-
公开(公告)号：KR101359358B1
公开(公告)日：2014-02-10
申请号：KR1020120155779
申请日：2012-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01R1/073 , G01R1/067 , G02F1/1335
Abstract: An insulation coating method of a contact finger for testing a semiconductor using a liquid process is disclosed. According to an embodiment of the present invention, an insulation coating method of a contact finger for testing a semiconductor includes a first step for forming a coating part at one end and the center of a contact finger by partially dipping the contact finer with a central bent part into a coating liquid inside a coating liquid container for dip-coating; and a second step for removing the coating part from one end of the contact finger by dipping one end of the contact finger into an etching liquid.
Abstract translation: 公开了一种使用液体工艺测试半导体的接触指针的绝缘涂覆方法。 根据本发明的实施例，用于测试半导体的接触指状物的绝缘涂覆方法包括：第一步骤，用于通过将接触细微部分地浸渍在中心弯曲部分中来形成接触指状物的一端和接触指中心处的涂覆部分 部分放入用于浸涂的涂布液容器内的涂布液; 以及通过将接触指针的一端浸入蚀刻液中而从接触指的一端去除涂布部分的第二步骤。
-
公开(公告)号：KR100988478B1
公开(公告)日：2010-10-18
申请号：KR1020080112045
申请日：2008-11-12
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 반도체 기판 및 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 질소와 수소의 혼합 가스 분위기에서 비극성 또는 반극성 기판상에 질화 반도체층을 성장시킨 질화물 반도체 기판 및 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 비극성 또는 반극성 사파이어 기판; 상기 기판상에 형성된 질화 사파이어층; 상기 질화 사파이어층 상에 복수로 적층된 SiNx층/질화갈륨 완충층 또는 SiC/질화갈륨 완충층; 및 상기 질화갈륨 완충층 상에 형성된 질화갈륨층를 포함함에 기술적 특징이 있다.
비극성, 반극성, 질화갈륨, 질소, 수소-
公开(公告)号：KR100928730B1
公开(公告)日：2009-11-27
申请号：KR1020070083492
申请日：2007-08-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: C03C17/30
Abstract: 본 발명은 폴리실라잔을 기판에 코팅한 후 경화반응에 의해 실리카 유리막을 형성하는 방법을 이용하는 것으로서, 특히 경화반응을 진행함에 있어서 상온에서 실행하되, 고온 경화의 효과를 얻을 수 있는 유리막 형성 방법에 관한 것으로 폴리실라잔의 경화 방법에 상압 플라즈마 경화 또는 가압 가습 경화 또는 스팀 경화를 적용한다.
실리카 코팅, 폴리실라잔, 경화, 플라즈마Abstract translation: 使用聚硅氮烷钝化表面的二氧化硅玻璃膜形成方法被设置为当在室温下固化时不会因杂质而变形并且形成具有高密度的玻璃膜。 用于钝化表面的玻璃膜形成方法包括以下步骤：将聚硅氮烷涂覆在基板上; 并通过使用大气压等离子体工艺来固化聚硅氮烷。 固化步骤的处理时间为10-20分钟。 固化步骤的加工温度为50〜120℃。 大气压等离子体处理的处理气体是氩气和氧气。
-
公开(公告)号：KR100696870B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020040049786
申请日：2004-06-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772
Abstract: 본 발명은 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 마이크로 머시닝 기술과 반도체 소자 제작 공정을 응용하여 끝이 뾰족한 탐침을 제작하고 리프트 오프 공정을 이용하여 탐침의 첨두부에 금속 양자점을 형성함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 포토레지스트를 도포하고 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포토레지스트의 상부에 금속막을 형성하고 상기 포토레지스트를 제거하여 탐침의 첨두부에만 금속막을 남기는 단계; (f) 상기 탐침의 첨두부에 금속점을 증착시키는 단계; 및 (g) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 제조 방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법은 마이크로 머시닝 기술과 반도체 소자 제작 공정을 응용하여 끝이 뾰족한 탐 침을 제작하고 리프트 오프 공정을 이용하여 탐침의 첨두부에 금속 양자점을 형성함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 효과가 있다.
