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公开(公告)号：KR1020090061862A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：KR1020070128841
申请日：2007-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H02N2/18 , B81C1/00015 , H01L41/053 , H01L41/1136 , H01L41/29 , H01L41/314 , H02J7/00
Abstract: A power generating device array and system, and method for manufacturing the same are provided to generate electricity of broadband frequency and transfer it to a ubiquitous sensor network. The electricity generating element array(100) comprises a substrate(90) and electricity generating elements(100a, 100b, 100c, 100d, 100e, 100f, 100g, 100h). The electricity generating element is arranged in the top of the substrate as the array shape. The electricity generating elements are the electricity of the different frequencies generated by piezoelectricity. One end of electricity generating elements moves freely and the other end is fixed to the substrate. One end of electricity generating elements has the inertial mass. The electricity generating system comprises electricity generating element array and an electric apparatus. The electric apparatus uses the electricity of the electricity generating element array.
Abstract translation: 提供一种发电装置阵列和系统及其制造方法，用于产生宽带频率的电力并将其传送到普遍存在的传感器网络。 发电元件阵列（100）包括基板（90）和发电元件（100a，100b，100c，100d，100e，100f，100g，100h）。 发电元件布置在基板的顶部作为阵列形状。 发电元件是由压电产生的不同频率的电力。 发电元件的一端自由移动，另一端固定在基板上。 发电元件的一端具有惯性质量。 发电系统包括发电元件阵列和电气设备。 电气设备使用发电元件阵列的电力。
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公开(公告)号：KR100896491B1
公开(公告)日：2009-05-08
申请号：KR1020070092128
申请日：2007-09-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 광 도파로를 형성하는 포토닉 결정 기판 및 이를 이용하여 구현되는 광 소자 어셈블리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표면방출 광원 소자 및 표면 수광형 광 감지기 소자들과 집적이 용이하도록 구성된 수직형 포토닉 결정 기판 및 광 소자 어셈블리에 관한 것이다.
본 발명의 포토닉 결정 기판은, 두께 방향으로 다수개의 통형 관통구가 주기적인 결정 격자 구조로 배열된 포토닉 결정 기판으로서, 상기 포토닉 결정 기판에 수직한 방향으로 광을 통과시키는 메인 광 도파로를 형성하는 메인 결정 격자 결함; 및 상기 메인 광 도파로를 통과하는 광 중에서 특정 파장 대역의 광을 커플링시켜 상기 포토닉 결정 기판에 수직한 방향으로 통과시키는 서브 광 도파로를 형성하는 서브 결정 격자 결함을 포함하는 것을 특징으로 한다.
포토닉 결정 기판, 수직형 광 도파로, 광 커플링, 광 소자 어셈블리-
43.发明授权
公开(公告)号：KR100759808B1
公开(公告)日：2007-09-20
申请号：KR1020060027972
申请日：2006-03-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/306 , H01S5/183
CPC classification number: H01L21/30621 , H01S5/183 , H01S5/2081
Abstract: III-V족 반도체 다층구조의 식각 방법 및 이를 이용한 수직공진형 표면방출 레이저 제조 방법에 관하여 개시한다. III-V족 반도체로 구성되는 제1 반도체층과, 상기 제1 반도체층과는 다른 성분의 III-V족 반도체로 구성되는 제2 반도체층을 포함하는 적층 구조를 Cl
2 , Ar, CH
4 및 H
2 로 이루어지는 혼합 가스의 플라즈마에 노출시켜 식각함으로서 수직공진형 표면방출 레이저의 거울층을 형성한다. 표면방출 레이저를 구성하는 하부 거울층, 하부 전극층, 광학 이득층, 상부 전극층 및 상부 거울층중 적어도 일부를 1회의 식각 공정을 통해 식각하여 깨끗하고 원활한 식각면을 가지는 소자를 얻는 것이 가능하다.
표면방출레이저, III-V족 반도체, 다층 구조, 건식 식각, Cl2, CH4, H2, Ar-
公开(公告)号：KR1020040041732A
公开(公告)日：2004-05-20
申请号：KR1020020069588
申请日：2002-11-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18305 , H01S5/0422 , H01S5/125
Abstract: PURPOSE: A long wavelength vertical cavity surface emitting laser(VCSEL) and a method for manufacturing the same are provided to improve the current confinement structure by introducing a tunnel junction layer, a low energy ion injection and a heat spreading layer. CONSTITUTION: A long wavelength vertical cavity surface emitting laser(VCSEL) includes a laser active layer(30) and a current confinement structure(C). The current confinement structure(C) is provided with a barrier layer(40), a tunnel junction layer(50), a heat spread layer(60) and an electric insulation layer(70). The barrier layer(40) is formed on the laser active layer(30). The tunnel junction layer(50) is formed on the barrier layer(40) with stacking p-type and n-type materials alternatively. The heat spread layer(60) is formed on the tunnel junction layer(50). And, the electric insulation layer(70) is formed by using a low energy ion implantation method to electrically insulate the tunnel junction layer(50).
