公开(公告)号：KR1020130113180A

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：KR1020120035558

申请日：2012-04-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신동운 ,  김봉현 ,  김수민 ,  김효정 ,  박창민 ,  홍수진

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/308 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L21/0279 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76895

Abstract: PURPOSE: A method for forming a fine pattern of a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device using the same are provided to easily form the fine pattern by using a second mask pattern. CONSTITUTION: An etching target layer (210) is formed on a substrate. A first mask pattern is formed on the etching target layer. A second mask pattern (221) is formed by injecting ions into the first mask pattern. The etching target layer is etched by using the second mask pattern.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的精细图案的方法和使用其制造半导体器件的方法，以通过使用第二掩模图案容易地形成精细图案。 构成：在基板上形成蚀刻目标层（210）。 在蚀刻目标层上形成第一掩模图案。 通过将离子注入到第一掩模图案中形成第二掩模图案（221）。 通过使用第二掩模图案蚀刻蚀刻目标层。

公开(公告)号：KR1020130006744A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020110030993

申请日：2011-04-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허진석 ,  박창민 ,  오석환 ,  여정호

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/72

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B29C35/0805 ,  B29C2035/0827 ,  B29L2031/737 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0274 ,  G03F1/72 ,  H01L21/0337

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a mask and an operating method thereof are provided to easily manufacture a mask with a desirable shape by accurately correcting only the distorted design pattern. CONSTITUTION: A template(110) is installed on the upper side of a mask substrate(S). A polymer layer(P) is formed on the upper side of the mask substrate. A design pattern(112) is formed on the lower side of the template. A correction unit(120) is arranged on the upper side of the template. A pressing unit(130) is connected to the upper side of the correction unit. A hardening unit(140) hardens the mask pattern.

Abstract translation: 目的：提供一种制造掩模的方法及其操作方法，以通过精确地仅校正扭曲的设计图案来容易地制造具有期望形状的掩模。 构成：在掩模基板（S）的上侧安装有模板（110）。 聚合物层（P）形成在掩模基板的上侧。 在模板的下侧形成设计图案（112）。 校正单元（120）布置在模板的上侧。 按压单元（130）连接到校正单元的上侧。 硬化单元（140）使掩模图案硬化。

公开(公告)号：KR1020110092546A

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：KR1020100012022

申请日：2010-02-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정훈 ,  박창민 ,  신종찬 ,  여정호

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B29C59/022 ,  G03F7/70383

Abstract: PURPOSE: A nano imprint device and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provided to correct the deformation of a template for a nano imprint according to a position by applying a voltage to each piezo materials of a deformation correcting device. CONSTITUTION: A substrate(20) is arranged on a chuck(10). A hard mask layer(30) is formed on the substrate. A template for a nano imprint is arranged on the hard mask layer. A deformation correcting device(50) is arranged on the template for the nano imprint and corrects the deformation of the template for the nano imprint.

Abstract translation: 目的：提供纳米压印装置和使用其的半导体装置的制造方法，以通过向变形校正装置的每个压电材料施加电压来根据位置校正用于纳米压印的模板的变形。 构成：将衬底（20）布置在卡盘（10）上。 在基板上形成硬掩模层（30）。 用于纳米印记的模板布置在硬掩模层上。 在纳米压印模板上设置变形校正装置（50），并校正纳米压印模板的变形。

公开(公告)号：KR1020110006080A

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：KR1020090063547

申请日：2009-07-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 우석훈 ,  여정호 ,  조병옥 ,  박주온 ,  박창민 ,  김원선

IPC: G01N21/25 ,  G01B11/30

CPC classification number: G01B11/06 ,  G01B11/02 ,  G01B11/24 ,  G01B2210/56 ,  G01N21/956 ,  G01N2021/95615 ,  G03F7/70625

Abstract: PURPOSE: A structure inspecting method is provided to facilitate the measurement of the line width and thicknesses of structure by removal in processes of offsetting measurement difference between a model and a structure to be measured. CONSTITUTION: A structure inspecting method comprises following steps. A preliminary spectrum of standard diffraction intensity according to the line widths of the standard structures is prepared(S100). The linear spectrum is obtained from the preliminary spectrum in a fixed line width range(S110). The first light is incident to a structure formed on a structure to be measured(S120). The diffracted measurement diffraction intensity is measured from the structure(S130). The line width of the structure is obtained from the measurement diffraction intensity using the linear spectrum(S140).

