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公开(公告)号：KR1020150051792A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：KR1020130133743
申请日：2013-11-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/50
CPC classification number: H04B10/501 , H04B10/2587 , H04B10/272 , H04B10/516
Abstract: 본발명의실시예에따른반사형파장무의존광원은연속광인캐리어신호를입력받고변조된광신호를출력한다. 본발명의반사형파장무의존광원은입력되는광신호가이득을가지도록증폭동작을수행하는반도체광 증폭기; 상기반도체광 증폭기와연결되고변조된광신호를발생하는광 변조기; 상기광 변조기의변조된광신호를반사하는고 반사막; 및상기고 반사막, 상기광 변조기, 그리고상기반도체광 증폭기에직렬연결되는브래그반사경을포함하되, 상기브래그반사경과상기고 반사막에의해브래그공진기가형성된다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的反射无色光发射机接收连续光的载波信号并输出调制的光信号。 根据本发明的反射无色光发射机包括：半导体光放大器，其执行放大操作以使输入的光信号具有增益;连接到半导体光放大器并产生调制光信号的光调制器， 反射光调制器的调制光信号的高反射层和串联连接到高反射层的布拉格反射器，光调制器和半导体光放大器。 布拉格反射器和高反射层形成布拉格谐振器。
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公开(公告)号：KR101382522B1
公开(公告)日：2014-04-18
申请号：KR1020100088472
申请日：2010-09-09
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 광대역 파장 가변과 초고속 고출력으로 동작하는 광신호를 출력하는 파장 가변 레이저 광원 모듈을 개시한다. 그 모듈은, 서로 다른 복수개의 발진 파장들을 갖는 광신호를 발진하는 레이저 어레이와, 상기 레이저 어레이의 온도를 변화시키는 온도 조절기와, 상기 레이저 어레이의 상기 온도 조절기에 대향되는 측부에서 상기 광신호를 변조 또는 증폭 출력하는 광 집적 소자를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101371401B1
公开(公告)日：2014-03-10
申请号：KR1020100108685
申请日：2010-11-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10 , H01L21/306 , H01L21/20
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/02027 , H01L31/02161 , H01L31/184 , Y02E10/544
Abstract: 애벌런치 광다이오드 및 그 형성방법이 제공된다. 애벌런치 광다이오드의 형성방법은 엔형 기판 상에 화합물 반도체 흡수층, 화합물 반도체 그래이딩층, 차아지 시트층, 화합물 반도체 증폭층, 선택적 습식 식각층 및 피형 전극층을 유기 금속 화학 기상 증착 방법으로 순차적으로 형성하는 것을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140011085A
公开(公告)日：2014-01-28
申请号：KR1020120077728
申请日：2012-07-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: Provided are a hybrid integrated optical device capable of easily matching the impedance of a transmission line by using a low temperature polymer in the manufacture of an optical wave guide platform and a fabrication method thereof. According to the embodiment of the present invention, the hybrid integrated optical device includes a substrate having an optical wave guide region and a transmission line region; a lower clad layer of silica formed on the substrate; a transmission line part formed on the lower clad layer of the transmission line region; a height control layer of polymer successively formed on the lower clad layer of the optical wave guide region, a core layer, and an upper clad layer. The optical wave guide is formed in the core layer.
Abstract translation: 提供一种混合集成光学装置及其制造方法，其能够通过在制造光波导平台中使用低温聚合物来容易地匹配传输线的阻抗。 根据本发明的实施例，混合集成光学装置包括具有光波导区域和传输线区域的基板; 在基板上形成的二氧化硅的下包层; 传输线部分，形成在传输线区域的下包层上; 连续地形成在光波导区域的下包层上的聚合物的高度控制层，芯层和上包层。 光波导形成在芯层中。
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公开(公告)号：KR1020130116778A
公开(公告)日：2013-10-24
申请号：KR1020120082985
申请日：2012-07-30
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A wavelength-shifted bidirectional wavelength division multiplexing optical network is provided to fundamentally block signal distortion due to Rayleigh backscattering which can be generated when using one optical line and the reflected light of optical components, thereby providing a high-quality optical network. CONSTITUTION: A wavelength-shifted bidirectional wavelength division multiplexing (WDM) optical network comprises an optical line terminal (OLT) (310) and a remote node (RN) (330). A first optical circulator (315) of the OLT transmits a downlink (DL) WDM optical signal wavelength-multiplexed by a first standard-type wavelength multiplexing/demultiplexing unit (313) through an optical fiber (320) for optical line or transmits a wavelength-multiplexed uplink (UL) WDM optical signal transmitted through the optical fiber to a first wavelength shift-type wavelength multiplexing/demultiplexing unit (314). A second optical circulator (331) of the RN transmits an UL WDM optical signal wavelength-multiplexed by a second wavelength shift-type wavelength multiplexing/demultiplexing unit (332) through the optical fiber or transmits a wavelength-multiplexed DL WDM optical signal transmitted through the optical fiber to a second standard-type wavelength multiplexing/demultiplexing unit (333).
