ti layer is formed on the semiconductor substrate(200). A TiN layer is formed thereon. A metal layer is formed by using a metal such as Al, W, Ti, and TiN. A photoresist is applied thereon. A photoresist pattern is formed by performing a photo etch process. The etch process is performed by using the photoresist pattern as an etch mask. The photoresist pattern is removed by performing an ashing process. A metal pattern(220) including a Ti pattern(221a), a TiN pattern(222a), and a metal layer pattern(223a) is formed by performing a cleaning process.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的金属图案的方法，以防止由光致抗蚀剂去除工艺产生的劣质金属图案的产生。 构成：在半导体衬底（200）上形成具有开口的绝缘层（210）。 在半导体衬底（200）上形成Ti层。 在其上形成TiN层。 通过使用诸如Al，W，Ti和TiN的金属形成金属层。 在其上施加光致抗蚀剂。 通过进行光蚀刻工艺形成光致抗蚀剂图案。 通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来执行蚀刻工艺。 通过灰化处理去除光致抗蚀剂图案。 通过执行清洁处理，形成包括Ti图案（221a），TiN图案（222a）和金属层图案（223a）的金属图案（220）。

公开(公告)号：KR100144905B1

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019950007592

申请日：1995-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남재우 ,  전재범 ,  유성준

IPC: H01L21/304

Abstract: 금속 배선층 형성시 발생되는 유기물 및 다중합체 부산물과 파티클을 금속 배선층의 손상없이 제거할 수 있는 반도체 기판 세정방법 및 이에 사용되는 세정액에 관한 것이다. 본 발명은 암모니아 수용액, 메탄올 또는 이소프로필 알콜 및 물을 혼합한 세정액으로 반도체 기판을 세정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 암모니아 수용액, 메탄올 또는 이소프로필 알콜 및 물을 혼합한 것을 특징으로 하는 세정액을 제공한다. 본 발명에 의하면, 금속 배선층의 형성시 발생되는 유기물, 다중합체 및 파티클을 금속 배선층의 손상없이 제거할 수 있어 고집적화된 디바이스의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019980028655A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960047793

申请日：1996-10-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남재우

IPC: H01L21/304

Abstract: 중합체 제거용 세정액 및 이를 사용하는 반도체소자의 제조방법이 개시되어 있다. 이 세정액은 TMAH(tetra methyl ammonium hydroxide) 수용액, 과산화수소 수용액, 및 탈이온수가 각각 소정의 부피비율로 혼합된 것을 특징으로 하며, 이를 사용하여 건식 식각된 도전막 패턴의 측벽에 생성된 중합체를 제거하면, 도전막 패턴의 측벽에 손상이 가해지는 현상을 방지할 수 있다. 이에 따라, 도전막 패턴의 측벽에 생성된 중합체를 완전히 제거시키면서 측벽에 손상이 가해지는 현상을 방지할 수 있으므로 수직한 측벽 프로파일을 갖는 양호한 도전막 패턴을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970052654A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052704

申请日：1995-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남재우

IPC: H01L21/304

公开(公告)号：KR1019970023610A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950035602

申请日：1995-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남창현 ,  남재우 ,  이현재 ,  이상호

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 반도체 제조공정에 사용되는 화학용액을 공급하는 반도제조장치에 관한 것으로, 특히 비율이 높은 화학용액의 혼합시 소량의 약액을 공정조 또는 혼합조에 정밀한 제어로 공급이 가능하도록 한 화학용액의 정량공급장치에 대한 것이다.
종래의 약액공급장치는 이러한 설비가 공간을 많이 차지할 뿐 아니라 다양한 비율을 요구하는 현재의 세정공정에 대처하기 어렵고, 정량을 조절할 수 없는 상태에서 자체적으로 보정할거나 제어할 수 있는 장비가 없어 후속세정공정에 막대한 영향을 미쳐왔었다.
본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로, 반도체 제조장비에 사용되는 화학용액을 공정조 또는 혼합조에 정량공급하기 위한 밸브를 구비한 약액중앙공급부(CCSS)을 구비하고 상기 약액중앙공급부와 밸브사이의 공급라인에 연결되는 유량감지수단과, 상기 유량감지부재에서 감지된 데이터를 입력받아 상기 밸브를 제어하는 제어 신호를 출력하는 제어수단을 포함하여 약액의 정량공급과 다양한 비율에 대한 조절은 물론 정량공급의 에러에 대해 자체진단을 하여 보정할 수 있도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR102127784B1

