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公开(公告)号：KR100243698B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970058902
申请日：1997-11-08
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
포토 다이오드의 수광감도 측정장치 및 방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 요지
본 발명은 구성이 간단하면서도 포토 다이오드 수광감도 측정의 안정도 및 정확도에 신뢰성을 가질 수 있는 포토 다이오드의 수광감도 측정장치 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 전원을 인가받아 발광하는 발광수단; 상기 발광수단에서 발광된 광을 받아 광밀도가 균일하게 분포되는 수광부재; 상기 수광부재상에 인가된 광에너지를 측정하는 광에너지 측정수단; 및 상기 광에너지 측정수단의 일측에 위치되어 수광부재상에 인가된 광에너지를 전류로 변환하여 측정하는 전류측정수단을 포함하는 포토 다이오드의 수광감도 측정장치를 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 포토 다이오드의 수광감도를 신뢰성 있게 측정하는 것임.-
公开(公告)号：KR1019990052192A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970071641
申请日：1997-12-22
Abstract: 본 발명은 광통신에 사용하는 광모듈 중 광소자를 실리콘 기판에 접합한 칩을 세라믹 뚜껑을 이용하여 패키징하므로 외부 습기, 충격등으로 부터 칩과 접합 솔더를 보호하는 기술이다. 일반적으로 플립칩 및 접합 솔더를 보호하는 방법으로 에폭시를 사용하여 언필 & 엔켑슐레이션 공정을 이용하고 있다. 그러나 에폭시만으로 패키징 하였을때 에폭시가 광소자의 활성부분 또는 광소자와 광섬유사이에 놓이게 되면 빛의 간섭 또는 산란등을 발생시켜 정확한 신호 전달이 불가능하게 된다. 따라서 이러한 문제점을 해결하기 위하여 판상 세라믹 내부에 직사각형 홈을 형성하여 실리콘 기판을 삽입한 뒤, 세라믹 뚜껑 덮개를 만들어 실리콘 기판에 접합한 광소자 및 접합 솔더를 보호하기 위한 기술을 발명하였다.
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公开(公告)号：KR101522994B1
公开(公告)日：2015-05-26
申请号：KR1020100129018
申请日：2010-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P1/213
CPC classification number: H03H9/706 , H03H9/0557 , H03H9/0561 , H03H9/0571 , Y10T29/4902
Abstract: 본발명은송, 수신되는신호를필터링하는 2개의 FBAR 필터및 튜닝용인덕터와위상변환기를포함하는 FBAR 듀플렉서모듈을소형화하는제조방법이다. 본발명에의하면, 다층 PCB 기판내부에튜닝용인덕터를형성하는단계, 다층 PCB 기판내부에위상변환기를형성하는단계, 다층 PCB 기판내부에송신용 FBAR 필터및 수신용 FBAR 필터중 적어도하나를형성하는단계를포함하는 FBAR 듀플렉서모듈소형화방법이제공된다.
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公开(公告)号：KR1020130076197A
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：KR1020110144690
申请日：2011-12-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: PURPOSE: A method for forming a solder bump is provided to form a bump having a low height by agglomerating solder powder in a metal part formed on a substrate. CONSTITUTION: A micro pattern layer (305) is formed on a substrate. A guide layer (307) is formed on the substrate. A solder formation material is firstly coated between the guide layers. Solder powder and resin are mixed with the solder formation material. The solder powder is agglomerated on a metal part (303).
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成焊料凸块的方法，通过在形成在基板上的金属部件中凝集焊料粉末来形成具有低高度的凸块。 构成：在衬底上形成微图案层（305）。 在基板上形成引导层（307）。 焊料形成材料首先涂覆在引导层之间。 焊料粉末和树脂与焊料形成材料混合。 焊料粉末聚集在金属部件（303）上。
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公开(公告)号：KR101232208B1
公开(公告)日：2013-02-12
申请号：KR1020090083162
申请日：2009-09-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/73104 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 반도체 소자 적층 패키지가 제공된다. 이 패키지는 각각 적어도 하나의 관통 홀 및 적어도 관통 홀을 채우는 관통 전극을 포함하되, 관통 전극들에 의해 서로 전기적으로 연결되는 적층된 반도체 소자들, 관통 전극들의 연결 부위를 제외한 적층된 반도체 소자들 사이에 제공된 접착 물질막, 및 적층된 반도체 소자들이 실장되고 본딩 전극을 갖는 상부면 및 상부면에 대향하는 하부면을 갖는 인쇄 회로 기판을 포함한다. 관통 전극은 금속간 화합물이고, 그리고 적층된 반도체 소자들 중 최하부 반도체 소자의 관통 전극과 인쇄 회로 기판의 본딩 전극은 서로 전기적으로 연결된다.
