公开(公告)号：KR100392371B1

公开(公告)日：2003-07-22

申请号：KR1020000059175

申请日：2000-10-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장우진 ,  맹성재 ,  김민건 ,  형창희 ,  이경호

IPC: H03H7/18

Abstract: PURPOSE: A phase displacement unit having a low insertion loss variation is provided, which has extremely low variation of an insertion loss within a designed frequency range, by making an insertion loss when operating as a low pass filter similar to an insertion loss when operating as a high pass filter. CONSTITUTION: MESFET(105a,106,105b) are connected in serial between an input port(101) and an output port(102). A capacitor(110a) is connected between a source and a drain of the MESFET(105a). An inductor(111a), a resistor(400a), a resistor(400b) and an inductor(111b) are connected in serial from a source to a drain of the MESFET(106). And a capacitor(110b) is connected between a source and a drain of the MESFET(105b). Also, MESFET(107,108) are connected in serial between a connection node(A) of the resistors(400a,400b) and a ground, and an inductor(112) is connected between a source and a drain of a MESFET(108). Gates of each MESFET are connected to a resistor, and each MESFET receives a bias signal applied to signal ports(103,104) through the resistor.

Abstract translation: 本发明提供一种具有低插入损耗变化量的相位移动单元，其在设计频率范围内具有极低的插入损耗变化，通过在作为低通滤波器工作时产生插入损耗， 高通滤波器。 构成：MESFET（105a，106,105b）串联连接在输入端口（101）和输出端口（102）之间。 电容器（110a）连接在MESFET（105a）的源极和漏极之间。 电感器（111a），电阻器（400a），电阻器（400b）和电感器（111b）从MESFET（106）的源极到漏极串联连接。 并且电容器（110b）连接在MESFET（105b）的源极和漏极之间。 而且，MESFET（107,108）串联连接在电阻器（400a，400b）的连接节点（A）和地之间，并且电感器（112）连接在MESFET（108）的源极和漏极之间。 每个MESFET的栅极连接到电阻器，并且每个MESFET接收通过该电阻器施加到信号端口（103,104）的偏置信号。

公开(公告)号：KR100371026B1

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：KR1019990029163

申请日：1999-07-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  강성원 ,  오응기 ,  이재진

IPC: H03G3/30

Abstract: PURPOSE: A gain controlled amplifier is provided to make a control width be wider and to prevent a degradation of a power characteristics using a two-stage active feedback circuit that uses a drain common field effect transistor. CONSTITUTION: An amplifier part(220) has the first input terminal(201) that inputs an exterior signal, the first to third capacitor(202,204,205) and the first and second field effect transistor(203,206). The amplifier part(220) amplifies and outputs the input signal with two-stage. A feedback part(230) has an output terminal to which the amplified signal is output and the second input terminal(209) which a bias is inputted to. The feedback part(230) has the forth and fifth capacitor(208,213) and the third field effect transistor(210) having a source and drain connected to a load(211,212). The feedback part(230) feedbacks a part of the signal output to the output terminal(207) to the amplifier part(220) when the high bias is inputted through the second input terminal(209).

Abstract translation: 目的：提供一个增益控制放大器，使控制宽度更宽，并防止使用使用漏极公共场效应晶体管的两级有源反馈电路降低功率特性。 构成：放大器部件（220）具有输入外部信号的第一输入端子（201），第一至第三电容器（202,204,205）以及第一和第二场效应晶体管（203,206）。 放大器部分（220）放大并输出具有两级的输入信号。 反馈部分（230）具有输出放大信号的输出端子和输入偏压的第二输入端子（209）。 反馈部分（230）具有第四和第五电容器（208,213）和第三场效应晶体管（210），其源极和漏极连接到负载（211,212）。 当通过第二输入端子（209）输入高偏压时，反馈部分（230）将输出到输出端子（207）的信号的一部分反馈到放大器部分（220）。

公开(公告)号：KR100340046B1

公开(公告)日：2002-06-12

申请号：KR1019990047886

申请日：1999-11-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오응기 ,  김민건 ,  강성원 ,  이재진

