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公开(公告)号：KR100155533B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950038771
申请日：1995-10-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 자연산화막 제거를 수반한 저유전율 SiOxFy 박막형성방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명의 저유전율 SiOxFy 박막형성장치는 마이크로 웨이브공급부, 플라즈마 발생부, 반응부, 웨이퍼 이송부, 및 제어부를 포함하며, 본 발명의 저유전율 SiOxFy 박막형성 방법은 전기한 SiOxFy 박막형성장치를 사용하여, SiF
4 /O
2 /Ar의 혼합가스의 플라즈마를 실리콘 웨이퍼 상에 반응시켜 실리콘 웨이퍼에 형성된 40내지 50Å의 자연산화막 중 30 내지 40Å의 준산화막 영역을 식각하는 공정; 및 전기한 식각공정에서 사용된 혼합가스와 동일한 SiF
4 /O
2 /Ar혼합가스의 플라즈마를 전기 공정에서 식각이 이루어진 실리콘 웨이퍼 상에 반응시켜 실리콘 계면에서 6내지 10Å 이내의 단층에 위치한 Si
+1 와 Si
+2 활성종과 기상 F원자 및 O원자의 반응에 의해 SiOxFy 박막을 증착시키는 공정을 포함한다. 본 발명의 박막형성공정 및 박막형성장치를 사용할 경우 자연산화막의 식각공정과 SiOxFy 박막의 증착공정을 동일한 반응실 내에서 순차적으로 수행하여 단시간에 경제적으로 고품질의 저유전율 SiOxFy 박막을 형성할 수 있다는 것이 확인되었다.-
公开(公告)号：KR1019980034432A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960052473
申请日：1996-11-06
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 유병곤
IPC: H01J1/30
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
전자방출 진공소자
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
본 발명은 보다 우수한 특성과 공정의 용이함을 가지는 전자방출 진공소자를 제공하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
절연성 기판 상에 펄스(pulse) 전압을 인가할 수 있는 하부전극을 형성한 후에 강유전체막을 형성하고 상부에 패턴된 상부전극을 형성한 후 하부전극에 펄스(pulse) 전압을 인가함으로써 강유전체의 잔류분극을 급작스럽게 반전시킨다. 이때 발생되는 강전계로 전자가 방출되는데 이 전자가 상판에 형성되어 있는 형광체를 때려 발광하게하며, 상판에 전압을 인가하여 강유전체에서 방출된 전자를 가속시켜 발광휘도를 높인다.
4. 발명의 중요한 용도
전자방출 진공소자-
公开(公告)号：KR100133490B1
公开(公告)日：1998-04-23
申请号：KR1019930028692
申请日：1993-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터용 다결정 실린콘 제조방법에 관한 것으로서, 종래에 열처리 시간이 길고, 결정립 크기의 균일도가 나쁜 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 유리 기판(1)위에 홈을 형성하는 공정(A)과, 상기 기판(1)위에 열처리에 의해서 다결정 실리콘(3)을 형성하는 공정(B)과, 상기 다결정 실리콘(3)을 소정모양으로 만드는 공정(C)을 제공함으로써, 고성능의 트랜지스터를 제작할 수 있고, 균일한 특성을 가진 작은 크기의 트랜지스터도 쉽게 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100129817B1
公开(公告)日：1998-04-06
申请号：KR1019940014063
申请日：1994-06-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
Abstract: The thin film transistor manufacturing method is comprised of the step of (a) depositing an amorphous silicon thin film(20') on a transparent insulating substrate(10), the step of (b) solid-phase-crystallizing the amorphous silicon thin film(20') in an electric furnace of more than atmospheric pressure comprising one of inert gas or active gas, or fixed gas of more than at least two among these gases, forming a polycrystalline silicon thin film(20), the step of (c) forming a polycrystalline silicon active area(20) using the lithography and etching of the polycrystalline silicon thin film(20), the step of (d) forming a gate silicon oxide film(30) and a gate polycrystalline silicon(40) in succession thereon, then performing ion plantation of impurity to form the source and drain(50), and the step of (e) depositing a metal thin film on the source and drain(50) to form a metal electrode(70).