Abstract translation: 目的：提供一种结构检查方法，以便在模拟和待测量结构之间的测量差异偏移的过程中通过去除在线宽度和结构厚度的测量。 构成：结构检查方法包括以下步骤。 准备根据标准结构的线宽的标准衍射强度的初步光谱（S100）。 从固定线宽范围的初步光谱获得线性光谱（S110）。 第一光入射到待测结构上形成的结构（S120）。 从结构（S130）测量衍射测量衍射强度。 使用线性光谱从测量衍射强度获得结构的线宽（S140）。

公开(公告)号：KR1020100103211A

公开(公告)日：2010-09-27

申请号：KR1020090021716

申请日：2009-03-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박창민 ,  구두훈 ,  여정호 ,  박주온 ,  김인성 ,  이정훈

IPC: H01L21/027 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B29C59/022

Abstract: PURPOSE: A template for nano imprint lithography is provided to stably form a pattern by improving irradiation uniformity and reducing the loss of light. CONSTITUTION: An ultraviolet ray transmits a substrate. A stamp pattern(120) is formed on a substrate and has a sloped sidewall. A coating layer(130), which is formed in the sloped sidewall of the stamp pattern. The stamp pattern is formed in a convex and concave form in one region of the substrate.

Abstract translation: 目的：提供用于纳米压印光刻的模板，以通过改善照射均匀性和减少光的损失来稳定地形成图案。 构成：紫外线透射基板。 印模图案（120）形成在基板上并具有倾斜的侧壁。 涂层（130），其形成在印模图案的倾斜侧壁中。 印模图案在基板的一个区域中以凸凹形式形成。

公开(公告)号：KR1020100087788A

公开(公告)日：2010-08-06

申请号：KR1020090006772

申请日：2009-01-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정훈 ,  여정호 ,  박주온 ,  김인성 ,  구두훈 ,  박진홍 ,  박창민

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B29C43/003 ,  B29C2043/025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B29C59/022

Abstract: PURPOSE: A method for forming a micro pattern using a nano imprint lithography is provided to form the micro pattern with improved distribution by correcting the degree of dispersion of a pattern size of a template. CONSTITUTION: A light attenuation member is partially formed on a template(S20). A photo curable layer is formed on the lower side of a substrate(S30). The template is arranged on the substrate with the photo curable layer(S40). The template is contacted with the photo curable coating layer(S50). The photo curable layer is cured by radiating light to the photo curable coating layer through the template(S60). The template is separated from the substrate with the cured coating layer(S70).

Abstract translation: 目的：提供使用纳米压印光刻形成微图案的方法，以通过校正模板图案尺寸的分散程度来形成具有改进分布的微图案。 构成：在模板上部分地形成光衰减构件（S20）。 在基板的下侧形成光固化层（S30）。 模板通过光固化层布置在基板上（S40）。 模板与光固化涂层接触（S50）。 光固化层通过模板将光照射到光固化涂层而固化（S60）。 用固化涂层将模板与基材分离（S70）。

公开(公告)号：KR1020080081728A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：KR1020070022160

申请日：2007-03-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박창민 ,  김주호

IPC: G11B7/26

Abstract: A recorded master for manufacturing an information storage medium and a manufacturing method thereof are provided to implement high density recording by forming pits sized below resolution limit. A recorded master for manufacturing an information storage medium comprises a substrate(11), and a thermal deformation layer stacked on the substrate. The thermal deformation layer is made of a ferroelectric material wherein pits are formed by thermal deformation of the portion where a beam enters. Dielectric layers(13,17) are formed on at least one of upper and lower sides of the thermal deformation layer.