Abstract translation: 目的：提供长波长垂直腔面发射激光器（VCSEL）及其制造方法，以通过引入隧道结层，低能离子注入和散热层来改善电流限制结构。 构成：长波长垂直腔表面发射激光器（VCSEL）包括激光有源层（30）和电流限制结构（C）。 电流限制结构（C）设置有阻挡层（40），隧道结层（50），散热层（60）和电绝缘层（70）。 阻挡层（40）形成在激光活性层（30）上。 交替地堆叠p型和n型材料，在势垒层（40）上形成隧道结层（50）。 扩散层（60）形成在隧道结层（50）上。 并且，通过使用低能离子注入方法来形成电绝缘层（70）以使隧道结层（50）电绝缘。
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公开(公告)号：KR1020040041730A
公开(公告)日：2004-05-20
申请号：KR1020020069586
申请日：2002-11-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01L33/145 , H01S5/18308 , H01S5/18316 , H01S5/18347 , H01S5/3095 , H01S2301/176
Abstract: PURPOSE: A semiconductor optical device provided with a current confined structure is provided to secure the reliability by reducing the leakage current at the etched surface with filling an oxide layer or a nitride layer. CONSTITUTION: A semiconductor optical device provided with a current confined structure includes a semiconductor substrate(10), a first semiconductor layer(12), a second semiconductor layer(14), a third semiconductor layer(16). The first semiconductor layer(12) is formed on the semiconductor substrate(10) and made of at least one first conductive type of material. The second semiconductor layer(14) is formed on the first semiconductor layer(12) and is made of at least one material. The third semiconductor layer(16) is formed on the second semiconductor layer(16) and is made of at least one second conductive type of material which is opposite to the first conductive type. The first to third semiconductor layers(12,14,16) form the mesa structure, the side surface of at least one material layer constituting the first to third semiconductor layers(12,14,16) is recessed and the recessed portion is filled with oxide layer or a nitride layer, partially or totally.
Abstract translation: 目的：提供一种具有电流限制结构的半导体光学器件，以通过减少在蚀刻表面处的填充氧化物层或氮化物层的漏电流来确保可靠性。 构成：设置有电流限制结构的半导体光学器件包括半导体衬底（10），第一半导体层（12），第二半导体层（14），第三半导体层（16）。 第一半导体层（12）形成在半导体衬底（10）上并由至少一种第一导电类型的材料制成。 第二半导体层（14）形成在第一半导体层（12）上并且由至少一种材料制成。 第三半导体层（16）形成在第二半导体层（16）上并且由与第一导电类型相反的至少一种第二导电类型的材料制成。 第一至第三半导体层（12,14,16）形成台面结构，构成第一至第三半导体层（12,14,16）的至少一个材料层的侧表面是凹进的，并且凹陷部分填充有 氧化物层或氮化物层，部分或全部。
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公开(公告)号：KR1020140048791A
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：KR1020130076999
申请日：2013-07-02
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 송현우
CPC classification number: A61B5/14532 , A61B3/1005 , A61B3/102 , A61B5/0066 , A61B5/14558
Abstract: The present invention relates to a measuring apparatus. The measuring apparatus of the present invention can measure the sugar concentration of an eyeball liquid by emitting a first light source including a polarization component and a second light source which is a variable light source having a predetermined coherency length to eyeballs and measuring the rotation of a polarization surface and each light path length from the first output light source and the second output light source which are outputted from the eyeballs. [Reference numerals] (111) First light source generator; (113) First isolator; (115) Second light source generator; (116) Second isolator; (122) Polarization controller; (141) Optical sensor; (142) Data collector
Abstract translation: 本发明涉及一种测量装置。 本发明的测量装置可以通过将包括偏振分量的第一光源和作为具有预定相关度的可变光源的第二光源发射到眼球并测量眼球的旋转来测量眼球液体的糖浓度 偏振面和从眼球输出的来自第一输出光源和第二输出光源的每个光路长度。 （111）第一光源发生器; （113）第一隔离器; （115）第二光源发生器; （116）第二隔离器; （122）极化控制器; （141）光传感器; （142）数据采集器
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公开(公告)号：KR101295893B1
公开(公告)日：2013-08-12
申请号：KR1020100026418
申请日：2010-03-24
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H05H6/00 , A61N5/10 , A61N2005/1087 , A61N2005/1088 , C23C16/24
Abstract: 양성자 발생용 타겟 물질을 포함하는 양성자를 이용한 치료 장치가 제공된다. 이 치료 장치는 환자가 위치할 수 있는 내부 공간을 갖는 원통형의 보어 부재, 보어 부재의 내측면에 제공된 양성자 발생용 타겟 물질 및 양성자 발생용 타겟 물질로부터 양성자를 발생시켜 환자의 종양 부위로 투사하기 위해, 양성자 발생용 타겟 물질로 레이저 빔을 제공하는 레이저를 포함한다. 양성자 발생용 타겟 물질은 지지 박막 및 지지 박막 상에 제공된 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101257299B1
公开(公告)日：2013-04-22
申请号：KR1020090084930
申请日：2009-09-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N33/493 , G01N21/27 , G01N1/36
CPC classification number: G01N33/493 , G01N15/06 , G01N21/8483 , G01N2201/0221
Abstract: 본 발명은 휴대형 배뇨 분석용 디지털 리더기에 대한 것으로, 복수의 감지 영역을 포함하는 분석 대상 칩을 판독하는 휴대용 리더기에 있어서, 발광 소자를 포함하며 빛을 조사하는 발광부, 상기 각각의 감지 영역으로부터 반사된 빛을 수신하여 전기적 신호로 변환하는 수광부, 그리고 상기 수광부로부터 수득한 상기 전기적 신호에 따라 농도를 측정하는 측정부를 포함하는 본체, 상기 분석 대상 칩을 보유하며, 상기 본체와 조립되는 주 지지체, 그리고 상기 분석 대상 칩과 상기 주 지지체 사이에 조립되고, 상기 분석 대상 칩이 조립되는 홈을 포함하며, 상기 주 지지체와 조립되어, 사용 후 교체되는 보조 지지체를 포함한다. 따라서, 스트립 칩과 접촉하는 부분을 교체 가능하도록 형성하고, 스트립 칩이 도입되는 부분에 흡습 부재를 배치함으로써 과잉 소변으로부터 리더기의 오염을 방지할 수 있다.
바이오 칩, 스트립 칩, 리더기, 오염, 흡습, 교체, 발광, 수광
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