Abstract translation: 薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤：（a）在透明绝缘基板（10）上沉积非晶硅薄膜（20'），（b）使非晶硅薄膜固相结晶 （20'）在大气压的电炉中，包括惰性气体或活性气体中的一种或这些气体中至少两种以上的固定气体，形成多晶硅薄膜（20），步骤（c ）使用多晶硅薄膜（20）的光刻和蚀刻形成多晶硅有源区（20），（d）连续形成栅极氧化硅膜（30）和栅极多晶硅（40）的步骤 然后进行杂质的离子种植以形成源极和漏极（50），以及（e）在源极和漏极（50）上沉积金属薄膜以形成金属电极（70）的步骤。
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公开(公告)号：KR1019960019571A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940028976
申请日：1994-11-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 본 발명은 반도체 소자제조용 절연막을 제조하기 위한 장치에 관한 것으로 특히 산화막 성장속도를 빠르게할 뿐만 아니라 저온에서도 박막 균일도가 우수한 산화막을 형성하거나 저온에서 열처리를 하기 위한 오존고압산화방법에 관한 것이다.
종래의 열산화 방법은 800℃ 이하의 온도에서 열산화막을 성장시킬 경우 너무 성장속도가 느리며 공정이 어렵고, 600℃ 이하의 저온절연막 방법은 실리콘 기판과 산화막 사이의 계면이 불균하고 전기적인 특성과 박막의 균일도가 좋지 못한 문제점 등이 발생하였다.
본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로 공정가스로 오존(O
3 )과 산소를 사용하고 여기에 자외선을 조사하므로써 산화속도를 증가시키고 보다 낮은 온도에서 양질의 산화막이 성장되도록 한 것이다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102237211B1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：KR1020150025284
申请日：2015-02-23
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 표시패널은반사모드또는발광모드중 어느하나의모드로구동할수 있는복수의픽셀들을포함하되, 상기복수의픽셀들각각은, 광투과성재료를포함하는제1 기판, 상기제1 기판과대향하는제2 기판, 상기제1 기판의상기제2 기판방향의표면상에위치하는제1 전극, 상기 1 전극상에위치하고, 환원및 산화반응에의해발광하는발광재료를포함하는발광소자층, 상기제2 기판의상기제1 기판방향의표면상에위치하는제2 전극, 상기제2 전극상에위치하고, 환원및 산화반응에의해착색또는탈색되는반사소자층 및상기발광소자층 및상기반사소자층 사이에위치하고, 상기광의투과율을조절하는전해질층을포함하되, 상기반사모드시, 상기제1 전극및 상기제2 전극에는제1 주파수이하의교류전압이인가되고, 상기발광모드시, 상기제1 전극및 상기제2 전극에는제2 주파수이상의교류전압이인가되고, 상기제2 주파수는상기제1 주파수보다높은갖는다.
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公开(公告)号：KR101904953B1
公开(公告)日：2018-10-10
申请号：KR1020120134655
申请日：2012-11-26
CPC classification number: H01L51/5268 , C23C14/12 , G02B5/0242 , G02B5/0247 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: 본발명의일 실시예에따른유기산란층의제조방법은반응챔버와소스챔버를포함하는증착장치를제공하고, 기판을상기반응챔버내에고정하는것, 상기반응챔버와연결되며기화된유기물소스를공급하는상기소스챔버에 25°C 내지 50°C의이송가스를공급하는것, 상기이송가스와상기기화된유기물소스가샤워해드를통하여상기반응챔버내로분사되는것, 및상기기화된유기물소스가분자화되어형성된유기입자들이상기기판상에증착되어불균일한표면을유기산란층을형성하는것을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170115655A
公开(公告)日：2017-10-18
申请号：KR1020160042945
申请日：2016-04-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/52
Abstract: 본발명의실시예에따른디중모드디스플레이는광 스위치, 상기광 스위치상에배치된미세공동구조체및 상기광 스위치와상기미세공동구조체사이에배치되며, 발광층을포함하는유기발광구조체를포함하되, 상기미세공동구조체는상기유기발광구조체의일면상에배치되는미세공동층, 상기미세공동층은상기미세공동층에입사된입사광을제 1 파장을갖는제 1 광으로바꿔, 상기광 스위치쪽으로반사시키고및 상기미세공동층상에배치되며, 불균일한표면을가져, 상기제 1 광을산란하는반사광산란층을포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的双模式显示器包括光开关，设置在光开关上的微腔结构以及设置在光开关和微腔结构之间并包括发光层的有机发光结构， 微腔结构是设置在有机发光结构的一个表面上的微腔层，微腔层将入射在微腔层上的入射光转换成具有第一波长的第一光，并将入射光反射到光开关 并且设置在微孔层上并具有不均匀表面的反射光散射层散射第一光。
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