Abstract translation: 提供用于制造信息存储介质的记录母盘及其制造方法，以通过形成尺寸低于分辨率极限的凹坑来实现高密度记录。 用于制造信息存储介质的记录母盘包括衬底（11）和堆叠在衬底上的热变形层。 热变形层由铁电材料制成，其中通过热束入射部分的热变形形成凹坑。 电介质层（13,17）形成在热变形层的上侧和下侧中的至少一个上。

公开(公告)号：KR100754166B1

公开(公告)日：2007-09-03

申请号：KR1020040034905

申请日：2004-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황인오 ,  노명도 ,  김주호 ,  김현기 ,  김낙현 ,  박창민

IPC: G11B7/243 ,  G11B7/004

CPC classification number: G11B7/24 ,  G11B7/243 ,  G11B7/257 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/24324

Abstract: 정보 기록 및/또는 재생기기로부터 입사되는 광빔의 분해능 이하 크기의 기록 마크나 피트를 재생할 수 있도록 된 초해상 정보 저장매체 및 그 정보 기록 및/또는 재생기기가 개시되어 있다.
개시된 정보 저장매체는, 기판; 및 이 기판 상에, 초해상 재료와 이 초해상 재료보다 높은 융점을 갖는 고융점 재료를 함유하는 적어도 하나의 초해상 재생층;을 포함한다.
개시된 정보 저장매체에 따르면, 기본적인 초해상 재료가 용융되더라도 고융점 재료가 이 용융 상태의 초해상 재료의 이동을 억제하므로, 반복 재생시 신호의 열화가 억제된다.

公开(公告)号：KR100739806B1

公开(公告)日：2007-07-13

申请号：KR1020060049992

申请日：2006-06-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이경근 ,  박인식 ,  정종삼 ,  윤두섭 ,  박창민

IPC: G11B7/007 ,  G11B7/005

Abstract: 광정보 저장매체장치가 개시되어 있다.
이 개시된 광정보 저장매체장치는, 사용자 데이터가 기록되는 사용자 영역, 사용자 영역의 내주쪽에 구비된 리드인 영역 및 사용자 영역의 외주쪽에 구비된 리드아웃 영역을 포함하고, 상기 리드인 영역의 전체 또는 일부 영역은 제1 트랙피치를 가지며, 그 외의 영역은 제2 트랙피치를 가지는 광정보 저장매체에 데이터를 재생하는 장치에 있어서, 상기 리드인 영역, 사용자 영역 및 리드아웃 영역에 피트로 기록된 데이터를 재생하는 재생 유닛;을 포함하고, 제1 트랙피치를 가지는 영역과, 상기 제2 트랙피치를 가지는 영역에 각각 데이터를 재생하도록 상기 재생 유닛을 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100727920B1

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：KR1020030031907

申请日：2003-05-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이경근 ,  박인식 ,  노명도 ,  정종삼 ,  심재성 ,  박창민 ,  박현수 ,  윤두섭

IPC: G11B7/007

CPC classification number: G11B7/00736

Abstract: 광정보 저장매체 및 그 기록 및/또는 재생 방법이 개시되어 있다.
이 개시된 광정보 저장매체는, 리드인 영역, 사용자 데이터 영역 및 리드아웃 영역을 구비하고, 상기 리드인 영역의 일부 또는 전영역에 데이터가 워블링 피트로 기록되고, 나머지 영역에 데이터가 피트로 기록된 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의해 저장 매체 전 영역에 걸쳐 통일적으로 피트를 형성함으로써 제조 공정을 단순화시키고, 그루브나 피트에 의한 신호 특성차를 고려할 필요 없이 신호가 최적으로 나오는 깊이로 피트를 형성할 수 있으므로 기록/재생 특성을 향상시키는데 유리한 재생 전용 저장 매체를 제공할 수 있다.