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公开(公告)号：KR100946704B1
公开(公告)日：2010-03-12
申请号：KR1020070122459
申请日：2007-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은 금속 클러스터를 나노와이어의 성장 촉매로 이용하는 VLS(Vapor-Liquid-Solid) 공정을 이용하는 GeTe 나노와이어 제조 방법을 제공한다. 본발명에 따른 VLS법을 이용한 GeTe 나노와이어의 제조방법은, GeTe 원료와 기판을 반응로 내에 이격시켜 배치하는 단계와, 상기 GeTe 원료가 휘발하여 GeTe 가스 상태가 되도록 상기 GeTe 원료를 소스 온도로 가열시키고 상기 기판을 기판 온도로 가열시키는 단계와, 형성 시간 동안, 상기 반응로 내에 반응 가스를 흘려보내어 상기 GeTe 가스를 상기 기판상에 흡착시키고 확산 및 석출반응을 수행하여 GeTe 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함한다.
GeTe 나노와이어, VLS(Vapor-Liquid-Solid)법-
公开(公告)号：KR100946700B1
公开(公告)日：2010-03-12
申请号：KR1020080022402
申请日：2008-03-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 상변화 메모리 소자의 상변화 재료층으로 게르마늄(Ge)-안티몬(Sb)-텔레륨(Te)계 Ge
2 Sb
2+x Te
5 (0.12≤x≤0.32)를 사용함으로써, 상변화 재료의 결정 및 비정질 상태 사이의 상전이 과정에 있어서 그 결정 상태가 준안정상과 안정상의 복합상이 아닌 안정상의 단일상으로 확정되고, 온도 상승에 따른 상전이가 비정질 상태로부터 안정상의 단일상 결정 상태로 직접 전이하게 되므로, 상변화 메모리 소자의 셋 동작 안정성 및 셋 상태 저항값의 분포 특성을 크게 개선시킬 수 있다. 또한, 상변화 메모리 소자의 상변화 재료층으로 Ge
2 Sb
2
+
x Te
5 (0.12≤x≤0.32)를 사용함으로써, 비정질 상태의 저항값이 결정화 온도 부근의 고온에서 장시간 동안 유지될 수 있으므로, 상변화 메모리 소자의 리셋 동작 안정성 및 반복 기록 동작 과정에서의 안정성을 크게 개선시킬 수 있다.
상변화, 비휘발성 메모리, 게르마늄-안티몬-텔레륨, 동작신뢰성-
公开(公告)号：KR1020090055700A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：KR1020070122459
申请日：2007-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L21/02603 , B82B3/0038 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B19/007 , C01P2004/16 , H01L29/0665
Abstract: A method for manufacturing GeTe nanowire using a vapor liquid solid method is provided to properly select source temperature, substrate temperature, gas volume and growth time in order to grow nanowire with desired length and thickness. A method for manufacturing GeTe nanowire using a vapor liquid solid method comprises the following steps of: arranging a GeTe raw material at some distance from a substrate within a furnace(3); heating the GeTe raw material up to the source temperature in order to volatilize the GeTe raw material and heating the substrate up to the substrate temperature; and flowing reaction gas into the furnace during formation time to adsorb the GeTe gas on the substrate and performing diffusion and eduction in order to grow nanowire.
Abstract translation: 提供使用蒸气固体法制造GeTe纳米线的方法，以适当地选择源温度，衬底温度，气体体积和生长时间，以便生长具有所需长度和厚度的纳米线。 使用蒸汽液固体法制造GeTe纳米线的方法包括以下步骤：将GeTe原料与炉内（3）内的衬底相距一定距离; 将GeTe原料加热至原料温度，以使GeTe原料挥发并将基材加热到基板温度; 并在形成时间内将反应气体流入炉内，以将GeTe气体吸附在基板上，并进行扩散和排出，以生长纳米线。
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公开(公告)号：KR1020090029155A
公开(公告)日：2009-03-20
申请号：KR1020070118530
申请日：2007-11-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28273 , G11C13/0004 , H01L21/265 , H01L29/517
Abstract: A solid electrolyte memory device and a manufacturing method thereof are provided to perform nonvolatile, a high speed operation, and a high integration by using a silver-antimony-tellurium alloy or a copper-antimony-tellurium alloy as a solid electrolyte. In a solid electrolyte memory device, a first electrode layer(106) is formed on a substrate(100). A solid electrolyte layer(128) made of a silver-antimony-tellurium alloy or a copper-antimony-tellurium alloy is included on the first electrode layer. A second electrode layer(132) is formed on the solid electrolyte layer. The silver-antimony-tellurium alloy is made of silver 40~90 atomic%, antimony 5~30 atomic%, and tellurium 5~30 atomic%. The copper-antimony-tellurium alloy is made of copper 40~90 atomic%, antimony 5~30 atomic%, and tellurium 5~30 atomic%.
