公开(公告)号：KR100495007B1

公开(公告)日：2005-06-14

申请号：KR1020030009906

申请日：2003-02-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전찬봉 ,  최형 ,  정규동 ,  신규호 ,  문창렬 ,  이성희

IPC: H01L23/10

Abstract: 본 발명은 양극 접합이 가능하고, 접합 후에도 웨이퍼 굽힘현상이 발생하지 않는 실리콘 웨이퍼를 이용한 기판단위 진공실장방법에 관한 것이다. 이와 같은 기판단위 진공실장방법은 특정 기능을 수행하는 소자를 실리콘 웨이퍼(Si wafer) 상에 기판단위로 가공하는 소자웨이퍼 가공단계; 소자웨이퍼와 열팽창 계수가 동일한 실리콘 웨이퍼(Si wafer)를 이용하여 소자를 밀봉하는 뚜껑을 가공하는 밀봉뚜껑 가공단계; 밀봉뚜껑에 소디엄(sodium, Na)을 함유하는 산화(oxide)층을 형성하는 산화층 형성단계; 및 고진공 분위기에서 소자웨이퍼와 밀봉뚜껑을 양극 접합으로 접합하는 진공실장단계;를 포함한다. 이때, 밀봉뚜껑은 레이저나 ICP RIE 가공방법을 이용하여 관통홀을 가공하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020040074337A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：KR1020030009906

申请日：2003-02-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전찬봉 ,  최형 ,  정규동 ,  신규호 ,  문창렬 ,  이성희

IPC: H01L23/10

Abstract: PURPOSE: A wafer level vacuum packaging method using a silicon wafer is provided to adhere a device wafer and a sealing cover to each other by using an anodic bonding method. CONSTITUTION: A device wafer process is performed to process a device for performing a particular function on a silicon wafer in substrate units. A sealing cover process is performed to seal up the device by using the silicon wafer having the same thermal expansion coefficient as a device wafer(10). An oxide layer(33) including sodium is formed on a sealing cover(30). The device wafer and the sealing cover are adhered to each other under the high vacuum atmosphere by using an anodic bonding method.

Abstract translation: 目的：提供使用硅晶片的晶片级真空封装方法，通过使用阳极接合方法将器件晶片和密封盖彼此粘合。 构成：执行器件晶片工艺以处理用于在衬底单元中的硅晶片上执行特定功能的器件。 通过使用具有与装置晶片（10）相同的热膨胀系数的硅晶片来执行密封盖工艺以密封装置。 包含钠的氧化物层（33）形成在密封盖（30）上。 通过使用阳极接合方法，在高真空气氛下将器件晶片和密封盖彼此粘合。

公开(公告)号：KR2019990018000U

公开(公告)日：1999-06-05

申请号：KR2019970031185

申请日：1997-11-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문재호 ,  문창렬 ,  신규호

IPC: B41J2/135

Abstract: 본 고안은 잉크젯 프린터에 관한 것으로, 프린터 본체를 드럼형으로 형성하고, 그 내부에 노즐 헤드를 복수개 구비하는 카트리지를 회전가능하게 설치하여 프린팅 속도를 증대하도록 한 잉크젯 프린터에 관한 것이다.
이와 같은 본 고안은 용지가 투입 및 배출되는 드럼형 본체와, 잉크가 수납되어 상기 본체의 회전가능하게 설치되는 카트리지와, 상기 카트리지에 복수개 설치되어 본체의 내부로 투입되는 용지로 잉크를 분사하는 노즐 헤드를 포함하여 구성되어 노즐 헤드가 복수개이기 때문에 프린팅 속도가 현저하게 향상되는 효과가 있고, 제품의 사이즈를 혁신적으로 줄일 수 있어 휴대에 간편하여 특히 노트북 컴퓨터에 장착가능하도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR100165350B1

公开(公告)日：1999-02-18

申请号：KR1019950049284

申请日：1995-12-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문창렬

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68 ,  Y10S414/136 ,  Y10S414/141

Abstract: 본 발명은 본 반도체웨이퍼를 소정위치로 공급하기 위한 반도체웨이퍼 공급장치에 관한 것이다.
본 발명의 반도체웨이퍼 공급장치, 이송되는 반도체웨이퍼를 소정의 위치에서 정지시키기 위한 구조가 개선되어, 공급될 반도체웨이퍼의 규격이 변경되더라도 스토퍼를 일일이 작업자가 교체해줄 필요가 없게 되므로, 작업의 전자동화가 가능하며 반도체웨이퍼 취급환경을 청결하게 유지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970053292A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950049284

申请日：1995-12-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문창렬

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 본 반도체웨이퍼를 소정위치로 공급하기 위한 반도체웨이퍼 공급장치에 관한 것이다.
본 발명의 반도체웨이퍼 공급장치, 이송되는 반도체웨이퍼를 소정의 위치에서 정지시키기 위한 구조가 개선되어, 공급될 반도체웨이퍼의 규격이 변경되더라도 스토퍼를 일일이 작업자가 교체해줄 필요가 없게 되므로, 작업의 전자동화가 가능하며 반도체웨이퍼 취급환경을 청결하게 유지할 수 있다.

公开(公告)号：KR2019870006536U

公开(公告)日：1987-05-08

申请号：KR2019850014200

申请日：1985-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문창렬

IPC: B25J3/00

公开(公告)号：KR101946010B1

公开(公告)日：2019-02-08

申请号：KR1020120117914

申请日：2012-10-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  김연희 ,  문창렬 ,  박용영

IPC: H01L21/86

公开(公告)号：KR101946005B1

公开(公告)日：2019-02-08

申请号：KR1020120007797

申请日：2012-01-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이창승 ,  이주호 ,  김용성 ,  문창렬

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

公开(公告)号：KR101920718B1

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：KR1020120082239

申请日：2012-07-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이주호 ,  정용석 ,  김용성 ,  이창승 ,  문창렬

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66045 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/05 ,  C01B32/186 ,  C25B1/00 ,  C25B9/00 ,  C25D17/00 ,  C25F5/00 ,  C25F7/00

Abstract: 개시된그래핀소자제조장치는전극; 기판과, 상기기판상에형성된금속촉매층과, 상기금속촉매층상에형성된그래핀층과상기그래핀층위에형성된보호층을포함하는그래핀구조체; 상기전극과상기금속촉매층간에전압을인가하는전원부; 상기전극과상기그래핀구조체를수용하는수조; 상기수조를채우는전해질;을포함한다.

公开(公告)号：KR1020160020286A

公开(公告)日：2016-02-23

申请号：KR1020140105430

申请日：2014-08-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 주건모 ,  문창렬 ,  이성희 ,  황준식

IPC: H01L21/58

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/45099

Abstract: 기판본딩방법, 본딩구조체를포함하는반도체칩, 반도체칩을포함하는반도체소자, 반도체칩및 반도체소자의제조방법에관해개시되어있다. 개시된기판본딩방법은니켈(Ni)-주석(Sn) 본딩시스템에실버(Ag) 캡핍층을적용하여수행할수 있다. 이러한방법으로제조된본딩구조체는 Ag-Sn 화합물과 Ni-Sn 화합물을포함할수 있다.

Abstract translation: 公开了一种基板接合方法，包括接合结构的半导体芯片，包括半导体芯片的半导体器件，以及半导体芯片和半导体器件的制造方法。 公开的基板接合方法可以通过在Ni-Sn键合系统上施加Ag覆盖层来进行。 通过该方法制造的接合结构可以包括An-Sn化合物和Ni-Sn化合物。