Abstract translation: 目的：提供一种波长偏移的双向波分复用光网络，从根本上阻止了当使用一条光线路和光学部件的反射光时可产生的瑞利后向散射信号失真，从而提供高质量的光网络。 构成：波长偏移双向波分复用（WDM）光网络包括光线路终端（OLT）（310）和远程节点（RN）（330）。 OLT的第一光环行器（315）通过用于光线路的光纤（320）发射由第一标准型波长多路复用/解复用单元（313）波分复用的下行链路（DL）WDM光信号，或者发送波长 通过光纤传输的多路复用上行链路（UL）WDM光信号到第一波长移位型波分复用/解复用单元（314）。 RN的第二光环行器（331）通过光纤发送由第二波长偏移型波长多路复用/解复用单元（332）波分复用的UL WDM光信号，或者发送通过光纤传输的波分复用DL WDM光信号 光纤到第二标准型波长复用/解复用单元（333）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110073232A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020100088472
申请日：2010-09-09
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/02438 , H01S5/0261 , H01S5/18313 , H01S5/18386
Abstract: PURPOSE: A wavelength variable laser module is provided to uniformly vary wavelengthes oscillated from a laser array by changing the temperature of the laser array integrated in a temperature controller. CONSTITUTION: A laser array(10) oscillates an optical signal with a plurality of different oscillating wavelengths. A temperature controller(20) changes the temperature of the laser array. The temperature controller includes a thermoelectric element which heats or cools the laser array. An optical integrated element(80) modulates or amplifies the optical signal at a lateral side opposite to the temperature controller of the laser array. The optical integrated element includes a multimode interference coupler(40), an optical modulator(50), and a semiconductor optical amplifier(60).
Abstract translation: 目的：提供波长可变激光模块，通过改变集成在温度控制器中的激光器阵列的温度来均匀地改变从激光器阵列振荡的波长。 构成：激光阵列（10）振荡具有多个不同振荡波长的光信号。 温度控制器（20）改变激光器阵列的温度。 温度控制器包括加热或冷却激光器阵列的热电元件。 光学集成元件（80）在与激光器阵列的温度控制器相对的横向侧上调制或放大光信号。 光集成元件包括多模干涉耦合器（40），光调制器（50）和半导体光放大器（60）。
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公开(公告)号：KR1020100065033A
公开(公告)日：2010-06-15
申请号：KR1020090027619
申请日：2009-03-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10 , H01L21/02 , H01L21/265
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02366 , H01L31/0288
Abstract: PURPOSE: A method for forming a compound semiconductor device including a diffusion area is provided to implement a dopant diffusion area with high reliability and re-productivity by stabilizing a boundary of the dopant diffusion area. CONSTITUTION: An undoped compound semiconductor layer is formed on a substrate. A dopant element layer is formed on the undoped compound semiconductor layer(S200). A dopant diffusion area is formed by diffusing the dopants from the dopant element layer to the undopped compound semiconductor layer by an annealing process(S210). A rapid cooling process is performed on the substrate with the dopant diffusion area using liquid nitrogen(S215).