양자점, 원자간력, 현미경, 캔틸레버-
公开(公告)号：KR100653198B1
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：KR1020040039653
申请日：2004-06-01
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324
Abstract: 본 발명은 락인 증폭기를 사용하지 않으면서도 수십 GHz 이상에서 작동되는 반도체 소자의 고주파 특성을 볼 수 있는 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 캔틸레버 지지대, 상기 캔틸레버 지지대상에 위치하며 일측이 부상된 캔틸레버 아암, 상기 캔틸레버 아암 선단에 위치한 팁, 상기 팁 내에 형성된 채널 및 상기 채널의 양측면에 각각 형성된 소스 및 드레인으로 이루어진 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버에 있어서, 상기 팁은 콘 모양 또는 피라미드 모양임을 특징으로 하는 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버에 의해 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법은 팁을 제외한 주변의 절연막을 제거하므로써 고주파 소자의 검사가 가능한 효과가 있다.
고주파, 소자, 원자간력, 현미경, 캔틸레버-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100617468B1
公开(公告)日：2006-09-01
申请号：KR1020040056197
申请日：2004-07-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01J37/28
Abstract: 본 발명은 실리콘 탐침 상에 성장된 탄소 재질의 탐침에 수평 방향 전자빔을 조사하여 100nm 이하의 CD 측정이 가능한 탐침에 관한 것이다.
본 발명의 수평방향 성장에 의한 고종횡비의 전자빔 증착 탐침 제조방법은 (a) 2축 구동기가 형성된 캔틸레버를 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 상에 실리콘 탐침을 형성하는 단계; (c) 상기 실리콘 탐침이 형성된 캔틸레버를 탄화수소계 용제에 디핑하는 단계; (d) 상기 실리콘 탐침 상에 탄소 재질의 탐침을 성장시키는 단계 및 (e) 상기 성장된 탄소 재질의 탐침에 수평으로 전자빔을 조사하는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 수평방향 성장에 의한 고종횡비의 전자빔 증착 탐침 제조방법은 탐침과 빔을 수직방향으로 한 탐침의 수평방향 성장방법을 통해 100nm 이하의 CD의 측정이 가능하게 하며, 탐침 끝을 볼 형태로 제작하여 CD 벽면 측정을 용이하게 하고 열처리를 통해 전도성이 뛰어난 효과가 있다.
CD, 고종횡비, 탐침, 수평방향-
公开(公告)号：KR100558376B1
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1020030057694
申请日：2003-08-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N13/16
Abstract: 본 발명은 원자력 현미경용 MOSFET 캔틸레버에 관한 것으로, 제 1 실리콘층, 산화막과 제 2 실리콘층이 순차적으로 적층된 지지부와; 상기 지지부의 산화막과 제 2 실리콘층이 지지부로부터 연장되어 하부로부터 부상된 캔틸레버부와; 상기 캔틸레버부 선단의 제 2 실리콘층에 형성된 탐침과; 상기 지지부와 캔틸레버부의 하부 전면에 형성된 금속층과; 상기 탐침 하부의 캔틸레버부에 형성된 채널과; 상기 채널의 양측면에 각각 형성된 소스 및 드레인으로 구성된다.
따라서, 본 발명은 원자력 현미경용 캔틸레버에 MOSFET를 내장시켜 정보의 읽기 및 쓰기 동작을 용이하게 구현할 수 있는 효과가 있다.
캔틸레버, 원자력, 현미경, 트랜지스터, 채널, MOS-
公开(公告)号：KR100555048B1
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR1020030057693
申请日：2003-08-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N13/16
Abstract: 본 발명은 원자력 현미경용 전계 효과 트랜지스터 캔틸레버의 제조 방법에 관한 것으로, SOI(Silicon on Insulator) 기판의 실리콘층 상부에 탐침을 형성하는 단계와; 상기 탐침을 포함하여 실리콘층의 상부에 1차 절연막, 2차 절연막과 폴리실리콘층이 적층된 마스크 패턴을 형성하는 단계와; 상기 마스크 패턴으로 마스킹하여 상기 제 2 실리콘층에 제 1 불순물을 주입하는 단계와; 상기 2차 절연막의 측면 일부를 습식식각하고, 상기 폴리실리콘층을 제거하고, 상기 1차 절연막의 측면 일부를 습식식각하고, 상기 2차 절연막을 제거하여 상기 제 2 실리콘층 상부에 폭이 줄어든 1차 절연막을 남기는 단계와; 상기 1차 절연막으로 마스킹하여 제 2 불순물을 주입하는 단계와; 상기 탐침, 제 1과 2 불순물이 주입된 영역들을 포함하는 형상을 갖는 제 2 실리콘층의 패턴을 형성하고, 그 형상의 하부를 제거하여 부상시켜 캔틸레버를 형성하는 단계로 구성된다.
