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公开(公告)号：KR100753814B1
公开(公告)日：2007-08-31
申请号：KR1020050064178
申请日：2005-07-15
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 단일집적 반도체 광대역 광원 제작에 관한 것이다. 제작된 반도체 레이저는 전자흡수(Electro Absorption; EA) 변조기(Modulator)와 반도체 광증폭기(Semiconductor Optical Amplifier;SOA)와 발광다이오드(Light Emitting Diode;LED)의 세 구성요소가 InP 기판위에 단일집적되어 있다. 변조기와 SOA와 LED 사이는 이온주입으로 전기적 절연되었으며, 각 전극에서 변조기와 SOA와 LED에 독립적으로 전류를 주입하게 되어 있다. 특히, 이온주입에 의한 전류차단층 형성과 전극간의 전기적 절연이지만 광학적으로 연결된 구조를 만드는 것이 소자성능에 중요하다. 본 발명은 동일한 활성층의 SOA와 LED를 단일집적으로 제작하여, LED 영역에서 생성된 광대역광이 SOA에서 증폭되고 변조기에서 변조되어 단일집적된 광대역 광원소자를 만드는 것이다.
반도체 레이저 다이오드, 광증폭기, SOA, 변조기, LED-
公开(公告)号：KR1020070060523A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020050120175
申请日：2005-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/2222 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/34306
Abstract: A buried ridge waveguide laser diode is provided to improve a temperature characteristic of the laser diode by arranging a p-n-p current blocking layer outside the ridge. A buried ridge waveguide laser diode includes a clad layer(108), a ridge region, and a p-n-p current blocking layer. The clad layer(108) is arranged on an active layer. The ridge region is vertically extended to a part of the clad layer(108) in the same width, and has a selective etching layer(110) and a first conductive type compound layer. The p-n-p current blocking layer has the same thickness as a depth of the ridge region on the clad layer(108) of an outer side of the ridge region, and has a second conductive type second compound layer(112) which is opposite to the first conductive type. The current blocking layer has a first compound layer(114) on the second compound. The first compound layer(114) of the ridge region is extended.
Abstract translation: 提供掩埋脊波导激光二极管，以通过在脊外布置p-n-p电流阻挡层来改善激光二极管的温度特性。 掩埋脊波导激光二极管包括包覆层（108），脊区域和p-n-p电流阻挡层。 包覆层（108）布置在有源层上。 脊区域以相同的宽度垂直延伸到包层（108）的一部分，并且具有选择性蚀刻层（110）和第一导电型化合物层。 所述pnp电流阻挡层的厚度与所述脊部区域的外侧的所述包覆层（108）上的所述脊部区域的深度相同，并且具有与所述第一导电类型相反的第二导电型第二化合物层（112） 导电型。 电流阻挡层在第二化合物上具有第一化合物层（114）。 脊区域的第一化合物层（114）延伸。
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公开(公告)号：KR100701121B1
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：KR1020050042422
申请日：2005-05-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
Abstract: 파장 가변 레이저 다이오드의 파장과 광신호 채널을 일치시키기 위한 측정 시간을 감소시킬 수 있는 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템 및 이를 이용한 측정방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 파장 가변 레이저 다이오드의 측정 시스템은, 파장 가변 레이저 다이오드에 전류를 공급하는 전류 공급부와, 상기 파장 가변 레이저 다이오드의 광 출력을 측정하는 제 1 광출력 측정기 및 상기 파장 가변 레이저 다이오드의 광 출력 중 아이티유 그리드(ITU-GRID)에서 제공되는 광신호 채널과 오차 범위내에서 일치하는 광 출력만을 필터링하여 측정하는 에탈론을 구비한 제 2 광출력 측정기를 포함한다. 또한, 상기 제 1 광출력 측정기에서 측정된 광 출력과 상기 에탈론을 구비한 제 2 광출력 측정기에서 측정된 광 출력을 비교하여 상기 전류 공급부의 전류 공급량을 제어하는 제어부를 포함한다.
파장 가변 레이저 다이오드, 에탈론-
公开(公告)号：KR1020070014438A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：KR1020050069076
申请日：2005-07-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/06236 , G02F1/3775 , H01S5/2018
Abstract: A wavelength variable optical element using a TM(Transverse Magnetic)-mode laser and a method for manufacturing the same are provided to perform mass production by manufacturing a subminiature high efficiency visible light source without matching positions of a waveguide and a polarization. A wavelength variable optical element using a TM-mode laser couples a laser diode to a QPM(Quasi Phase Matching)-SHG(Second Harmonic Generation) waveguide element(101). The laser diode is a TM-mode laser diode(160) having TM polarized light as oscillation polarized light. The QPM-SHG waveguide element(101) is a QPM-SHG waveguide element which forms a periodic polarized region on a Z-cut non-linear medium substrate(110) which is cut by a Z-axis. The laser diode(160) and the QPM-SHG waveguide element(101) are attached and coupled to a flat platform.
