公开(公告)号：KR1020020074070A

公开(公告)日：2002-09-28

申请号：KR1020020010611

申请日：2002-02-27

Applicant: 지에스나노텍 주식회사 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 조원일 ,  윤영수 ,  남상철 ,  박호영 ,  임영창 ,  전은정

IPC: B42D25/20 ,  B42D25/36 ,  B42D25/40

CPC classification number: B42D25/415 ,  B42D25/36

Abstract: PURPOSE: A method for coating a parylene polymer protection layer with good water resistance, heat resistance and chemicals resistance on a plastic card and its coating cartridge are provided, to improve the adhesion strength of the parylene polymer layer to the substrate. CONSTITUTION: The method comprises the steps of optionally washing a plastic card with isopropyl alcohol and highly pure water; optionally coating any one metal selected from the group consisting of Al, Cu, Ni and Pt on the surface of the plastic card; dipping a plastic card into the solution containing xylene and 1-15 wt% of trichlorovinylsilane to pretreat the card; optionally drying the card(substrate) sufficiently; and condensing the pyrolyzed vapor phase parylene monomer on the surface of a substrate to make the parylene polymer be coated on the surface. Also the method comprises the steps of coating a Li thin film on the some part of a plastic card; and condensing the pyrolyzed vapor phase parylene monomer on the surface of a substrate to make the parylene polymer be coated on the surface.

Abstract translation: 目的：提供一种在塑料卡及其涂料盒上涂覆具有良好的耐水性，耐热性和耐化学性的聚对二甲苯聚合物保护层的方法，以提高聚对二甲苯聚合物层与基材的粘附强度。 方案：该方法包括以下步骤：用异丙醇和高纯度水洗涤塑料卡; 任选地在塑料卡的表面上涂覆选自Al，Cu，Ni和Pt中的任一种金属; 将塑料卡浸入含有二甲苯和1-15重量％三氯乙烯基硅烷的溶液中预处理卡; 任选地对卡片（基材）充分干燥; 并将热解的气相聚对二甲苯单体在基材的表面上冷凝，使得聚对二甲苯聚合物涂覆在表面上。 此外，该方法包括在塑料卡的某部分上涂布Li薄膜的步骤; 并将热解的气相聚对二甲苯单体在基材的表面上冷凝，使得聚对二甲苯聚合物涂覆在表面上。

公开(公告)号：KR100346137B1

公开(公告)日：2002-08-01

申请号：KR1019990058267

申请日：1999-12-16

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 윤경석 ,  조병원 ,  조원일 ,  남상철 ,  윤영수

IPC: H01M4/36

Abstract: 본발명은구리가첨가된비정질의산화바나듐을양극으로사용하는이차전지에관한것으로, 상기구리는 0.1 ~ 15 wt%의범위로첨가되며, 상기산화바나듐과구리는층상구조로형성시킬수도있다. 또한, 상기산화바나듐에는구리이외에철, 니켈, 코발트, 주석, 안티몬, 비스무트, 마그네슘, 아연, 크롬으로이루어지는군에서선택되는하나이상의물질을추가적으로포함시킬수 있으며, 추가되는양은총 0.1 ~ 15 wt%의범위가적당하다. 본발명에의하면종래의산화바나듐양극에비하여수명특성이개선되어 500회이상의충방전사이클에서도안정적인산화바나듐양극을제공할수 있게되었다. 따라서, 산화바나듐을이용한이차전지의용량및 수명을개선하는효과가매우크며, 종래기술에서요구되는별도의양극열처리공정이필요하지않기때문에생산비용을크게절감할수 있게되었다.

公开(公告)号：KR100336407B1

公开(公告)日：2002-05-10

申请号：KR1020000041408

申请日：2000-07-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 윤영수 ,  조원일 ,  조병원 ,  송종한 ,  전은정 ,  남상철 ,  신영화

IPC: H01M10/38

Abstract: 본 발명은 리튬 이온 전지의 전해질로 이용되는 LiPON 박막의 원료인 박막 전지를 위한 전해질용 리튬인산염 스퍼터링 타겟 제조 방법에 관한 것으로, 리튬인산염 분말을 600∼950℃의 온도 범위에서 하소 처리하는 단계와; 상기 단계에서 하소 처리된 분말을 분쇄하는 단계와; 상기 단계에서 분쇄된 분말을 압축 성형하는 단계와; 상기 단계에서 압축 성형된 성형체를 500∼1500℃의 온도 범위에서 소결 처리하는 단계를 포함하여 이루어진다.

公开(公告)号：KR100324624B1

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：KR1020000009629

申请日：2000-02-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 윤경석 ,  조병원 ,  조원일 ,  김형선 ,  김운석 ,  남상철 ,  이승원 ,  윤영수

IPC: H01M10/36

Abstract: 본 발명은 다공성 금속, 금속산화물 또는 탄소박막이 피복된 금속산화물전극 및 그 제조방법, 이를 이용한 리튬 이차전지에 관한 것으로, 리튬 이차전지의 제조시, 금속산화물계 양극 표면상에 일반적으로 알려진 박막제조기술을 사용하여 Li, Al, Sn, Bi, Si, Sb, Ni, Cu, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Zn, Mo, W, Ag, Au, Pt, Ir, Ru, 탄소 및 이들의 합금 또는 산화물의 다공성 박막을 수Å ∼ 수 ㎛의 두께로 코팅하여 만듦으로써, 전지의 용량, 고율충방전 특성, 및 수명특성을 크게 향상시킨 것이다. 이러한 발명은 리튬을 이용하는 모든 이차전지의 제작에도 응용될 수 있다.