따라서, 본 발명은 100㎚ 이하의 극소 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자력 현미경용 캔틸레버를 구현할 수 있어, 극소 채널로 야기되는 쇼트 채널 효과(Short channel)의 발생을 방지할 수 있으며, 테라 비트급 탐침형 정보 저장기기에 적용할 수 있다.
극소채널, 캔틸레버, 원자력, 현미경, 트랜지스터, 쇼트 채널-
公开(公告)号：KR1020060010550A
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：KR1020040059291
申请日：2004-07-28
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01Q70/16 , B82Y40/00 , C01B32/158 , H01J37/28
Abstract: 본 발명은 고종횡비 탐침을 가지는 압전 액츄에이터 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 상부면이 평평한 직육면체 형상의 탐침 지지부, 전자빔 유도 증착에 의한 탐침 중간부 및 전자빔 융착에 의한 탄소나노튜브 탐침 첨두부로 구성되는 고종횡비 탐침을 가지는 압전 액츄에이터 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 직육면체 형상의 탐침 지지부를 가지는 실리콘 질화막 캔틸레버를 형성하는 단계, 상기 캔틸레버의 로드부에 2축 구동 압전 액츄에이터를 형성하는 단계, 상기 탐침 지지부에 전자빔 유도 증착법을 통해 탐침 중간부를 형성하는 단계 및 상기 탐침 중간부에 탄소나노튜브를 부착하여 탐침 첨두부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 탐침을 가지는 압전 액츄에이터 캔틸레버 제조방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 고종횡비 탐침을 가지는 압전 액츄에이터 캔틸레버 및 그 제조방법은 상부면이 평평한 직육면체 형상의 탐침 지지부를 형성함으로써 전자빔유도 증착에 의한 탐침 중간부 형성의 재현성을 높이고 전자빔융착에 의한 탄소나노튜브 부착과 그 각도 조절이 용이할 뿐만 아니라 2축 구동 압전 액츄에이터에 의해 측정시의 왜곡을 감소시킴으로서 보다 정밀하고 신뢰성 있는 측정을 가능하게 하는 효과가 있다.
고종횡비, 캔틸레버, 탐침, 2축 구동 압전 액츄에이터, 탄소나노튜브-
公开(公告)号：KR1020060000809A
公开(公告)日：2006-01-06
申请号：KR1020040049780
申请日：2004-06-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772
CPC classification number: G01Q60/38 , H01L21/0273 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772
Abstract: 본 발명은 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로, 100㎚ 이하의 극소 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경용 캔틸레버를 구현할 수 있어, 바이오 분자를 분석할 수 있고, 극소 채널로 야기되는 쇼트 채널(Short channel) 효과의 발생을 방지할 수 있으며, 탐침의 종횡비를 크게 하여, 정보의 센싱도를 향상시키는 원자간력 현미경용 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 불순물 주입으로 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 동일한 두께의 포지티브 포토레지스트를 도포하여 탐침의 첨두부만 보이도록 하거나 포지티브 포토레지스트를 두껍게 도포한 후에 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포지티브 포토레지스트 상부에 네거티브 포토레지스트를 도포한 후에 마스크를 패터닝하여 탐침의 첨두부의 상기 네거티브 포토레지스트를 제거하는 단계; (e) 상기 네거티브 포토레지스트가 제거된 탐침의 첨두부에만 금속점을 증착하는 단계; 및 (e) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법은 바이오 분자들 간의 상호작용에 따른 전기적 효과를 측정함으로써 단일 분자를 탐침에 부착하는 장점이 있고, 수신 감도가 증대되는 효과가 있다.
AFM, 캔틸레버, 전하량 측정, 종횡비, 현미경, 트랜지스터
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
91
records
(took 0.026 seconds)