IPC: H04B7/208

CPC classification number: H04B1/18

Abstract: 본발명은셀룰라, PCS, WLL 및 IMT2000 등의무선/이동통신시스템에범용으로사용이가능하며, 적은소비전력, 낮은잡음특성, 높은이득그리고작은크기를가지는 RF 부의다중대역및 다중모드용주파수변환수신기를제공하는데그 목적이있으며, 본발명의일 측면에따르면, 다수의무선이동통신시스템을지원하기위한다중대역및 다중모드용주파수변환수신기에있어서, 고주파입력신호를증폭하기위한광대역저잡음증폭수단; 국부발진주파수신호및 상기광대역저잡음증폭수단으로부터출력되는증폭된고주파신호를혼합하여상대적으로높은선형성을가지는중간주파수신호를검출하기위한주파수혼합수단; 상기주파수혼합수단으로부터출력되는상기중간주파수신호를증폭하여최종적인중간주파수신호를출력하는중간주파수증폭수단; 및입력단및 접지전원단사이에직렬연결되는인덕터및 커패시터를포함하며, 상기인덕터및 상기커패시터의공통연결단에상기광대역저잡음증폭수단의입력단이연결되며, 상기무선이동통신시스템의주파수대역내 고주파신호를인가받아상기광대역저잡음증폭수단의상기고주파입력신호로임피던스정합시키되, 상기주파수변환수신기의동작주파수대역을결정하는입력정합회로부를구비하며, 상기광대역저잡음증폭수단은, 상기입력정합회로부로부터의상기고주파입력신호를증폭하여서로상보적인제1 및제2 고주파신호를출력하는소오스접지형입력단회로부; 상기입력단회로부로부터출력되는제1 및제2 고주파신호를각각증폭하는게이트접지형증폭회로부; 및상기게이트접지형증폭회로부로부터출력되는증폭된상기제1 및제2 고주파신호에응답하여상기증폭된고주파신호를구동하는푸시-풀구조의능동정합형출력단회로부를구비하는것을특징으로하는다중대역및 다중모드용주파수변환수신기가제공된다.

公开(公告)号：KR100298207B1

公开(公告)日：2001-08-07

申请号：KR1019980049841

申请日：1998-11-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  강성원 ,  오응기 ,  이재진

IPC: H03D3/00

Abstract: 본 발명은 단일신호를 상보적인 신호로 만들거나 상보적인 신호를 단일 신호로 묶는 역할을 하는 발룬회로를 사용하지 않아, 칩의 소비 전력을 줄이고 칩의 면적을 줄여 저 가격화를 이룰수 있는 단일밸런스능동혼합기 회로를 제공하고자 하는 것으로 이를 위한 본 발명의 단일밸런스능동혼합기 회로는, 고주파신호 입력단; 발진자신호 입력단; 상기 고주파신호 및 상기 발진자신호에 응답된 중간주파수신호를 출력하는 출력단; 상기 출력단으로부터 제1전원전압단으로 채널이 직렬 접속되고, 게이트단이 각기 상기 발진자신호 입력단 및 상기 고주파신호 입력단에 연결된 제1 및 제2 트랜지스터; 상기 출력단과 상기 발진자신호 입력단 사이에 채널이 접속되고 게이트단이 제2전원전압단에 연결된 제3트랜지스터; 및 상기 발진자신호 입력단과 상기 고주파신호 입력단 사이에 채널이 접속되고, 게이트단이 제3전원전압단에 연결된 제4트랜지스터를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100298204B1

公开(公告)日：2001-08-07

申请号：KR1019980049842

申请日：1998-11-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  강성원 ,  오응기 ,  이재진

IPC: H03D3/00

Abstract: 본 발명은 입력되는 상보적인 RF+ 신호와 RF- 신호 간의 비대칭성을 보상하여, 선형성이 크게 향상된 이중밸런스능동혼합기를 제공하고자하는 것으로, 이를 위한 본 발명의 이중밸런스능동혼합기, 외부로부터 입력되는 서로 상보적인 위상을 갖는 제1 및 제2 고주파신호를 증폭하여 전달하는 입력단트랜지스터부와, 서로 상보적인 위상을 갖는 제1 및 제2 발진자신호에 응답하여 상기 입력단트랜지스터부로부터 출력되는 증폭된 제1 및 제2 고주파신호를 단속하므로써 서로 상보적인 제1 및 제2 중간주파신호를 출력하는 출력단트랜지스터부를 포함하는 이중밸런스능동혼합기에 있어서, 상기 입력단트랜지스터부는, 상기 외부로부터 입력되는 제1고주파신호를 게이트로 입력받아 증폭하는 제1트랜지스터; 상기 외부로부터 입력되는 제2고주파신호를 게이트로 입력받아 증폭하는 제2트랜지스터; 상기 외부로부터 입력되는 제1고주파신호를 소오스로 입력받아 증폭하는 제3트랜지스터; 및 상기 외부로부터 입력되는 제2고주파신호를 소오스로 입력받아 증폭하는 제4트랜지스터를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020010044853A

