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公开(公告)号：KR1019990079795A
公开(公告)日：1999-11-05
申请号：KR1019980012578
申请日：1998-04-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 신인균
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 마스크 기판의 리버베드(riverbed)를 방지하기 위한 마스크의 결함 수정 방법에 관한 것으로, 마스크 기판 상에 광차단막 패턴이 형성되고, 광차단막 패턴 형성시 발생된 결함 부분을 식각하되, 이온 빔에 의해 결함 부분의 일부 두께가 식각된다. 식각되지 않은 나머지 두께의 결함 부분을 광차단막 패턴과 마스크 기판에 대해 식각 선택비를 갖는 식각 물질이 사용되어 제거된다. 이와 같은 마스크의 결함 수정 방법에 의해서, 먼저 결함 부분의 일부 두께를 이온 빔으로 식각한 후 나머지 두께의 결함 부분을 식각 물질로 식각함으로써, 결함 부분을 수정할 수 있고, 이때 결함 부분의 마스크 기판 표면에 발생되는 리버베드를 최소화할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019970016794A
公开(公告)日：1997-04-28
申请号：KR1019950032907
申请日：1995-09-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 하프톤 위상반전 마스크의 제조 방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 간단한 공정으로 블라인드 영역에 위상반전막과 크롬막의 이중층을 만들어 주는 제조 방법이 개시된다.
본 발명의 위상반전 마스크 제조 방법은 마스크 기판 상에 위상 반전막과 제 1감광막을 차례로 형성하는 공정 ; 상기 제 1감광막과 위상 반전막을 사진/식각하여 위상 반전 패턴을 형성하는 제 1사진/식각 공정 ; 상기 제 1사진/식각 공정의 결과물 상에 크롬막을 형성시키는 공정 ; 상기 크롬막 상에 제 2감광막을 형성하는 공정 ; 및 상기 제 2감광막과 크롬막을 사진/식각하여 블라인드 패턴을 형성하는 제 2사진/식각 공정을 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 위상반전 마스크의 제조 방법은 크롬의 습식 식각 후에 위상 반전층을 건식 식각하는 공정 순서에서 불가피하게 야기되는 물반점에 의한 결함 발생을 위상 반전층의 건식 식각 후에 크롬(블라인드층)을 습식 식각함으로써 없앨 수 있어 마스크의 제작 수유을 높이는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019970016792A
公开(公告)日：1997-04-28
申请号：KR1019950031063
申请日：1995-09-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 하프톤(Half-Tone) PSM 제작에 중요한 변수의 측정과 검사에 필요한 새로운 패턴을 개시한다.
반도체 장치의 포토마스크의 모니터링 패턴에 있어서, 하프톤 PSM용 모니터링 패턴을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 포토마스크의 모니터링을 제공한다.
상기 PSM용 모니터링 패턴은 시프터(shifter) 영역, 위상을 측장하기 위한 영역 및 하프톤 PSM 검사를 위한 빛의 측정 영역을 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면 위상을 측정하기 위한 패턴, 투과율을 측정하기 위한 패턴 및 마스크 검사를 위한 빛의 측정(light calibration)을 위한 적절한 영역을 얻을 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019970016756A
公开(公告)日：1997-04-28
申请号：KR1019950029326
申请日：1995-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 사이드로브를 억제할 수 있는 하프톤 위상반전 마스크에 관하여 개시하고 있다. 본 발명에 따른 하프톤 위상반전 마스크는, 마스크 기판, 상기 마스크 기판 상에 형성되고 하프톤 위상반전층이 형성되어 있지 않은 개구부 및 상기 개구부 주위에 형성되고, 근접 패턴의 간섭에 의한 공학적 밀착에 의해 발생되는 패턴 불량을 보정하기 위한 세리프(serif)를 구비한다. 따라서, 하프톤 위상반전마스크의 효과를 극대화하고, 동시에 사이드로브를 억제할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130108704A
公开(公告)日：2013-10-07
申请号：KR1020120030330
申请日：2012-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , H01L21/68
CPC classification number: G06T7/001 , G06T7/337 , G06T2207/20224 , G06T2207/30148 , H01L21/0274 , H01L21/681
Abstract: PURPOSE: A method for aligning an object without using an alignment key and an apparatus for performing the same are provided to accurately display the misalignment of a real pattern by obtaining the difference of absolute position values from real images. CONSTITUTION: An image acquisition unit obtains the real images of patterns. An image comparison unit (120) sets at least one among the real images as a reference image. The image comparison unit compares the reference image with at least one among the real images except the reference image. The image comparison unit obtains the difference of the relative position values of the real images to the reference image. A calculation unit (130) changes the difference of the relative position values into the difference of the absolute position values based on the set reference point of the object. [Reference numerals] (120) Image comparison unit; (122) Overlapping element; (123) Contrast obtaining unit; (124) Filter unit; (126) Shift element; (130) Calculation unit; (150) Image obtaining unit
Abstract translation: 目的：提供一种用于对准不使用对准键的对象的方法和用于执行对象的设备的方法，以通过从真实图像获得绝对位置值的差异来精确地显示实际图案的未对准。 构成：图像获取单元获得图案的真实图像。 图像比较单元（120）将真实图像中的至少一个设置为参考图像。 图像比较单元将参考图像与参考图像之外的实际图像中的至少一个进行比较。 图像比较单元获得实际图像的相对位置值与参考图像的差异。 计算单元（130）基于对象的设定基准点将相对位置值的差值改变为绝对位置值的差值。 （附图标记）（120）图像比较单元; （122）重叠元件; （123）对比获取单位; （124）过滤单元; （126）移位元素; （130）计算单位; （150）图像获取单元
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110116522A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020100035980
申请日：2010-04-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715 , G03F7/2041 , H01L21/0274
Abstract: 본 발명은 노즐, 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 장치를 이용한 처리액 공급 방법을 제공한다. 노즐의 제1바디는 하면이 개방되고 내부에 처리액이 저장되는 복수개의 버퍼공간들이 형성된다. 제1셔터는 제1바디의 아래에 위치하여 버퍼공간들의 하면을 선택적으로 개폐한다. 구동기는 버퍼공간들에 대한 제1셔터의 상대 위치가 변경되도록 제1셔터 또는 제1바디를 이동시킨다.