Abstract translation: 目的：提供一种形成包括扩散区域的化合物半导体器件的方法，通过稳定掺杂剂扩散区域的边界来实现高可靠性和再生产率的掺杂剂扩散区域。 构成：在衬底上形成未掺杂的化合物半导体层。 在未掺杂的化合物半导体层上形成掺杂剂元素层（S200）。 通过退火处理将掺杂剂掺杂剂从掺杂剂元素层扩散到未掺杂的化合物半导体层来形成掺杂剂扩散区域（S210）。 使用液氮在具有掺杂剂扩散区域的基板上进行快速冷却处理（S215）。
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公开(公告)号：KR1020090059709A
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：KR1020070126708
申请日：2007-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0232 , H01L31/12
CPC classification number: G02F1/218 , G02F2001/212 , G02F2201/302
Abstract: A semiconductor integrated circuit including a photoelectric device is provided to reduce a length of an optical waveguide part by installing the optical waveguide part of a thin thickness. A photoelectric device(150) is arranged on a substrate(100). The photoelectric device includes a semiconductor pattern(110). The semiconductor pattern includes an optical waveguide part(106) extended in a first direction and a pair of recessed parts(104) arranged in both sides of the optical waveguide part. The photoelectric device includes a first doped region(112) and a second doped region(114) formed in a pair of recessed parts. A first optical fiber is arranged on a top part of a first grating coupler. A second grating coupler is connected to an output terminal of the photoelectric device.
Abstract translation: 提供包括光电装置的半导体集成电路，通过安装薄的光波导部分来减小光波导部分的长度。 光电器件（150）布置在衬底（100）上。 光电器件包括半导体图案（110）。 半导体图案包括沿第一方向延伸的光波导部分（106）和布置在光波导部分两侧的一对凹部（104）。 光电器件包括形成在一对凹陷部分中的第一掺杂区域（112）和第二掺杂区域（114）。 第一光纤布置在第一光栅耦合器的顶部。 第二光栅耦合器连接到光电装置的输出端。
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公开(公告)号：KR100809413B1
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：KR1020060060501
申请日：2006-06-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/02296 , H01S5/0264 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/18341 , H01S5/18369 , H01S5/3095
Abstract: 표면방출레이저에서 방출된 광을 효율적으로 검출하기 위한 광검출기와 표면방출레이저의 정확한 정렬(align)을 확보하는 표면방출 레이저 모듈 및 그 제조방법을 제공한다. 그 모듈 및 제조방법은 소정의 간격만큼 이격되어 배치된 제1 영역과 제2 영역을 포함하는 기판의 제1 영역에 순차적으로 적층된 제1 거울층, 제1 전극층, 활성층, 터널접합층 및 제2 전극층과, 제1 영역의 제2 전극층 상의 일부 영역에 배치된 광검출기를 포함한다. 제2 영역의 기판의 제2 영역에는 제1 영역의 제1 거울층, 제1 전극층, 활성층, 터널접합층 및 제2 전극층과 동일한 형상을 이루는 층을 포함하며 제2 전극층 상의 일부 영역에 제2 거울층이 적층된 표면방출레이저를 포함하고, 이때 소정의 간격은 레이저에 의해 방출된 광이 광검출기에서 감지할 수 있는 정도이다.
표면방출레이저, 모듈, 광검출기-
50.发明授权
公开(公告)号：KR100759808B1
公开(公告)日：2007-09-20
申请号：KR1020060027972
申请日：2006-03-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/306 , H01S5/183
CPC classification number: H01L21/30621 , H01S5/183 , H01S5/2081
Abstract: III-V족 반도체 다층구조의 식각 방법 및 이를 이용한 수직공진형 표면방출 레이저 제조 방법에 관하여 개시한다. III-V족 반도체로 구성되는 제1 반도체층과, 상기 제1 반도체층과는 다른 성분의 III-V족 반도체로 구성되는 제2 반도체층을 포함하는 적층 구조를 Cl
2 , Ar, CH
4 및 H
2 로 이루어지는 혼합 가스의 플라즈마에 노출시켜 식각함으로서 수직공진형 표면방출 레이저의 거울층을 형성한다. 표면방출 레이저를 구성하는 하부 거울층, 하부 전극층, 광학 이득층, 상부 전극층 및 상부 거울층중 적어도 일부를 1회의 식각 공정을 통해 식각하여 깨끗하고 원활한 식각면을 가지는 소자를 얻는 것이 가능하다.
표면방출레이저, III-V족 반도체, 다층 구조, 건식 식각, Cl2, CH4, H2, Ar
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