Abstract:
PURPOSE: A ferroelectro-optic type data storage device is provided to embody the high integration, the large capacity and a fast operation by using a polarizing inverse of a ferroelectric as a recording device. CONSTITUTION: A data storage device comprises a metal thin film(2) on a substrate(1), a ferroelectric thin film(4), an optical pickup sticking an external electrode(5) and a domain boundary(3). The metal thin film(2) is used to ground a medium to generate a voltage difference between a fine electrode(5) and a ferroelectric domain. The metal thin film(2) reflects a laser beam when information is read. In feeding a voltage over a critical voltage by moving the fine electrode(6) to a recording space, a polarization is generated only in a bit cell locating the fine electrode(5). Information is recorded in each bit cell by giving the voltage difference to the fine electrode and the metal layer. The recorded information is read by the optical pickup.
Abstract:
본 발명은 노즐 뚜껑, 플라즈마 튜브 및 초고주파(RF:radio frequency) 유도코일에 완충노즐 뚜껑, 상층금속 차단막 및 하층금속 차단막을 부착하여 챔버로부터 분리효과를 줌으로써 플라즈마 압력을 수백에서 수천 토르(torr)의 압력으로 유지하여 안정된 플라즈마를 발생하고 유지하도록 하는 RF 유도 플라즈마 소스 발생장치에 관한 것이다. 이와같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 수단은 PBN 튜브와, RF 유도코일과, 노즐과, 노즐 뚜껑으로 구성된 RF 유도 플라즈마 소스 발생장치에 있어서, 상기 플라즈마 튜브내에 형성된 플라즈마 소스의 압력을 완충하는 완충노즐과, 상기 노즐 뚜껑과 플라즈마 튜브 사이에 설치되어, 가스흐름을 조절하여 챔버압력과 플라즈마 압력의 차이를 조절하는 완충노즐 뚜껑과, 상기 완충노즐 뚜껑, 노즐 뚜껑 및 플라즈마 튜브의 PBN 입구 언저리 부위를 봉합하여 가스의 누출을 방지하는 밀봉막과, 상기 RF 유도코일에서 유도된 RF 전계의 퍼짐을 차단하여 플라즈마 소스를 집속시키는 상층 금속 차단막 및 하층 금속 차단막을 포함하여 구성된다.
Abstract:
본 발명은 고 휘도와 고 선명도를 가지는 전계발광 소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 전계 발광소자는 투명 기판 또는 불투명 기판의 표면상에 선 형상 또는 매쉬 형상을 가지며, 측면이 경사진 패턴을 형성하고, 기판상에 투명 전극층, 제 1 절연층, 형광층, 제 2 절연층 및 금속 전극층을 차례로 적층하고, 상기 금속 전극층을 패터닝하여, 제 2 절연층의 볼록부 상평면 혹은 상평면과 경사면에 금속 전극을 형성하고, 상기 물질층들을 반대로 적층한 반전소자의 경우에는 제 1 절연층의 오목부의 상평면 혹은 상평면과 경사면에 걸쳐 투명전극을 형성하여 픽셀을 섬모양 또는 우물모양으로 형성하였다. 본 발명은 기판에 패턴을 미리 형성하여 패턴의 경사진 측면이 전계발광 소자의 휘도를 증가시킬 수 있도록 배열하여 전계발광 소자를 형성함으로써 빛의 측면 손실량을 감소시키고 전면 투과량을 증가시킨다.
Abstract:
본 발명의 광전소자는 전계방출에 의한 전자를 반도체 소자에 주입하여 전자-정공쌍을 생성시키킴으로써 그들의 재결합과정에서 단파장의 광자를 발생시키는 원리와 발생된 광자를 가두어 양자우물의 에너지 준위에 일치하는 광방출을 유도한다. 본 발명은 복수개의 가속전극을 가지는 광소자와 복수개의 가속전극을 가지는 전계 방출소자를 합착하여 구성되며, 5-6eV 부위의 에너지밴드갭 즉 200-250nm 정도의 단파장 광소자를 제작하는 방법에 대한 것으로 전계방출소자에서 주입되는 전자로 전자-정공쌍을 생성시키며 그들의 재결합시 광자를 방출하는 원리를 이용 한다. 이 방법을 이용하면 반도체를 np접합을 만들기 위한 불순물도핑이 필요치 않으며, 고에너지의 전자는 하나 이상의 전자-정공쌍을 발생시키게 되므로 매우 높은 효율을 낼 수 있다.