Abstract translation: 提供使用TM（横向磁）模式激光器的波长可变光学元件及其制造方法，通过制造不匹配波导位置和极化的超小型高效可见光源进行批量生产。 使用TM模激光器的波长可变光学元件将激光二极管耦合到QPM（准相位匹配）-SHG（第二谐波产生）波导元件（101）。 激光二极管是具有TM偏振光作为振荡偏振光的TM模激光二极管（160）。 QPM-SHG波导元件（101）是在由Z轴切割的Z切割非线性介质基板（110）上形成周期性极化区域的QPM-SHG波导元件。 激光二极管（160）和QPM-SHG波导元件（101）被附接并耦合到平坦平台。
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公开(公告)号：KR100598438B1
公开(公告)日：2006-07-11
申请号：KR1020030097057
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/125
CPC classification number: H01S5/06256 , H01S5/0425
Abstract: 본 발명은 공간적으로 코히어런트한 광이 통과하는 광 도파로와, 광도파로의 일정 부위에 전기장 또는 전류를 인가함으로써 상기 광도파로를 통하여 전송되는 광의 진행방향을 변화시키는 전극 어레이와, 변화된 광의 특정 파장을 선택하는 파장선택 광요소부를 포함하는 코히어런트 튜닝 장치를 제공한다. 이와 같은 구성을 통하여, 광통신 디바이스들에 대해 넓은 파장 밴드에 걸쳐 연속적으로 파장가변이 가능하게 되는 효과가 있다.
코히어런트 튜닝, 파장가변형 광통신 디바이스, 파장가변형 레이저,-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020030050986A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1020010081776
申请日：2001-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B26/06
Abstract: PURPOSE: A semiconductor optical modulator is provided to optionally compensate the loss of optical absorption to be generated when the divided light beams are phase modulated by adjusting the ratio of the optical division during the optical division. CONSTITUTION: A semiconductor optical modulator includes an input optical division region(105), an optical converging output region(101) and an optical phase modulation region(103) formed between the input optical division region(105) and the optical converging output region(101). The semiconductor optical modulator includes a substrate, a bottom electrode formed on the bottom surface of the semiconductor, an active layer, a cladding layer and a top layer. An optical wave guide(250) is formed in the form of ridge on the top of the cladding layer so as to guide the optical light beam.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体光调制器，以可选地补偿当通过调整在光分路期间的光分配比来分割光束被相位调制时所产生的光吸收损失。 构成：半导体光调制器包括输入光分割区域（105），聚光输出区域（101）和形成在输入光分区域（105）和光会聚输出区域（103）之间的光相位调制区域（103） 101）。 半导体光调制器包括基板，形成在半导体的底表面上的底电极，有源层，包覆层和顶层。 光波导（250）以覆盖层顶部的脊状形成，以引导光束。
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公开(公告)号：KR1020170098521A
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：KR1020160020540
申请日：2016-02-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은레이저특성을개선할수 있도록한 파장가변레이저장치에관한것이다. 본발명의실시예에의한파장가변레이저장치는광신호를출력하는이득부와; 상기이득부의일측에위치되며, 상기광신호를제 1파장간격으로반사하는제 1회절격자반사기와; 상기이득부의타측에위치되며, 상기광신호를제 2파장간격으로반사하는제 2회절격자반사기와; 상기이득부와상기제 2회절격자반사기사이에위치되며, 제 3파장간격의광신호만이출력되도록제어하는광필터를구비한다.