公开(公告)号：KR100324623B1

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：KR1020000008484

申请日：2000-02-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 윤경석 ,  조병원 ,  조원일 ,  김형선 ,  김운석 ,  남상철 ,  윤영수

IPC: H01M10/38

Abstract: 본 발명은 다공성 금속박막이 피복된 탄소전극 및 그 제조방법, 이를 이용한 리튬 이차전지에 관한 것으로, 리튬 이차전지의 제조시, 탄소계 음극 표면상에 일반적으로 알려진 박막제조기술을 사용하여 Li, Al, Sn, Bi, Si, Sb, Ni, Cu, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Zn, Mo, W, Ag, Au, Pt, Ru, Ir, In 금속 또는 이들의 합금의 다공성 박막을 수Å ∼ 수 ㎛의 두께로 코팅하여 만듦으로써, 전지의 용량, 고율충방전 특성, 및 수명특성을 크게 향상시킨 것이다. 이러한 발명은 리튬을 이용하는 모든 이차전지의 제작에도 응용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020020012942A

公开(公告)日：2002-02-20

申请号：KR1020000046213

申请日：2000-08-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송종한 ,  최원국 ,  윤영수 ,  이석 ,  임성일

IPC: H01L29/872

Abstract: PURPOSE: A method for forming a high voltage Schottky diode is provided to increase a breakdown voltage, by performing an ion implantation process in a self-aligned method to carry out an edge termination. CONSTITUTION: A metal layer pattern is formed on a silicon substrate(110). Ions are implanted into the silicon substrate by using the meal layer pattern as an ion implantation mask. Boron ions are used in the ion implantation process. The silicon substrate has an N-type conductivity. The metal layer pattern is composed of gold.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成高电压肖特基二极管的方法，以通过以自对准方式执行离子注入工艺来实现边缘终止来增加击穿电压。 构成：在硅衬底（110）上形成金属层图案。 通过使用餐层图案作为离子注入掩模将离子注入到硅衬底中。 硼离子用于离子注入工艺。 硅衬底具有N型导电性。 金属层图案由金组成。

公开(公告)号：KR1020000014501A

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019980033967

申请日：1998-08-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 윤영수 ,  정형진 ,  최원국 ,  윤석진

IPC: H01L23/58 ,  H01M6/18

CPC classification number: H01M10/425 ,  H01M6/40 ,  H01M10/0436 ,  Y10T29/49108 ,  Y10T29/49115

Abstract: PURPOSE: An electric element having stacked thin film type cell and the manufacturing method thereof are provided to minimize the space which the element takes and enhance the integration rate of the element by removing the space of the cell. CONSTITUTION: The electric element having stacked thin film type cell which is contacted on said element. The manufacturing method of the element comprises: a step depositing nonconductor on the top of the electric element positioned on a semiconductor substrate to form a encapsulation film in periphery of the element; a step removing the portion of said encapsulation film covering the electrode of said element by photoresistor deposition and selective etching process to expose the electrode; a step extending said electrode to the outer surface of said encapsulation film by depositing conductive material on the etched encapsulation film portion; and a step forming a thin film cell on the top of the element consisted of said encapsulation film and electrode.

Abstract translation: 目的：提供具有堆叠薄膜型电池的电气元件及其制造方法，以通过去除电池的空间来最小化元件所占用的空间并提高元件的积分率。 构成：具有与所述元件接触的层叠薄膜型电池的电气元件。 该元件的制造方法包括：在位于半导体衬底上的电气元件的顶部上沉积非导体以在元件的周边形成封装膜的步骤; 通过光敏电阻沉积和选择性蚀刻工艺去除覆盖所述元件的电极的所述封装膜的部分以暴露电极的步骤; 通过在蚀刻的封装膜部分上沉积导电材料将所述电极延伸到所述封装膜的外表面的步骤; 以及在由所述封装膜和电极组成的元件的顶部上形成薄膜电池的步骤。

公开(公告)号：KR1019960005849A

公开(公告)日：1996-02-23

申请号：KR1019940017205

申请日：1994-07-16

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 염상섭 ,  윤영수

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명은 평면형 전계발광소자(Electroluminescent display;ELD)의 작동을 위하여 사용되는 산화막 절연막을 비정질(amorphouse)로 하여 증착온도를 낮추어 ITO와 증착 산화물 간의 계면 반응을 억제하고 또한 비정질 막의 고유한 특성인 유전강도의 증가와 소자로서 이용되었을 때 투명도의 증가를 도모하는 비정질 강유전성 절연막의 증착과 사용에 관한 것이다.