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公开(公告)号：KR1020100128437A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：KR1020090046823
申请日：2009-05-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/565 , C04B35/632 , C04B35/571 , C04B35/581
Abstract: PURPOSE: A resistivity silicon carbide sintered body is provided to reduce volume resistivity of a silicon carbide ceramic material and to reduce the content of a sintering aid, using polysiolxane, carbon precursor, and β-silicon carbide powder. CONSTITUTION: A resistivity silicon carbide sintered body composition comprises 5.5-65 weight% polysiloxane, 3.5-40 weight% at least one kind of carbon precursor selected from phenol resin and xylene resin, 0.1-90 weight% -silicon carbide powder, 0.01-0.3 weight% aluminum-nitride, and 0.01-0.5 weight% rare earth metal oxide.
Abstract translation: 目的：提供一种电阻率碳化硅烧结体，以减少碳化硅陶瓷材料的体积电阻率，并使用聚硅氧烷，碳前体和β-碳化硅粉末降低烧结助剂的含量。 构成：电阻率碳化硅烧结体组合物包含5.5-65重量％的聚硅氧烷，3.5-40重量％的至少一种选自酚醛树脂和二甲苯树脂的碳前体，0.1-90重量％的碳化硅粉末，0.01-0.3 重量百分比的氮化铝和0.01-0.5重量％的稀土金属氧化物。
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公开(公告)号：KR1020100115992A
公开(公告)日：2010-10-29
申请号：KR1020090034685
申请日：2009-04-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/36 , C04B35/573 , C04B35/565
CPC classification number: C01B32/956 , C01B32/05 , C01P2006/10 , C01P2006/80 , C01P2006/90 , C04B35/573
Abstract: PURPOSE: Silicon carbide/carbon composite powder and high purity and high strength reaction bonded silicon carbide using the same are provided to be used in a reaction bonded silicon carbide jig for a next generation semiconductor high temperature process, components for a high temperature vacuum device, and heater components for a semiconductor process. CONSTITUTION: A method for manufacturing silicon carbide/carbon composite powder comprises the following steps. Silicon and carbon are mixed by alcohol solvent so that a mole ratio of one carbon element is 1.6~4.5 based on one mole of silicon element. A hydrolysis catalyst of 0.05~0.14 mole ratio based on one silicon mole is added to the mixture. The mixture is made gel or solid.
Abstract translation: 目的：将碳化硅/碳复合粉末和高纯度高强度反应接合的碳化硅用于下一代半导体高温工艺的反应接合碳化硅夹具，用于高温真空装置的部件， 和用于半导体工艺的加热器部件。 构成：制造碳化硅/碳复合粉末的方法包括以下步骤。 硅和碳通过醇溶剂混合，使得一个碳元素的摩尔比基于1摩尔的硅元素为1.6〜4.5。 将基于一个硅摩尔的0.05〜0.14摩尔比的水解催化剂加入到混合物中。 混合物制成凝胶或固体。
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公开(公告)号：KR100540756B1
公开(公告)日：2006-01-10
申请号：KR1020030007861
申请日：2003-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 하전 입자의 선택적 바이어스에 의한 선택영역 코팅 기술로서, 금속/산화물/금속 나노 다층 선택영역 코팅 공정이 가능하다. 본 발명에 의한 나노박막은 박막을 형성하고자 하는 물질을 원자 또는 분자 단위의 하전 입자로 준비하고, 나노 크기의 패턴이 형성된 기판에 국부적인 바이어스를 형성시키고, 상기 하전 입자를 상기 나노 패턴에 선택적으로 코팅시키는 방법에 의하여 형성된다.
보텀업 공정, 나노소자, 선택 코팅, 금속/산화물 나노 다층 박막, 이온화 스퍼터링, 바이어스,-
公开(公告)号：KR100165868B1
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019950012784
申请日：1995-05-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B22F3/00
CPC classification number: C04B41/009 , C04B35/573 , C04B41/4523 , C04B41/81 , C23C2/006 , C04B41/4505 , C04B41/4511 , C04B41/4515 , C04B41/4517 , C04B41/4556 , C04B41/5096 , C04B35/565 , C04B35/52
Abstract: 본 발명은 용융 규소 및 규소-몰리브데늄의 침투에 의한 탄화규소 반응소결체의 연속제조공정에 관한 것으로, 본 발명에서는 열분해 카본 코팅된 그라파이트 또는 고밀도 그라파이트의 이동통로를 통하여 용융금속 공급용기로부터 용융 규소 또는 용융 규소-몰리브데늄 합금이 반응대로 모세관압에 의해 공급되고, 공급된 용융금속이 카본 직포를 통하여 카본 직포 위에 놓인 탄소질 성형체에 침윤됨과 동시에 카본 직포가 일정속도로 이동함으로써 탄화규소 반응소결체를 제조하도록 한 것이다.