公开(公告)日：2001-06-05

申请号：KR1019990047886

申请日：1999-11-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오응기 ,  김민건 ,  강성원 ,  이재진

IPC: H04B7/208

CPC classification number: H04B1/18

Abstract: PURPOSE: A very high frequency integrated frequency conversion receiving circuit is provided so that it is employed in a wireless mobile communication system such as PCS, WLL and IMT2000 for general uses. CONSTITUTION: A wide band low noise amplification unit(202) amplifies a high frequency input signal. A frequency mixing unit(204) detects an intermediate frequency signal having a relatively high linearity by mixing a local oscillation frequency signal and the amplified high frequency signal outputted from the wide band low noise amplification unit(202). An intermediate frequency amplification unit(205) amplifies the intermediate frequency signal outputted from the frequency mixing unit(204) for thereby outputting a final intermediate frequency signal. An input matching circuit(201) unit performs impedance matching of a high frequency signal in a frequency band of the wireless mobile communication system to the high frequency input signal of the wide band low noise amplification unit(202), and decides an operating frequency band of a frequency conversion receiver.

Abstract translation: 目的：提供一种非常高频率的集成频率转换接收电路，以便在诸如PCS，WLL和IMT2000之类的无线移动通信系统中被用于一般用途。 构成：宽带低噪声放大单元（202）放大高频输入信号。 频率混合单元（204）通过混合本地振荡频率信号和从宽带低噪声放大单元（202）输出的放大高频信号来检测具有较高线性度的中频信号。 中频放大单元（205）放大从混频单元（204）输出的中频信号，从而输出最终的中频信号。 输入匹配电路（201）单元对无线移动通信系统的频带内的高频信号与宽带低噪声放大单元（202）的高频输入信号进行阻抗匹配，并且决定工作频带 的变频接收机。

公开(公告)号：KR100290460B1

公开(公告)日：2001-06-01

申请号：KR1019970072065

申请日：1997-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이창석 ,  강성원 ,  김민건 ,  이재진 ,  편광의

IPC: H03F3/45

Abstract: PURPOSE: A differential amplifier circuit is provided to easily remove various mixed frequency components from original differential signal by inputting signal with a source electrode and outputting signal with a drain electrode. CONSTITUTION: A differential amplifier circuit comprises a first load resistance, a second load resistance, a first transistor(22) and a second transistor(23). The first load resistance is connected with a power voltage distribution line(21) and a first output terminal. The second load resistance is connected with the distribution line and a second output terminal. In the first transistor, a drain electrode is connected with the first output terminal and the first signal is inputted through a source electrode, and the second signal is inputted through a gate. In the second transistor, a drain electrode is connected with a second output terminal and the second signal is inputted through the source electrode, and the first signal is inputted through the gate. The first signal is of reverse phase to that of the second signal.

公开(公告)号：KR100261286B1

公开(公告)日：2000-07-01

申请号：KR1019970069507

申请日：1997-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이재진 ,  김민건 ,  편광의

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A structure of an epitaxial substrate for a single chip microwave device is provided to improve the electrical characteristic of an interfacial surface and a metal by preventing an oxide layer from being formed in the interfacial surface between the epitaxial substrate and the metal. CONSTITUTION: A structure of an epitaxial substrate(1) comprises the first substrate including a buffer layer(2) having a thickness of 1 micrometer for obtaining the resistance higher than the resistance of the epitaxial substrate(1), an active layer(3) capable of forming a channel, and a cap layer(4) doped with impurities. The second substrate is formed on the first substrate. The second substrate includes the first metal layer(5), a dielectric layer(6) which is grown on the first metal layer(5), and the second metal layer(7) which is made of metal identical to the first metal layer(5). The dielectric layer(6) consists of AlAs so that the dielectric layer(6) can be formed through a sequence process.

