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公开(公告)号：KR100324716B1
公开(公告)日：2002-02-16
申请号：KR1020000006057
申请日：2000-02-09
IPC: H01L23/52
Abstract: 본 발명은 반도체의 미세구조물을 패키징하는 방법에 관한 것으로서 보다 구체적으로는 구조물의 움직임을 가능하게 하는 구조물 웨이퍼의 희생층을 먼저 식각한 후, 덮게 웨이퍼로 접합한 상태에서 스루홀 형성 및 금속화 공정을 행하는 미세구조물의 패키징에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 본딩패드의 식각으로 인한 수율저하를 방지함과 전극형성 공정을 단순화시킴으로 동시에 제작비면에서도 저렴한 신규한 미세구조물 패키징 방법을 제공할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100291555B1
公开(公告)日：2001-05-15
申请号：KR1019990029367
申请日：1999-07-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/306
Abstract: 이발명은기판식각장치및 이를이용한실리콘멤브레인제조방법을개시한다. 실리콘기판의하부면의일부를설정된실리콘멤브레인두께만큼식각하여적어도하나이상의식각영역을형성한다음, 식각영역에각각금속막을증착한다. 다음에실리콘기판의상하부면에보호막을형성하고, 실리콘기판의상부면에형성된보호막의일부를제거하여식각영역에대응하는측정영역의제1 개구부와소자를형성하기위한활성영역의제2 개구부를형성한다. 보호막중 제거되지않은보호막을식각마스크로하여제1 및제2 개구부를통하여측정영역이및 활성영역을식각하며, 식각시에일정량의광을식각영역의금속막으로조사한다. 제1 개구부를통하여금속막이노출됨에따라금속막으로조사되는광의일부가투과되어금속막으로부터반사되는광의세기가최고치에서감소되기시작하여, 금속막이모두식각되어반사되는광이최소치로감소되는구간내에서식각공정을종료한다. 따라서, 식각용액의농도및 온도변화그리고식각시간에상관없이설정된두께를가지는실리콘멤브레인을용이하게제조할수가있다.
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公开(公告)号：KR101918846B1
公开(公告)日：2018-11-14
申请号：KR1020170050874
申请日：2017-04-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: A61B5/00 , A61B5/0476 , G01R23/00 , A61B5/0402
Abstract: 수면상태판단장치, 수면상태판단방법및 기록매체가제공된다. 본수면상태판단장치는, 뇌파정보를이용하여사용자의수면여부를판단한뇌파기반판단정보, 심박정보를이용하여사용자의수면여부를판단한심박기반판단정보, 및가속도정보를이용하여사용자의수면여부를판단한가속도기반판단정보를생성하고, 뇌파기반판단정보, 심박기반판단정보및 가속도기반판단정보중 적어도하나가수면상태인것으로판단된경우사용자가수면상태인것으로결정할수 있게되어, 소형화된장치를이용하여더욱정확하게사용자의수면상태를모니터링할수 있게된다.
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公开(公告)号：KR101878081B1
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：KR1020160182911
申请日：2016-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: A61C9/00
Abstract: 본발명의일실시예에따른스캐너장치는, 측정물체상에광을조사하는광원, 상기측정물체에반사된광을수광하는광학계, 상기광학계에의해수광된반사광에의해상기측정물체단면을촬영하는카메라및 상기광학계에포함된액체렌즈의초점조절을 AC 펄스를통해제어하는뎁스제어부및 상기카메라를제어하며, 상기뎁스제어부에상기측정물체에관한포커싱간격설정값을제어하는메인제어부를포함한다. 본발명의일실시예에따르면, 3D 스캐너장치에있어서, 초점조절을무구동광학계를적용함으로써무구동에따른진동및 소음의저감을위한스캐너장치의내구성및 작동신뢰성을효과적으로확보할수 있는효과가있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101845139B1
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：KR1020150188463
申请日：2015-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/107 , H01L31/02 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035227 , H01L27/0248 , H01L27/1443 , H01L31/022408 , H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/1804 , H01L31/1864
Abstract: 본발명은실리콘(Si)으로형성되는제1 실리콘나노와이어, 상기제1 실리콘나노와이어의일면에, 제1 도펀트가도핑되어형성되는제1 도전성영역, 및상기제1 실리콘나노와이어의일면에, 상기제1 도전성영역으로부터길이방향으로연속하도록, 상기제1 도펀트와상이한도전형을갖는제2 도펀트가도핑되어형성되는제2 도전성영역을포함하며, 상기제1 실리콘나노와이어는양단에인가되는역전압의크기가기설정된항복전압이상인경우, 외부로부터의광 입사에의한내부전류의애벌런치증배가발생하는발생하는실리콘나노와이어를이용한애벌런치포토다이오드를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020170135335A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020160067099
申请日：2016-05-31
Applicant: 전자부품연구원 , 고려대학교 산학협력단 , 주식회사 비엠씨
Abstract: 경골신경자극술을위한배뇨장애치료기기가제공된다. 본발명의실시예에따른니들조립체는, 인체에침습하여신경자극을위한전기신호를인가하는니들및 인체에일부가침습된니들을인체에수직하게고정하는니들가이드를포함한다. 이에의해, 니들이수직으로경골부위에침습된채로고정되며, 환자의움직임이나전선에의해니들이움직이지않으므로, 환자가편안한상태로경골신경자극술을받을수 있으며, 안정적시술에의한시술효과향상을기대할수 있다.
