公开(公告)号：KR1020060115227A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：KR1020050037666

申请日：2005-05-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정환

IPC: G06F17/00 ,  G06F9/44 ,  G06F3/0481

CPC classification number: G06F3/0481 ,  G06F3/038 ,  G06F3/0487 ,  G06F3/14 ,  G06F9/445 ,  G06F9/451

Abstract: A method and a device for offering an interface controllable at a long distance to an application are provided to modify the usual application to offer a 10-foot UI(User Interface) and easily realize harmony with digital home appliances by adding the 10-foot UI to the usual application. A window analyzer(710) executes the application in the first mode including the UI controlled by a mouse or a keyboard, and collects data forming the outer appearance of the application in case the application is executed in the first mode. A window converter(730) converts the collected data to display the application in the second mode including the interface controlled by a remote controller. A template part(720) outputs the data for forming the outer appearance and template data for forming the second mode for replacing the outer appearance. The window converter forms the outer appearance by receiving a selected value, namely, a part of the output template data.

Abstract translation: 提供了一种用于提供可远距离应用的界面的方法和设备，以修改通常的应用程序以提供10英尺UI（用户界面），并通过添加10英尺UI来轻松实现数字家用电器的和谐 到通常的应用程序。 窗口分析器（710）以包括由鼠标或键盘控制的UI的第一模式执行应用，并且在第一模式下执行应用的情况下，收集形成应用的外观的数据。 窗口转换器（730）转换所收集的数据以在包括由遥控器控制的接口的第二模式中显示应用。 模板部分（720）输出用于形成外观的数据和用于形成用于替换外观的第二模式的模板数据。 窗口转换器通过接收所选择的值即输出模板数据的一部分来形成外观。

公开(公告)号：KR100623175B1

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：KR1020050045393

申请日：2005-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이공수 ,  이창훈 ,  유영섭 ,  오정환 ,  박상진

IPC: H01L21/28

Abstract: 스택형 반도체 장치 및 그 제조 방법에서, 반도체 장치는 기판 상에 형성되고, 층간 절연막 패턴 및 단결정 실리콘막 패턴이 순차적으로 적층되고, 최상층으로부터 상기 기판까지 연통하면서 상기 단결정 실리콘막 패턴의 일부분을 노출시키는 콘택홀을 갖는 박막 구조물과, 상기 콘택홀 내부에 형성되고, 실리콘 게르마늄으로 이루어지고, 상기 기판 및 상기 단결정 실리콘막 패턴과 전기적으로 접속하는 콘택 플러그를 포함한다. 상기와 같이, 실리콘 게르마늄으로 이루어지는 콘택 플러그를 포함하는 경우, 상기 단결정 실리콘막 패턴의 침식 및 주변 단위 소자의 열화 등을 최소화할 수 있다.

Abstract translation: 在堆叠型半导体装置及其制造方法，半导体器件形成在基板上，层叠有层间绝缘膜图案和硅膜的图形依次单晶，而从顶层到衬底通信露出单晶硅膜图案的一部分 接触插塞形成在接触孔内部并且由硅锗制成并且电连接到衬底和单晶硅膜图案。 如上所述，当包括由硅锗制成的接触插塞时，可以使单晶硅膜图案的腐蚀和外围单元元件的劣化最小化。

公开(公告)号：KR100549951B1

公开(公告)日：2006-02-07

申请号：KR1020040001454

申请日：2004-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유영섭 ,  오정환 ,  나기수 ,  남석우 ,  임헌형

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10852

Abstract: 본 발명은 커패시터를 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 커패시터 형성방법은, 하부 절연막에 둘러싸여진 도전성 플러그를 포함하는 하부구조가 형성된 반도체 기판 전면에 지지용 절연막, 알루미나 계열이나 하프늄 옥사이드 계열로 이루어지며 어닐링이 행해지지 않은 식각 정지막, 및 몰드 절연막을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 몰드 절연막, 상기 식각 정지막 및 상기 지지용 절연막을 순차적으로 패터닝하여 상기 도전성플러그를 노출시키는 개구를 형성하는 단계와; 상기 개구가 형성된 반도체 기판 전면에 상기 도전성 플러그와 전기적으로 연결되는 스토리지 노드용 도전막을 형성하며, 상기 스토리지 노드용 도전막의 형성에 의해 상기 식각 정지막이 어닐링되는 단계와; 상기 스토리지 노드용 도전막을 분리하여 스토리지 노드를 형성하는 단계와; 상기 분리된 스토리지 노드에 의해서 노출되어 잔류하는 상기 몰드 절연막을 상기 식각 정지막이 노출될 때까지 선택적으로 식각하여 상기 스토리지 노드의 외면의 일부를 노출시키는 단계와; 상기 스토리지 노드 상에 유전막을 개재하여 플레이트 노드를 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 커패시터의 리닝현상을 방지할 수 있게 된다.
커패시터, 스토리지 노드, 하프늄 옥사이드, 알루미나, 식각정지막

公开(公告)号：KR100505064B1

公开(公告)日：2005-07-29

申请号：KR1020030028649

申请日：2003-05-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신원식 ,  황기현 ,  오정환 ,  이현덕 ,  남석우