Abstract translation: 目的：提供用于单芯片微波器件的外延衬底的结构，以通过防止在外延衬底和金属之间的界面表面中形成氧化物层来改善界面和金属的电特性。 构成：外延衬底（1）的结构包括第一衬底，其包括厚度为1微米的缓冲层（2），用于获得高于外延衬底（1）的电阻的电阻，有源层（3） 能够形成通道，以及掺杂有杂质的盖层（4）。 第二基板形成在第一基板上。 第二基板包括第一金属层（5），在第一金属层（5）上生长的介电层（6）和与第一金属层相同的金属制成的第二金属层（7） 5）。 电介质层（6）由AlAs组成，使得介电层（6）可以通过顺序工艺形成。

公开(公告)号：KR1020000033137A

公开(公告)日：2000-06-15

申请号：KR1019980049842

申请日：1998-11-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  강성원 ,  오응기 ,  이재진

IPC: H03D3/00

CPC classification number: H03D7/1441 ,  H03D7/1458 ,  H03D7/1491 ,  H03D2200/0084

Abstract: PURPOSE: A double balanced active mixer is provided to convert a frequency mixer into a signal having a new frequency character by modulating or mixing a raido frequency(RF) with a local oscillation(LO) signal. CONSTITUTION: An input-terminal transistor part of a double balanced active mixer amplifies a first and a second radio frequency(RF) having complementary phases each other inputted from outside. An output-terminal transistor part outputs the complementary a first and a second intermediate frequency(IF) by controlling the amplified the first and the second RF signals outputted from the input-terminal transistor part to response a first and a second oscillation signals. The input-terminal transistor part comprises of: a first transistor amplifying the first RF signal inputted from the outside by a gate; a second transistor amplifying the second RF signal inputted from the outside by the gate; a third transistor amplifying the first RF signal by a source; and a fourth transistor amplifying the second RF signal by the source.

Abstract translation: 目的：提供双平衡有源混频器，通过调制或混合雷达频率（RF）与本地振荡（LO）信号将混频器转换为具有新频率特性的信号。 构成：双平衡有源混频器的输入端子晶体管部分放大从外部输入互补相位的第一和第二射频（RF）。 输出端子晶体管部分通过控制从输入端子晶体管部分输出的第一和第二RF信号的放大来响应第一和第二振荡信号来输出互补的第一和第二中频（IF）。 输入端子晶体管部分包括：通过栅极放大从外部输入的第一RF信号的第一晶体管; 放大由门从外部输入的第二RF信号的第二晶体管; 第三晶体管，通过源放大第一RF信号; 以及由所述源放大所述第二RF信号的第四晶体管。

公开(公告)号：KR100241357B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970069551

申请日：1997-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 맹성재 ,  김영기 ,  김민건 ,  이재진 ,  박철순 ,  편광의

IPC: H04B1/00

Abstract: 본 발명은 피드백을 이용한 MMIC 캐스코드 혼합기에 관한 것으로, 특히, 특히 무선통신 및 광통신에 사용되는 피드백을 이용한 MMIC 캐스코드 혼합기에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 주파수 대역폭과 안정도를 향상하면서도 웨이퍼의 소요 면적을 절약하여 신뢰성이 증대되고 제작비용을 절감할 수 있는 피드백을 이용한 MMIC 캐스코드 혼합기를 제공하는 데에 있다. 본 발명의 피드백을 이용한 MMIC 캐스코드 혼합기는 게이트에 국부 발진기의 입력신호가 인가되고 드레인에서 주파수 변조된 중간 주파수를 얻는 제 1FET 및 게이트에 RF 주파수의 입력신호가 인가되는 제 2FET와, 상기 제 1FET의 게이트와 드레인 사이에 피드백으로 연결되어 상기 국부 발진기의 입력신호와 상기 중간 주파수의 출력신호에 대한 주파수 대역폭을 넓히고 회로의 안정도를 증가시키는 제 1안정수단과, 상기 제 2FET의 게이트와 드레인 사이에 피드백으로 연결되어 상기 RF 주파수의 입력신호와 상기 중간 주파수의 출력신호에 대한 주파수 대역폭을 넓이고 회로의 안정도를 증가시키는 제 2안정수단을 구비한다.