반도체, 실리콘, 관통 전극, 금속간 화합물, 적층Abstract translation: 目的：提供叠层半导体器件封装及其制造方法，使用具有去除穿透电极或/和凸块的氧化膜的功能的粘合材料膜堆叠半导体器件，从而简化复杂工艺，同时增加机械 可靠性。 构成：穿透孔穿透半导体器件（120a，120b）的至少一部分。 穿透孔填充有穿透电极（140a，140b）。 穿透电极由金属化合物形成。 在穿透电极的至少一端上形成焊料凸块（175a，175b）。 绝缘层（125a，125b）插入在穿透孔的侧壁和穿透电极之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120126224A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：KR1020110043857
申请日：2011-05-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01G9/2081 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a dye sensitized solar cell is provided to improve economical efficiency, electric characteristics, and durability of a product by mutually welding electrodes of a sub module using metal paste. CONSTITUTION: One or more heating wires(730) are formed on the upper side of an electrode(712) of a sub module. Metal paste(740) is coated on the upper side of the electrode. Current flows in the one or more heating wires. The metal paste of the one or more heating wires is heated. The metal paste of the one or more heating wires is hardened. The heating wire is formed into a ribbon shape having wide width. [Reference numerals] (AA) Local cooling
Abstract translation: 目的：提供一种制造染料敏化太阳能电池的方法，通过使用金属糊相互焊接子模块的电极来提高产品的经济性，电特性和耐久性。 构成：在子模块的电极（712）的上侧形成有一个或多个加热线（730）。 金属膏（740）涂覆在电极的上侧。 电流在一个或多个加热线中流动。 一个或多个加热丝的金属膏被加热。 一个或多个加热丝的金属膏被硬化。 该加热线形成为宽度宽的带状。 （标号）（AA）局部冷却
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公开(公告)号：KR101175682B1
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：KR1020090011106
申请日：2009-02-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 이방성도전접착제용조성물, 및이를이용한솔더범프형성방법및 플립칩형성방법이제공된다. 상기조성물은저융점솔더입자및 열경화성고분자수지를포함한다. 상기이방성도전접착제는고분자수지및 경화제를혼합하여혼합물을형성하는단계와상기혼합물에변형제, 촉매또는환원제를혼합하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020120071819A
公开(公告)日：2012-07-03
申请号：KR1020100133515
申请日：2010-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B81C1/00293 , B81C2203/0145 , B81C2203/035 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2224/0401 , H01L2224/05568 , H01L2224/131 , H01L2224/16238 , H01L2224/291 , H01L2224/81815 , H01L2224/83815 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/1461 , H01L21/64 , H01L21/67 , H01L23/48 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: PURPOSE: A vacuum wafer level packaging method for a MEMS(Micro Electro Mechanical System) device is provided to maintain the inside of a bonded upper wafer and MEMS wafer in a high vacuum state since a solder filling inside a via hole is solidified into a solid-state by reducing the temperature of a high vacuum chamber. CONSTITUTION: A plurality of via holes is formed on an upper wafer(110) to protect a MEMS(Micro Electro Mechanical System) wafer(130). A metal layer(120) is formed on inner walls of a plurality of via holes and a region extended from the plurality of via holes. The upper wafer and the MEMS wafer are bonded in atmospheric pressure. Solder paste is applied to a region extended from the plurality of via holes. The inside of the plurality of via holes is filled with a solder(140a) by melting the solder paste.
Abstract translation: 目的：提供一种用于MEMS（微机电系统）装置的真空晶片级封装方法，用于将粘合的上晶片和MEMS晶片的内部保持在高真空状态，因为通孔内的焊料填充固化成固体 - 通过降低高真空室的温度。 构成：在上晶片（110）上形成多个通孔以保护MEMS（微机电系统）晶片（130）。 金属层（120）形成在多个通孔的内壁和从多个通孔延伸的区域中。 上部晶片和MEMS晶片在大气压下接合。 将焊膏施加到从多个通孔延伸的区域。 多个通孔的内部通过熔化焊膏而填充有焊料（140a）。
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公开(公告)号：KR1020120067554A
公开(公告)日：2012-06-26
申请号：KR1020100129018
申请日：2010-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P1/213
CPC classification number: H03H9/706 , H03H9/0557 , H03H9/0561 , H03H9/0571 , Y10T29/4902
Abstract: PURPOSE: An FBAR(film bulk acoustic wave resonator) duplexer module and a manufacturing method thereof are provided to reduce the whole size of the module. CONSTITUTION: A transmission FBAR filter(100) is located on a multilayer PCB substrate(200). A receiving FBAR filter(101) is built inside a multilayer PCB substrate. The transmission FBAR filter and receiving FBAR filter are manufactured by using silicon or a glass substrate. An inductor(203) for tuning is formed on the upper side of the multilayer PCB substrate. The inductor for tuning keeps a distance from a ground plane(205). A phase shifter(204) is formed in the lower part of the multilayer PCB substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种FBAR（薄膜体声波谐振器）双工器模块及其制造方法，以减小模块的整体尺寸。 构成：传输FBAR滤波器（100）位于多层PCB衬底（200）上。 接收FBAR滤波器（101）内置于多层PCB基板内。 传输FBAR滤波器和接收FBAR滤波器通过使用硅或玻璃基板制造。 用于调谐的电感器（203）形成在多层PCB衬底的上侧。 用于调谐的电感器保持与接地平面（205）的距离。 在多层PCB基板的下部形成有移相器（204）。
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公开(公告)号：KR1020090048813A
公开(公告)日：2009-05-15
申请号：KR1020070114866
申请日：2007-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/81136 , H01L2924/07811 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 도전 접착제 및 이를 이용한 플립칩 본딩 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 칩과 기판 간의 간격을 조정하기 위한 비전도성 볼을 포함하는 도전 접착제 및 이를 이용한 플립칩 본딩 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 도전 접착제는 열경화성을 갖는 고분자 수지; 상기 고분자 수지에 분산되어 있는 저융점 솔더볼; 및 상기 고분자 수지에 분산되어 있고 상기 저융점 솔더볼의 용융점보다 높은 용융점을 가지는 비전도성 볼로 구성된다. 본 발명은 도전 접착제 내부에 반도체 칩 및 기판 간의 간격을 조정하기 위한 비전도성 볼을 포함시킴으로써, 별도의 정교한 제어 기술 없이 단순히 압력 조절을 통해 낮은 비용으로 플립칩 본딩 공정을 수행할 수 있으며, 이에 따라 공정시간을 단축하고 제품의 수율을 증가시킬 수 있다.
저융점 솔더, 도전 접착제, ACF, 플립칩 본딩
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