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02238 ,  C23C8/12 ,  C23C8/28 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/3144

Abstract: 적은 단계로 유전율이 높은 막을 빠르게 형성할 수 있는 반도체 소자의 산화방법 및 이를 이용한 산화막 형성방법이 개시되어 있다. 제1 유량을 갖는 산소 및 상기 제1 유량의 1% 이상에 해당하는 유량인 제2 유량을 갖는 질소를 제공하여 오존을 형성한다. 상기 오존 및 상기 오존 형성에 참여한 후 존재하는 질소를 포함하는 반응물을 도입하여 실리콘 기판을 산화시키거나, 금속 흡착막을 산화시킨다. 이와 같이, 오존 생성시 질소의 유량을 증가시킴으로써, 부가적인 공정 없이 N을 함유시켜 우수한 유전막을 빠른 속도로 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100488527B1

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：KR1020030032976

申请日：2003-05-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정환

IPC: G06F1/00

Abstract: 본 발명은 컴퓨터시스템 및 그 제어방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 컴퓨터시스템은 사운드입력부와, 사운드출력부와, 상기 사운드입력부에 입력되거나 상기 사운드출력부로부터 출력되는 사운드 중 어느 하나를 녹음대상사운드로 선택하기 위한 사운드선택부와, 상기 사운드선택부에서 선택된 사운드를 녹음하는 사운드녹음부가 마련된 컴퓨터시스템에 있어서, 사운드의 녹음을 시작하게 하는 레코딩신호를 발생시키는 녹음키와; 상기 녹음키로부터 상기 레코딩신호가 전달되는 경우, 상기 사운드입력부에 입력되거나 상기 사운드출력부로부터 출력되는 사운드 중 어느 하나를 상기 녹음대상사운드로 선택하도록 상기 사운드선택부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터시스템를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 사운드 녹음이 편리한 컴퓨터시스템이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020040088911A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：KR1020030023351

申请日：2003-04-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황기현 ,  오정환 ,  김효정 ,  남석우 ,  신원식

IPC: H01L27/108

Abstract: PURPOSE: A capacitor of a semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to reduce leakage current of the capacitor by using a p-type poly Si1-xGex layer stacked on a metal film as an upper electrode. CONSTITUTION: A cylindrical capacitor comprises a lower electrode(40a) formed on a semiconductor substrate(1), a dielectric film(50) formed on the lower electrode, and an upper electrode(60) formed on the dielectric film. The upper electrode is provided with a metal film(52) and a p-type doped poly Si1-xGex layer(54) stacked on the metal film.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件的电容器及其制造方法，以通过使用层叠在作为上电极的金属膜上的p型多晶Si1-xGex层来减小电容器的漏电流。 构成：圆柱形电容器包括形成在半导体衬底（1）上的下电极（40a），形成在下电极上的电介质膜（50）和形成在电介质膜上的上电极（60）。 上部电极设置有层叠在金属膜上的金属膜（52）和p型掺杂的多晶Si1-xGex层（54）。

公开(公告)号：KR100434496B1

公开(公告)日：2004-06-05

申请号：KR1020010078286

申请日：2001-12-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정환 ,  황기현 ,  박영욱 ,  박재영 ,  황인석

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10855 ,  Y10T29/5111

Abstract: An etch stop layer is formed over a surface of an interlayer insulating layer and over a surface of a conductive plug extending at a depth from the surface of the interlayer insulating layer. A lower mold layer is deposited over the etch stop layer, and a wet etch rate of the lower mold layer is adjusted by adding dopants to the lower mold layer during formation of the lower mold layer, and by annealing the lower mold layer. An upper mold layer is then deposited over the surface of the lower mold layer, such that a wet etch rate of the upper mold layer is less than the adjusted wet etch rate of the lower mold layer. The upper mold layer, the lower mold layer and the etch stop layer are then subjected to dry etching to form an opening therein which exposes at least a portion of the surface of the contact plug. Then a wet etching of the upper mold layer and the lower mold layer is performed so as to increase a size of the opening at the lower mold layer and so at to expose a surface portion of the etch stop layer adjacent the surface of the conductive plug. A conductive material is then deposited over the surface of the opening in the upper and lower mold layers to define a capacitor electrode.

Abstract translation: 在层间绝缘层的表面上以及从层间绝缘层的表面开始深度延伸的导电插塞的表面上方形成蚀刻停止层。 在蚀刻停止层上沉积下模层，并且通过在形成下模层期间向下模层添加掺杂剂并且通过退火下模层来调整下模层的湿蚀刻速率。 然后将上模层沉积在下模层的表面上，使得上模层的湿法蚀刻速率小于下模层的调整后的湿法蚀刻速率。 然后对上模层，下模层和蚀刻停止层进行干法蚀刻以在其中形成暴露接触插塞的至少一部分表面的开口。 然后，进行上模层和下模层的湿法蚀刻，以增加下模层处的开口的尺寸，从而暴露邻近导电插塞表面的蚀刻停止层的表面部分 。 然后将导电材料沉积在上和下模层中的开口的表面上以限定电容器电极。