公开(公告)日：2020-06-29

申请号：KR1020130067223

申请日：2013-06-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김은성 ,  남재우 ,  신철호

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：KR101853253B1

公开(公告)日：2018-05-02

申请号：KR1020110106014

申请日：2011-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김은성 ,  신철호 ,  이시용 ,  김경선 ,  남재우

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/20 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/2028 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40

Abstract: 본발명은생산수율을증대또는극대화할수 있는포토리소그래피방법을개시한다. 그의방법은, 활성영역및 에지영역을갖는웨이퍼상에포토레지스트를도포하는단계와, 상기에지영역의상기포토레지스트를자외선에에지노광하는단계와, 상기활성영역의상기포토레지스트를상기자외선에패턴노광하는단계와, 상기에지영역의상기포토레지스트에제 1 현상액을선택적으로제공하여상기에지영역에서상기포토레지스트를제거하는단계와, 상기활성영역의상기포토레지스트를제 2 현상액으로현상하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1019990009344A

公开(公告)日：1999-02-05

申请号：KR1019970031717

申请日：1997-07-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남재우

IPC: H01L21/304

Abstract: 반도체 기판의 세정 용액과 이를 이용한 세정 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 세정 용액은 테트라메틸 수산화 암모늄(tetramethyl ammonium hydroxide), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol) 및 잔여량의 탈이온수(deionized water)를 포함한다. 본 발명에 따른 세정 용액은 유기 잔류물등과 같은 오염물질과 포토레지스트 패턴을 동시에 효과적으로 제거하는 능력이 뛰어난 반면 도전막에는 손상을 가하지 않는다.

公开(公告)号：KR1019980068785A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019970005567

申请日：1997-02-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남재우

IPC: H01L21/302

Abstract: 웨이퍼 세정용 캐리어를 개시하고 있다. 이는, 웨이퍼의 제1 면과 접촉되는 제1 판; 상기 제1 면과 대칭되는 제2 면과 접촉되는 제2 판; 및 상기 제1 판 및 제2 판을 고정할 수 있는 결합체로 구성되며, 상기 결합체는 상기 제1 판 또는 제2 판의 회전이 가능하도록 홈 및 운동축으로 이루어져 있는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 캐리어 내에 잔존하는 케미컬을 최소화하여 기판의 오염을 최소화하고, 웨이퍼가 케미컬에 닿는 면적을 최대로 할 수 있으므로, 케미컬이 웨이퍼에 제대로 닿지 않아서 막질이 세정되지 않거나 국부적 세정 현상을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR100147659B1

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019950025459

申请日：1995-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남재우

IPC: C11D1/20

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/02063

Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 세정액을 개시한다. 본 발명은 반도체 장치의 금속층 세정에 이용되는 세정액에 있어서, 상기 세정액은 암모니아수, 메탄올, 불산 및 순수로 구성되는것을 특징으로 하는 세정액을 제공한다. 본 발명에 의한 세정액은 단순히 각 용액을 혼합하는것만으로 제조가 가능하고, 세정하는 금속층을 식각 및 손상시키지 않으면서도 풀리머 및 불순물 입자를 제거할 수 있다. 따라서, 반도체장치의 세정 공정을 단순화시킬 수 있으며 수율 및 신뢰성을 항상시킬 수 있다.