公开(公告)号：KR1020030057069A

公开(公告)日：2003-07-04

申请号：KR1020010087441

申请日：2001-12-28

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  도원중 ,  노현수 ,  이길성 ,  이종원 ,  윤보언 ,  하상록

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: PURPOSE: A slurry composition for polishing metal lines in CMP(Chemical Mechanical Polishing) process is provided to obtain a high polishing speed, excellent polishing uniformity and improved dispersion stability. CONSTITUTION: The slurry composition for polishing metal lines is characterized by comprising a metal oxide powder, an europium compound, hydrogen peroxide, a phosphorus compound, nitric acid and deionized water. In particular, the slurry composition comprises 1 to 30 wt% of the metal oxide powder, 0.01 to 0.5 wt% of the europium compound, 0.5 to 4.0 wt% of hydrogen peroxide, 0.01 to 0.05 wt% of the phosphorus compound, 0.3 to 0.5 wt% of nitric acid and the balance of deionized water.

Abstract translation: 目的：提供CMP（化学机械抛光）工艺中用于抛光金属线的浆料组合物，以获得高抛光速度，优异的抛光均匀性和改善的分散稳定性。 构成：用于抛光金属线的浆料组合物的特征在于包含金属氧化物粉末，铕化合物，过氧化氢，磷化合物，硝酸和去离子水。 特别地，浆料组合物含有1〜30重量％的金属氧化物粉末，0.01〜0.5重量％的铕化合物，0.5〜4.0重量％的过氧化氢，0.01〜0.05重量％的磷化合物，0.3〜0.5 重量百分比的硝酸和余量的去离子水。

公开(公告)号：KR100359216B1

公开(公告)日：2002-11-04

申请号：KR1020000075808

申请日：2000-12-13

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  이길성 ,  김석진 ,  노현수

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 금속층 연마용 슬러리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 연마제 0.10~10.00중량%, 과산화 수소수 1.00∼3.00중량%, 질산철 0.03∼0.10중량%, 1-히드록시에틸다이엔(1,1-디포스폰산)테트라칼륨 0.001~0.01중량%, pH 조절제 0.05∼0.20중량% 및 탈이온수 87.00∼95.00중량%를 포함하는 반도체 소자의 금속층 연마용 슬러리에 관한 것이며, 본 발명의 금속층 연마용 슬러리는 매우 안정하여 장기 보관시에도 연마속도가 일정하게 유지되며, 질산철 및 기타 첨가제를 조금만 사용하여도 되므로 금속오염을 줄일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020020047421A

公开(公告)日：2002-06-22

申请号：KR1020000075811

申请日：2000-12-13

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  이길성 ,  김석진 ,  노현수

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A slurry for polishing metal layers of semiconductor devices is provided to restrain decomposition of hydrogen peroxide by adding some diethylenetriamine penta. CONSTITUTION: A slurry for polishing metal layers of semiconductor devices is composed of a polishing agent having in the range of 0.10-10.00 weight%, an oxygenated water having in the range of 1.00-3.00 weight%, a ferrous nitrate having in the range of 0.03-0.10 weight%, a diethylenetriamine penta having in the range of 0.00 1-0.01 weight%, a pH controlling agent having in the range of 0.05-0.20 weight%, and a deionized water having in the range of 87.00-95.00 weight%.

Abstract translation: 目的：提供一种用于抛光半导体器件的金属层的浆料，以通过加入一些二亚乙基三胺五胺来抑制过氧化氢的分解。 构成：用于抛光半导体器件的金属层的浆料由0.10-10.00重量％范围内的氧化水，1.00-3.00重量％范围内的氧化水，硝酸亚铁的范围内的抛光剂组成， 0.03-0.10重量％，0.001-0.01重量％范围内的二亚乙基三胺五聚体，0.05-0.20重量％范围内的pH控制剂和87.00-95.00重量％范围内的去离子水， 。

公开(公告)号：KR1020020047417A

公开(公告)日：2002-06-22

申请号：KR1020000075806

申请日：2000-12-13

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이길성 ,  김석진 ,  이재석 ,  노현수

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A slurry for polishing metal layers of semiconductor devices is provided to restrain decomposition of hydrogen peroxide by adding some ethylenediaminetetra. CONSTITUTION: A slurry for polishing metal layers of semiconductor devices is composed of a polishing agent having in the range of 0.10-10.00 weight%, an oxygenated water having in the range of 1.00-3.00 weight%, a ferrous nitrate having in the range of 0.03-0.10 weight%, an ethylenediaminetetra having in the range of 0.001-0.01 weight%, a pH controlling agent having in the range of 0.05-0.20 weight%, and a deionized water having in the range of 87.00-95.00 weight%.

Abstract translation: 目的：提供一种用于抛光半导体器件金属层的浆料，通过加入一些乙二胺四环素来抑制过氧化氢的分解。 构成：用于抛光半导体器件的金属层的浆料由0.10-10.00重量％范围内的氧化水，1.00-3.00重量％范围内的氧化水，硝酸亚铁的范围内的抛光剂组成， 0.03-0.10重量％，0.001-0.01重量％范围内的乙二胺四乙酸酯，0.05-0.20重量％范围内的pH控制剂和87.00-95.00重量％范围内的去离子水。

公开(公告)号：KR101422663B1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：KR1020110136746

申请日：2011-12-16

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김용국 ,  홍창기 ,  강동헌 ,  최병호 ,  노현수 ,  김태영 ,  김형수 ,  김종우

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 본 발명은 산화막 연마용 CMP 슬러리 조성물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 연마 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 패드 절삭률이 2% ~ 6%인 산화막 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법에 관한 것이다. 본 발명은 다이아몬드 디스크 마모율을 낮춤과 동시에 연마 성능이 높은 CMP 슬러리 조성물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 연마 방법을 제공하였다.