Abstract translation: 提供了一种固体电解质存储器件及其制造方法，通过使用银 - 锑 - 碲合金或铜 - 锑 - 碲合金作为固体电解质来执行非易失性，高速操作和高集成度。 在固体电解质存储装置中，在基板（100）上形成第一电极层（106）。 在第一电极层上包含由银 - 锑 - 碲合金或铜 - 锑 - 碲合金制成的固体电解质层（128）。 在固体电解质层上形成第二电极层（132）。 银 - 锑 - 碲合金由40〜90原子％的银，5〜30原子％的锑和5〜30原子％的碲制成。 铜 - 锑 - 碲合金由40〜90原子％的铜，5〜30原子％的锑和5〜30原子％的碲制成。
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45.发明授权
公开(公告)号：KR100744566B1
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：KR1020060087051
申请日：2006-09-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070061291A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060085826
申请日：2006-09-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: A phase change memory device having a semiconductor laser part is provided to reduce power consumption by applying heat only to a local part of a phase change layer. A phase change memory unit(100) includes a phase change layer pattern. A laser beam focusing unit(200) focuses laser beams on the phase change layer pattern of the phase change memory device. A semiconductor laser unit(300) generates the laser beams and emits the laser beams to the laser beam focusing unit. The phase change memory unit, the laser beam focusing unit, and the semiconductor laser unit are laminated and attached sequentially to each other. A laser beam shielding pattern(22) having a laser beam window(24) is formed on the phase change layer pattern.
Abstract translation: 提供了具有半导体激光器部分的相变存储器件，以通过仅向相变层的局部部分施加热量来降低功耗。 相变存储单元（100）包括相变层图案。 激光束聚焦单元（200）将激光束聚焦在相变存储器件的相变层图案上。 半导体激光器单元（300）产生激光束并将激光束发射到激光束聚焦单元。 相变存储器单元，激光束聚焦单元和半导体激光器单元彼此顺序层叠并附接。 在相变层图案上形成具有激光束窗（24）的激光束屏蔽图案（22）。
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公开(公告)号：KR100701157B1
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：KR1020060025208
申请日：2006-03-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/141
Abstract: A nonvolatile memory device and its manufacturing method are provided to improve remarkably a sensing margin of device and to reduce the consumption of current and power by forming a spacer type structure using a phase changeable material. A nonvolatile memory device comprises a semiconductor substrate(100), a lower electrode(110) on the substrate, an upper electrode, and a phase changeable material. The upper electrode(130) is located opposite to the lower electrode. The phase changeable material(121) is located between the lower electrode and the upper electrode. The phase changeable material is formed like a spacer type structure. The phase changeable material has a variable resistivity according to a crystal state of the phase changeable material itself.
Abstract translation: 提供非易失性存储器件及其制造方法，以显着改善器件的感测裕度，并通过使用相变材料形成间隔物型结构来减少电流和功率的消耗。 非易失性存储器件包括半导体衬底（100），衬底上的下电极（110），上电极和相变材料。 上电极（130）位于与下电极相对的位置。 相变材料（121）位于下电极和上电极之间。 相变材料形成为间隔型结构。 相变材料根据相变材料本身的晶体状态具有可变电阻率。
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公开(公告)号：KR1020070025304A
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020050081314
申请日：2005-09-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L45/126 , H01L45/1233
Abstract: A phase change memory and its manufacturing method are provided to reduce remarkably the consumption of power by using a penetrating electrode structure. A phase change memory includes a first phase change thin film and a heat radiating metallic electrode. The first phase change thin film(14) includes a penetrating electrode structure(21), wherein the penetrating electrode structure penetrates a predetermined region. The heat radiating metallic electrode is buried in the penetrating electrode structure. A crystal state of the penetrating electrode structure is capable of being changed due to a thermal energy applied from the heat radiating metallic electrode. The change of the crystal state of the penetrating electrode structure is restricted by the first phase change thin film.
Abstract translation: 提供了一种相变存储器及其制造方法，以通过使用穿透电极结构显着地减少功率消耗。 相变存储器包括第一相变薄膜和散热金属电极。 第一相变薄膜（14）包括穿透电极结构（21），其中穿透电极结构穿透预定区域。 散热金属电极埋在穿透电极结构中。 穿透电极结构的晶体状态能够由于从散热金属电极施加的热能而变化。 穿透电极结构的晶体状态的变化受到第一相变薄膜的限制。
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公开(公告)号：KR100687747B1
公开(公告)日：2007-02-27
申请号：KR1020050069803
申请日：2005-07-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683
Abstract: 상변화물질층과 발열성 전극 사이의 접촉면적을 최대화할 수 있는 상변화 메모리소자 및 그 제조방법을 제공한다. 그 메모리소자 및 제조방법은 포어에 의해 노출된 절연층의 적어도 일측면과 하부전극의 일면의 일부를 덮으면서 리세스된 영역을 포함하는 발열성 전극과, 리세스된 영역을 매립하면서 발열성 전극 상에 적층된 상변화물질층을 포함한다. 상기 소자는 상변화물질층과 발열성 전극 사이의 접촉면적을 최대화하여 소비전류를 크게 줄일 수 있다.
상변화물질층, 발열성 전극, 리세스된 영역, 접촉면적
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