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公开(公告)号：KR100674964B1
公开(公告)日：2007-01-26
申请号：KR1020050021095
申请日：2005-03-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F1/84
Abstract: 디자인 룰 감소가 가속화됨에 따라 포토마스크의 임계 치수(Critical Dimension : CD) 균일도와 MTT(mean to target)에 대한 규정도 점차로 엄격해지고 있다. 본 발명은 100nm 이하 소자 개발에서 요구되어지는 CD 균일도 및 MTT를 만족시키기 위해 필요한 포토마스크 CD에 대한 측정과 분석을 자동으로 수행하며 필요시 CD 에러가 발생한 부분에 대한 교정을 수행함으로써 마스크 수정(mask revision)을 최소화하고 궁극적으로 마스크 제조비용과 턴 어라운드 타임(turn around time : TAT)을 절감할 수 있는 교정 방법과 이를 위한 교정 시스템 장치를 제공하는 것이다.
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公开(公告)号：KR100585057B1
公开(公告)日：2006-07-25
申请号：KR1019980055034
申请日：1998-12-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 마스크 기판상에 리버베드(riverbed)를 발생시키지 않고 오페이크형 결함을 수정하기 위한 포토마스크의 결함 수정 방법에 관하여 개시한다. 포토마스크 기판상에서 투광 영역을 한정하는 패턴 근방에 상기 투광 영역을 일부 가리도록 형성된 오페이크형 결함을 수정하기 위하여, 상기 오페이크형 결함 주위의 상기 패턴상에 카본(carbon)으로 이루어지는 블로킹(blocking)층을 형성하고, 상기 오페이크형 결함을 충분히 포함할 수 있도록 상기 오페이크형 결함보다 더 큰 범위에 대하여 레이저를 조사하여 상기 오페이크형 결함을 제거한다.
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公开(公告)号：KR100468735B1
公开(公告)日：2005-01-29
申请号：KR1020020032975
申请日：2002-06-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/30
Abstract: A method of manufacturing an alternating phase shift mask can be carried out in a short amount of time. A 180° phase shift region is formed using a multi-step etching process, and then a 0° phase region is formed. Forming the phase shift regions in this sequence minimizes the number of rounds of photolithography that have to be carried out in the method.
Abstract translation: 制造交替相移掩模的方法可以在短时间内进行。 A 180° 使用多步骤蚀刻工艺形成相移区域，然后在0°〜 形成相位区域。 按照该顺序形成相移区域使得该方法中必须执行的光刻次数最小化。
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公开(公告)号：KR1020040110818A
公开(公告)日：2004-12-31
申请号：KR1020030040280
申请日：2003-06-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: PURPOSE: A mask and a manufacturing method thereof are provided to enlarge a focus margin of a laser illumination device by reducing a variation of light intensity on patterns at an edge portion. CONSTITUTION: A mask includes a transparent substrate(100), a main pattern region(A1), and a fantom pattern region(B1). The main pattern region is formed on the transparent substrate and includes main light blocking layers(112a) and a main light transmissive layer(112b) between the main light blocking layers. The fantom pattern region is formed on the transparent substrate and includes a fantom light blocking layer(114a) having a pitch and a shape same to those of the main light blocking layer and a fantom light transmissive layer(114b) having a pitch smaller than that of the main light transmissive layer.
Abstract translation: 目的：提供一种掩模及其制造方法，通过减少边缘部分上的图案上的光强度的变化来放大激光照明装置的聚焦余量。 构成：掩模包括透明基板（100），主图案区域（A1）和扇形图案区域（B1）。 主图案区域形成在透明基板上，并且在主遮光层之间包括主遮光层（112a）和主透光层（112b）。 扇形图形区域形成在透明基板上，并且包括具有与主遮光层相同的间距和形状的扇形遮光层（114a），以及具有比主遮光层的间距小的间距的扇形光透射层（114b） 的主光透射层。
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