Abstract translation: 本发明涉及能够改善激光特性的波长可调激光装置。 根据本发明实施例的可调谐激光装置包括：用于输出光信号的增益单元; 第一衍射光栅反射器，其位于增益部分的一侧并以第一波长间隔反射光信号; 位于增益部分的另一侧并且以第二波长间隔反射光信号的第二衍射光栅反射器; 以及位于增益部分和第二衍射光栅反射器之间并被配置为仅输出具有第三波长间隔的光信号的滤光器。
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公开(公告)号：KR1020170019199A
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：KR1020150113293
申请日：2015-08-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/1014 , H01L33/0045 , H01L33/24 , H01S5/026 , H01S5/101 , H01S5/1064 , H01S5/141 , H01S5/22 , H01S5/2222 , H01S5/227 , H01S2301/176 , H01S2301/18
Abstract: 본발명의일 실시예에따르는발광소자및 발광소자제작방법은발광소자에 PBH(Planar Buried Heterostructure) 구조와리지도파로(Ridge Waveguide) 구조를접목함으로써, 저전류에서 100mW이상의고출력으로동작함과동시에전기광학적손실을줄일수 있는발광소자를제공할수 있다. 또한, 이러한발광소자를파장가변외부공진레이저에적용함으로써, 출력특성이우수한외부공진레이저를제공할수 있다.
Abstract translation: 在发光二极管及其制造方法中，组合了平面埋置异质结构（PBH）和脊波导结构，使得发光二极管能够在低电流下产生100mW以上的高输出。 此外，可以减少电光损耗。 此外，将发光二极管应用于波长可调外腔激光器，使得可以提供具有优异输出特性的外腔激光器。
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公开(公告)号：KR1020120134347A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：KR1020110053198
申请日：2011-06-02
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/005 , B82Y20/00 , G02B6/305 , G02B6/4206 , H01L33/0045 , H01L33/20 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058 , H01S5/02216 , H01S5/02284 , H01S5/026 , H01S5/06226 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/141 , H01S5/2213 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/34306 , H01S2301/176
Abstract: PURPOSE: A super luminescent diode, a manufacturing method thereof, and a wavelength-tunable external resonance laser including the same are provided to minimize parasitic capacitance between an active layer and a pad using a flat layer of a polyimide material. CONSTITUTION: An active waveguide(30) is formed in an active region(12) on a substrate(10). A junction waveguide(50) is formed at an optical mode changing region(14) A flat layer(40) includes polyimide or a polymer BCB(benzocyclobutene). A first pad(44) can be arranged on the top of the flat layer. The first pad is connected to an upper electrode(42) on the active waveguide. The flat layer minimizes the parasitic capacitance between the first pad and the active waveguide. The active waveguide generates laser light with currents which are applied to an upper electrode and the first pad.
Abstract translation: 目的：提供超级发光二极管及其制造方法以及包括该超发光二极管的波长可调谐外部谐振激光器，以使聚酰亚胺材料的平坦层中的有源层和焊盘之间的寄生电容最小化。 构成：在衬底（10）上的有源区（12）中形成有源波导（30）。 在光学模式改变区域（14）处形成结波导（50）。平坦层（40）包括聚酰亚胺或聚合物BCB（苯并环丁烯）。 第一垫（44）可以布置在平坦层的顶部上。 第一焊盘连接到有源波导上的上电极（42）。 平坦层使第一焊盘和有源波导之间的寄生电容最小化。 有源波导产生具有施加到上电极和第一焊盘的电流的激光。
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公开(公告)号：KR1020120125057A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020110043117
申请日：2011-05-06
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/141 , H01L2224/48091 , H01L2224/49171 , H01S5/005 , H01S5/02212 , H01S5/02248 , H01S5/02288 , H01S5/02446 , H01S5/0265 , H01S5/101 , H01S5/50 , H04J14/02 , H01L2924/00014
Abstract: PURPOSE: A tunable external cavity laser is provided to improve combination performance and stability by arranging a pump light source, a flat optical circuit element, and an EA(Electroabsorption) modulator inside a housing. CONSTITUTION: A flat optical circuit element is formed inside housings(9,19). A pump light source(101) is formed inside the housing in one side of the flat optical circuit element. A modulation part(200) is formed inside the housing in the other side of the flat optical circuit element facing the pump light source. The housing includes first to third housings surrounding the pump light source, the flat optical circuit element, and the modulation part, respectively. A radio frequency connector(60) transfers a high frequency signal to the modulation part. The radio frequency connector is connected to the third housing.
Abstract translation: 目的：提供可调谐的外腔激光器，通过在壳体内布置泵浦光源，平面光电路元件和EA（电吸收）调制器来提高组合性能和稳定性。 构成：在壳体（9,19）内部形成平坦的光电路元件。 泵浦光源（101）在平面光电元件的一侧的壳体的内部形成。 在平面光电元件的面对泵浦光源的另一侧的壳体内形成调制部分（200）。 壳体包括分别围绕泵浦光源的第一至第三壳体，平面光电路元件和调制部分。 射频连接器（60）将高频信号传送到调制部分。 射频连接器连接到第三个外壳。
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