公开(公告)号：KR101411019B1

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：KR1020110146562

申请日：2011-12-29

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노현수 ,  김용국 ,  정영철 ,  강동헌 ,  김동진 ,  김태영 ,  홍창기

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1409 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 본 발명은 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 양의 제타 전위를 갖는 금속산화물 입자; 양쪽 이온성 화합물; 양이온성 계면활성제; 및 초순수를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020100077646A

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：KR1020080135657

申请日：2008-12-29

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노현수 ,  이인경

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: PURPOSE: A chemical mechanical polishing slurry composition is provided to remarkably reduce a defect of localized light scatter more than 50nm and to be used for a polishing process of the silicon wafer. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing slurry composition includes ultrapure water, an abrasive, a water-soluble polymer, and a surfactant. An aliphatic polyhydric alcohol-based compound is used as the surfactant with an amount of 0.0005-1 weight% based on the total slurry composition. The surfactant additionally uses an acetylene-based surfactant. The abrasive is selected from a group comprising silica(SiO_2), alumina(Al_2O-3), ceria(CeO_2), zirconia(ZrO_2), and titania(TiO_2).

Abstract translation: 目的：提供化学机械抛光浆料组合物，以显着减少50nm以上局部光散射的缺陷，并用于硅晶片的抛光工艺。 构成：化学机械抛光浆料组合物包括超纯水，研磨剂，水溶性聚合物和表面活性剂。 使用脂肪族多元醇类化合物作为表面活性剂，其用量为总淤浆组成的0.0005-1重量％。 表面活性剂另外使用乙炔类表面活性剂。 研磨剂选自二氧化硅（SiO_2），氧化铝（Al_2O-3），二氧化铈（CeO_2），氧化锆（ZrO_2）和二氧化钛（TiO_2）的组。

公开(公告)号：KR100725803B1

公开(公告)日：2007-06-08

申请号：KR1020060121887

申请日：2006-12-05

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노현수 ,  이인경

IPC: H01L21/304

Abstract: A slurry composition for finally polishing a silicone wafer and a method for polishing the silicone wafer finally using the same are provided to improve surface roughness of the silicon wafer by decreasing the number of localized light scatters having 50 nm or more. A slurry composition for polishing a silicone wafer finally includes deionized water, polishing grains, a pH control agent, a water-soluble thinner, acetylene-based surfactant and heterocyclic amine. The heterocylic amine comprises at least one selected from the group consisting of piperidine, 1-ethyl piperidine, 1-(2-aminethyl)piperidine, piperazine, 1-ethyl piperazine, 1-aminoethyl piperazine, 1-hydroxyethyl piperazine and 2-pyrrolidinone.

Abstract translation: 提供一种用于最终抛光硅晶片的浆料组合物和使用该浆料组合物最终抛光该硅晶片的方法，以通过减少具有50nm或更大的局部光散射体的数量来改善硅晶片的表面粗糙度。 用于抛光硅晶片的浆料组合物最后包括去离子水，抛光颗粒，pH控制剂，水溶性稀释剂，乙炔基表面活性剂和杂环胺。 杂环胺包括选自哌啶，1-乙基哌啶，1-（2-胺乙基）哌啶，哌嗪，1-乙基哌嗪，1-氨基乙基哌嗪，1-羟乙基哌嗪和2-吡咯烷酮中的至少一种。

公开(公告)号：KR100636994B1

公开(公告)日：2006-10-20

申请号：KR1020040067829

申请日：2004-08-27

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노현수 ,  박태원 ,  이태영 ,  이인경

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 유기산 또는 그의 염을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 경면 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 슬러리 조성물은 마이크로 스크래치(Microscratch) 등의 물리적 표면결함을 제거하고, 마이크로 러프니스(Microroughness)를 낮추어 웨이퍼의 표면이하 결함을 크게 개선할 수 있다.
실리콘 웨이퍼, 경면연마, 슬러리 조성물

公开(公告)号：KR100558259B1

公开(公告)日：2006-03-10

申请号：KR1020030084065

申请日：2003-11-25

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노현수 ,  박태원 ,  이길성 ,  이인경

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 실리콘 웨이퍼 연마용 슬러리 및 이를 이용한 경면연마 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 평균 입경이 10-200nm인 콜로이드 실리카, 아크릴레이트 또는 암모늄염과 공중합된 폴리피롤리돈 공중합체, TMAH, pH 조절제 및 탈이온수를 포함하는 실리콘 웨이퍼 연마용 슬러리 및 상기 연마용 슬러리를 2차 연마 단계에서 사용하는 것을 특징으로 하는 다단계 경면연마 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 연마용 슬러리를 사용하여 경면연마 공정을 수행하면 미크론 단위 이하의 LPD(submicron LPD)가 크게 감소되는 효과를 제공할 수 있다.
실리콘 웨이퍼, 경면연마, 실리카. 폴리피롤리돈 공중합체, TMAH, pH조절제