Abstract:
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 에피택셜장치용 증발도가니 2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 요지 본 발명은 도가니 플랜지에 장착되어있는 도입관의 길이를 가변적으로 조절하므로써 원료교체나 부분품 수리시 진공챔버내의 전체적인 진공을 유지하면서 도가니 부분의 국부적 진공만을 파괴하여 장비의 오염과 상태 회복의 시간을 극소화 할 수 있는 에피택셜장치용 증발도가니를 제공함에 그 목적이 있다. 3. 발명의 해결방법의 요지 본 발명은 진공챔버의 진공을 유지하고 도입하기 위해 개폐되는 수단; 성장물질을 증발시키기 위해 열을 제공하는 히터와 지지대가 구비된 도입관; 상기 도입관의 일단부에 장착되어 어댑터 플랜지와 결합되는 도가니 플랜지; 상기 진공챔버의 진공을 유지한 채로 국부적 진공만을 제거하여 도입관을 진공챔버로부터 이탈 시킬 수 있도록 신장 및 수축하는 수단; 및 상기 신장 및 수축수단의 이동을 안내하는 수단을 포함하는 에피택셜장치용 증발도가니를 제공한다. 4. 발명의 중요한 용도 진공챔버의 전체진공을 제거하지 않고 부분품을 쉽게 분해조립하는 것임.
Abstract:
a mask for the buried layer in which at least eleven square patterns having a side of length 50 μm are disposed at 50 μm intervals and values of ±1 - ±5 are indicated horizontally and vertically on the patterns taking the central pattern as 0; and a mask for the device isolation in which at least eleven patterns greater than the patterns of the buried-layer mask by 5 m are disposed horizontally and vertically at 46 μm interval and misaligned by ±1 - ±5 μm from the central square pattern, thereby precisely measuring the pattern movement.
Abstract:
본 발명은 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘 볼렌즈, 광전도 안테나 및 집속 렌즈를 간단하게 정렬시켜 하나의 완전하고 독립된 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지를 구현함으로써, 테라헤르츠파를 용이하게 발생시키거나 측정할 수 있는 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명에 따르면, 테라헤르츠파 발생 및 측정 시스템의 구축에 소요되는 시간 및 비용을 획기적으로 감소시킬 수 있으며, 테라헤르츠파 발생 및 측정 시스템의 단순화 및 소형화를 도모할 수 있다. 또한, 광전도 안테나에서 발생된 테라헤르츠파의 특성을 간단하게 측정할 수 있다. 게다가, 상부 및 하부 덮개에 의해 광전도 안테나, 실리콘 볼렌즈 및 집속 렌즈의 정렬 상태를 그대로 유지하면서 보존 및 운반이 가능하여 안정성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 외부 환경에 의해 테라헤르츠파 소자가 오염되는 것을 최소화할 수 있다. 테라헤르츠파, 광전도 안테나, 실리콘 볼렌즈, 정렬
Abstract:
PURPOSE: An apparatus for generating parametric terahertz wave and a method for generating the same are provided to obtain technical and economical effects using commercial infrared laser and non-linear optical crystal. CONSTITUTION: A laser generator(100) generates near infrared laser. A non-linear optical crystal part(200) receives the near infrared laser and generates idler light according to the crystal direction orientation of crystal. The non-linear optical crystal part generates terahertz wave according to the wave number vector difference of the near infrared laser and the idler light. An emitting part emits the terahertz wave to the outside of the crystal.
Abstract:
PURPOSE: A THz wave Tx/Rx module which a silicon ball lens is unified with a photoconductive antenna and a manufacturing method thereof are provided to easily generate and measure THz wave. CONSTITUTION: A plurality of photoconductive antennas(240) is formed into an array structure on a substrate. The whole structure is cut into the fixed size in order that one photoconductive antenna locate on the silicon wafer of the fixed size. The side of the silicon wafer cut into the fixed size is ground and a hemisphere silicon ball lens(230) is formed. A signal wire for the electrical contact with an outside element is connected to the photoconductive antenna.
Abstract:
A packing apparatus of terahertz device is provided to smoothly measure the electrical characteristic of the independent electrical device. The packing apparatus of terahertz device comprises a terahertz wave device(31), a device substrate(32), a ball lens block(33), a lower case(34) and an upper case(35). The terahertz wave device has the specific active region. The active region performs detection and the radiation of the terahertz wave. The device substrate has the opening region on the center. The terahertz wave device is settled in the device substrate. The opening area of the device substrate arranges with the active region of the terahertz wave device. The device substrate electrically connects with the terahertz wave device. The ball lens block is arranged on the terahertz wave device. The lower part and upper cases surround the device substrate and terahertz wave device. The lower part and upper cases expose the active region of the terahertz wave device.