Abstract:
본 발명은 비변형 고체표면을 선택적으로 광응답형 코팅막으로 개질하는 방법 및 광응답형 코팅막을 이용한 활성물질 고정화 방법에 관한 것으로, 산화 또는 질화되지 않은 비변형 고체표면만을 수소로 개질시키는 단계; 수소로 개질된 비변형 고체표면에 광을 이용하여 EGPA 코팅막을 형성하는 단계; 상기 EGPA 코팅막의 아민 보호기 또는 아민염을 제거하여 EGA 코팅막을 형성하는 단계; 및 상기 EGA 코팅막을 이용하여 상기 비변형 고체표면상에 광에 응답하는 작용기를 갖는 코팅막을 형성하는 단계를 거쳐 비변형 고체표면만을 선택적으로 광응답형 코팅막으로 개질하고, 상기 개질된 비변형 고체표면에 활성물질을 접촉시키고 광을 조사하여 상기 활성물질을 고정시킨다. 선택적 개질, 광응답형 코팅막, 활성물질, 고정화
Abstract:
본 발명은 바이오 센서 칩에 관한 것으로, 표적 물질과 감지 물질 간의 상호 반응으로써 상기 표적 물질을 검출하는 센싱부와, 상기 센싱부와 전기적으로 연결된 기판 회로부와, 상기 표적 물질을 포함하는 용액성 물질을 상기 센싱부로 제공하는 채널부와, 그리고 상기 기판 회로부와 결합하여 상기 채널부 및 센싱부를 덮는 커버를 포함하는 것을 특징으로 한다. 센서, 바이오 센서, 실리콘 나노 채널, 모세관 현상
Abstract:
PURPOSE: A bio-sensor array device and a fabricating method thereof, a bio-sensor chip and a fabricating method thereof are provided to improve detection sensitivity through the detection from a plurality of highly-integrated array structures. CONSTITUTION: A bio-sensor array device comprises a substrate, a source(240), a drain(250), a gate(315), a transistor(310), and a bio sensor cell(305). The source and the drain are formed on the upper part of the substrate. The gate is formed on the upper parts of the source and the drain. The transistor comprises a silicon nano channel formed between the source and the drain. The bio sensor cell is fixed to the silicon nano channel of the transistor exposed by the etching on the lower part of the substrate. The bio sensor cell comprises probe molecule reacting to target molecule, which is inserted from outside. The bio sensor cells have an array form.
Abstract:
FET를 이용한 등전점 (isoelectric point (pI)) 측정 방법 및 측정 장치가 제공된다. 등전점 측정 방법은 기판, 기판에 서로 이격되어 배치된 소오스 및 드레인 전극, 소오스 및 드레인 전극 사이의 채널 영역을 포함하는 FET를 제공하는 단계, FET의 채널 영역에 제 1 농도의 전해질 용액을 제공하고, 소오스 및 드레인 전극 사이의 채널 영역에 흐르는 제 1 전류 값을 측정하는 단계, 제 1 농도보다 큰 제 2 농도의 전해질 용액을 공급하고, 소오스 및 드레인 전극 사이의 채널 영역에 흐르는 제 2 전류 값을 측정하는 단계, 및 제 1 및 제 2 전류 값들 사이의 차이를 이용하여 FET 또는 FET의 상의 물질의 등전점을 결정하는 단계를 포함한다. 바이오 분자, 전계 효과 트랜지스터, 전해질 용액, 전류, 등전점, 수소 이온 농도, 이온 농도
Abstract:
PURPOSE: An optical biosensor chip and a driving method thereof are provided to reduce the unit cost of a sensor chip by selectively scanning cells to be sensed. CONSTITUTION: A biosensor chip comprises a biosensor cell, a sensing line(S/L), and an output terminal. The biosensor cell comprises a photoelectric element(211), and a biosensor(213). Being selectively turned on, the photoelectric element produces standard electric signals. The biosensor produces and outputs sensing signals based on the standard electric signals. The resistance of the biosensor is changed by reaction between a probe molecule and a target molecule. The sensing line connects to the biosensor cell and transmits the sensing signals from the biosensor cell.
Abstract:
PURPOSE: A detecting apparatus is provided to improve sensing capability by maximizing a resistance variation and responding to a detecting material through an active device. CONSTITUTION: A resistance reacting unit(20) reacts to a detected material to generate a resistance variation. A detected signal generator(40) generates a nonlinear current signal according to the resistance variation. A signal detector(50) detects the current signal. A resistance reacting part and a detection signal generator are connected in parallel.
Abstract:
PURPOSE: A biosensor reader and biosensor reader system are provided to accurately measure change of conductivity by binding between sensing material and target material. CONSTITUTION: A biosensor comprises: a FET type biosensor containing a sensing channel on which sensing material are fixed; a measure module for analyzing change of conductivity of the sensing channel; and an output module for outputting analysis result of the target material based on the change of conductivity. The measure module comprises: a mounting part in which FET type bio sensor is mounted, and a print circuit substrate which is electrically connected to the sensing channel of FET type biosensor. A biosensor reader system comprises: a measuring unit for measuring standard voltage drop at a standard resistance; a signal processing unit for analyzing the charge material from the signal; and an output unit for outputting signal processing result by signal processing unit.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor nano-wire sensor device and the semiconductor nano-wire sensor device which is manufactured by the same are provided to form a nano-wire on a bulk semiconductor substrate by performing a lithography process and an epitaxial growth process. CONSTITUTION: A first conductive monocrystalline semiconductor substrate(100) is prepared. A first conductive monocrystalline pattern(102) with a linear shape is formed on the first conductive monocrystalline semiconductor substrate. A second conductive epitaxial pattern is formed on the both sidewall of the first conductive monocrystalline pattern. A source and a drain electrodes are formed on the both end of the second conductive epitaxial patterns. A second conductive epitaxial layer(120) is formed on the first conductive monocrystalline pattern using an epitaxial growth process.
Abstract:
본 발명의 검출 소자는, 검출 커패시터 및 전계효과 트랜지스터를 포함하는데, 상기 검출 커패시터는, 유체 내의 특정 작용기에 반응하는 반응 물질층, 절연층의 양면에 위치한 제1 전극과 제2 전극을 구비하고, 상기 전계효과 트랜지스터는, 상기 제2 전극에 연결되는 소스 전극, 상기 제1 전극에 연결되는 게이트 전극, 드레인 전극을 구비한다. 여기서, 상기 검출 커패시터의 절연층 두께가 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 절연층 보다 더 두꺼운 것을 특징으로 한다. 검출 소자, 바이오 센서, 희석, 전계효과 트랜지스터