이와 같은 본 발명 탄화규소 반응소결체의 제조장치 및 제조방법은 용융 규소의 표면산화에 의한 용융 규소의 침윤중단을 방지하게 되는 것이며, 탄화규소 반응소결체의 제조공정이 연속적으로 이루어지게 되어 제품을 대량으로 생산할 수 있고, 제품의 제조비용이 절감되며, 또한 판상 또는 튜브형상 등 다양한 크기 및 특성의 제품을 제조할 수 있도록 한 것이다.-
公开(公告)号：KR100112933B1
公开(公告)日：1997-03-10
申请号：KR1019930020438
申请日：1993-10-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/584 , C04B35/495
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960040517A
公开(公告)日：1996-12-17
申请号：KR1019950012784
申请日：1995-05-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B22F3/00
Abstract: 본 발명은 용융 규소 및 용융 규소-몰리브데늄의 침투에 의한 탄화 규소 반응소결체의 연속제조공정에 관한 것으로, 본 발명에서는 열분해 카본 코팅된 그라파이트 또는 고밀도 그라파이트의 이동통로를 통하여 용융금속 공급용기로부터 용융 규소 또는 용융 규소-몰리브데늄 합금이 반응대로 모세관압에 의해 공급되고, 공급된 용융금속이 카본 직포를 통하여 카본 직포 위에 놓인 탄소질 성형체에 침윤됨과 동시에 카본 직포가 일정속도로 이동함으로서 탄화규소 반응소결체를 제조하도록 한 것이다.
이와 같은 본 발명 탄화규소 반응소결체의 제조장치 및 제조방법은 용융 규소의 표면산화에 의한 용융 규소에 침윤중단을 방지하게 되는 것이며, 탄화규소 반응소결체의 제조공정이 연속적으로 이루어지게 되어 제품을 대량으로 생산할 수 있고, 제품의 제조비용이 절감되며, 또한 판상 또는 튜브형상 등 다양한 크기 및 특성의 제품을 제조할 수 있도록 한 것이다.-
公开(公告)号：KR101413653B1
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020120025947
申请日：2012-03-14
Applicant: 한국과학기술연구원 , 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: C01B31/36 , C01B32/956
Abstract: 본 발명은 고순도 탄화규소 분말의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 금속 규소와 이산화규소 분말로 이루어진 출발원료로부터 발생하는 기상 규소원과 고상의 탄소원을 원료로 사용하여 진공 분위기 또는 아르곤(Ar) 분위기 하에서 고온 열처리하는 공정으로 진행되며, 기상의 규소원과 고상의 탄소원의 조성변화, 열처리 온도 및 시간 조절을 통하여 탄화규소 분말의 크기 및 결정상을 제어하는 것이 용이한 고순도 탄화규소 분말의 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR101361814B1
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020120033004
申请日：2012-03-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C10/34
CPC classification number: B05D7/14 , C23C8/02 , C23C8/70 , C23C8/80 , C23C10/02 , C23C10/08 , C23C10/60
Abstract: 본 발명은 팩세멘테이션 공정을 이용한 철계 금속 표면의 코발트 붕화물 코팅층 형성 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 철강표면에 코발트 붕화물(Co
2 B) 조성의 최외각층과 철-코발트 붕화물((Fe,Co)
2 B) 조성의 내부층으로 이루어진 복합 코팅층을 형성함으로서 기공과 같은 결함이 거의 없는 치밀한 코팅으로 철강의 내식성과 내마모성, 내산화성 등을 향상시키는 코발트 붕화물 코팅층의 형성방법에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR101152656B1
公开(公告)日：2012-06-05
申请号：KR1020100023769
申请日：2010-03-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/101 , C04B35/565 , C04B35/657 , C04B28/00
CPC classification number: C04B28/005 , C04B35/565 , C04B35/6303 , C04B35/6365 , C04B35/66 , C04B2111/28 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3218 , C04B2235/3222 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3826 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B14/30 , C04B14/303 , C04B14/304 , C04B14/306 , C04B14/324 , C04B24/383
Abstract: 본발명은 AlO, SiC를포함하는내화제혼합물에알루미나졸 바인더를첨가한부정형내화물에관한것이다. 본발명의내화물은알루미나졸 바인더가혼합내화제에결합성을주고, CaO가함유된시멘트를사용하는것이아니어서고온에서사용하더라도 CaO에의한침식이일어나지아니하며, 건조후 형상을유지하고, 충분한취급강도를갖추고있으며, 열처리후 수축이거의일어나지않고, 기공율이적으며, 높은강도를나타내므로특히가스화기에사용될시매우유용하다.
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公开(公告)号：KR101084711B1
公开(公告)日：2011-11-22
申请号：KR1020090034686
申请日：2009-04-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/36 , C04B35/565
Abstract: 본 발명은 액상의 규소 화합물과 탄소 화합물을 혼합, 교반하여 젤(gel)화시키고, 생성된 젤을 분말 형태로 만들어 젤 분말을 얻은 후, 규소 분말 또는 덩어리(ingot)를 첨가하여 열처리하는 고순도 탄화규소 분말의 저온 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 고순도 베타상 탄화규소 미세 분말 제조 공정에 의하여 제조된 1 ㎛ 이하 크기의 탄화규소 분말은 반도체 고온 공정용 치구로 사용할 수 있는 고순도 소결 탄화규소(sintered SiC) 치구 및 반응소결 탄화규소(reaction bonded SiC) 제조용 원료 분말 등으로 사용될 수 있으리라 기대된다.
탄화규소, 미세 분말, 저온제조, 고순도
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