Abstract translation: 提供了一种用于治疗胫神经刺激的排尿障碍的治疗装置。 根据本发明的一个实施例的针组件包括固定到垂直部分的针导向是侵入性的针在针和侵入的体对人体是用于神经刺激人体的电信号。 其结果是，该针是固定的，而垂直于侵入到胫骨组成部分，由患者进行的针不会移动的作用或电线，并且患者倾向于在松弛状态胫神经刺激，可以期望通过稳定的处理增强的治疗效果 。
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公开(公告)号：KR101757561B1
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：KR1020150183681
申请日：2015-12-22
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: MSP 기반개인식별장치및 방법이제공된다. 본발명의실시예에따른개인식별장치는, 사용자의손목에각기다른파장의광들을조사하는광원어레이, 손목을투과한광들을검출하는검출기어레이및 검출기어레이에서의검출결과를이용하여사용자를식별하는프로세서를포함한다. 이에의해, 부정한개인인증시도를방지할수 있고, 생체정보를이용한개인인증방식에대해새로운지평을열 수있게된다.
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公开(公告)号：KR1020170078188A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020150188468
申请日：2015-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L27/146 , H01L29/06
CPC classification number: H04N5/374 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14689 , H01L29/4916 , H01L31/022408 , H01L31/035227
Abstract: 본발명의나노와이어를이용한이미지센서는기판, 입사광을감지하여입사광의세기에따라크기가변화하는광전류를생성하는광검출소자, 광전류의발생여부및 크기에기초하여, 입사광의발생여부및 세기정보를포함하는광검출전류를출력하는신호처리모듈및 광검출소자와신호처리모듈을전기적으로연결하며, 광검출소자와신호처리모듈상에형성되는전극을포함하며, 광검출소자와상기신호처리모듈은동일한기판상에형성되며, 광검출소자는적어도하나이상의실리콘나노와이어로형성된다.
Abstract translation: 使用本发明的纳米线的图像传感器包括基板，检测入射光和光学检测的基础上，以产生一光电流，其大小是根据入射光强度chulsoja改变时，如果产生的光电流和大小，发生和强度信息入射光 和电连接所述光检测信号处理，用于输出当前的模块和光学检测chulsoja以及信号处理模块，包括，它包括一个在光学检测chulsoja以及信号处理模块，所述光学检测chulsoja和信号处理模块形成的电极是在同一基板 并且光电探测器由至少一个硅纳米线形成。
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公开(公告)号：KR1020170078187A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020150188463
申请日：2015-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/107 , H01L31/02 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035227 , H01L27/0248 , H01L27/1443 , H01L31/022408 , H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/1804 , H01L31/1864
Abstract: 본발명은실리콘(Si)으로형성되는제1 실리콘나노와이어, 상기제1 실리콘나노와이어의일면에, 제1 도펀트가도핑되어형성되는제1 도전성영역, 및상기제1 실리콘나노와이어의일면에, 상기제1 도전성영역으로부터길이방향으로연속하도록, 상기제1 도펀트와상이한도전형을갖는제2 도펀트가도핑되어형성되는제2 도전성영역을포함하며, 상기제1 실리콘나노와이어는양단에인가되는역전압의크기가기설정된항복전압이상인경우, 외부로부터의광 입사에의한내부전류의애벌런치증배가발생하는발생하는실리콘나노와이어를이용한애벌런치포토다이오드를제공한다.
Abstract translation: 如权利要求1所述的发明中，硅纳米线，第一硅纳米线的一个表面上，在所述第一掺杂剂被掺杂形式的第一导电区域，与所述第一硅纳米线的一个表面上的硅（Si）形成， 以及第二导电区域，其掺杂有导电性不同于所述第一掺杂物的第二掺杂物，以从所述第一导电区域沿纵向连续， 提供了使用硅纳米线的雪崩光电二极管，其中当电压大于预定击穿电压时，内部电流的雪崩倍增是由来自外部的光入射引起的。
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