-
公开(公告)号：KR100171377B1
公开(公告)日：1999-03-30
申请号：KR1019950052669
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 극 박막소자 제조 방법에 관한 것으로서, 반절연성의 갈륨 비소 화합물 반도체 기판상에 상기 갈륨 비소와 식각 선택비가 큰 알루미늄 비소로 이루어진 희생층, 갈륨 비소 또는 갈륨 비소와 알루미늄 갈륨 비소의 초격자 구조로 이루어진 완충층, 실리콘이 도핑된 갈륨 비소층으로 이루어진 채널층으로 순착적으로 결정 성장하는 공정과, 상기 채널층의 소정부분을 상기 완충층이 노출되도록 제거하여 소자를 분리하는 공정과, 상기 완충층과 채널층의 상부에 감광막을 도포한 후 노광 및 현상하여 상기 완충층을 노출시키는 공정과, 상기 완충층을 상기 희생층이 노출되도록 식각하는 공정과, 상기 감광막의 상부에 여분의 웨이퍼를 부착하고 상기 희생층을 제거하여 소자를 기판으로 부터 분리하는 공정과, 상기 완충층의 노출면에 패키지 할 때 열 방출을 효율적으로 할 수 있는 열방출층을 형성하는 공정과, 상기 열방출층의 표면에 열전도성이 좋은 열전도기판을 부착하고 상기 감광막을 제거하는 공정을 구비한다.
따라서, 본 발명은 동시에 칩을 분리 할 수 있으며, 이렇게 분리된 칩은 두께가 수 마이크로 미터로 줄어들므로 열방출을 효율적으로 할 수 있어 전력소자의 성능을 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR100170189B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950047071
申请日：1995-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/73
Abstract: 본 발명은 격자비정합 고전자이동도 트랜지스터에 관한 것으로서, (100)방향을 갖는 반절연 InP기판(1)으로부터의 적층순서에 따라 InAlAs화합물 반도체로 구성된 완충층(2), InGaAs화합물 반도체로 구성된 채널층(3), 도우프되지 않는 InAlAs화합물반도체로 구성된 격리층(4), n형 실리콘 델타도우프된 층(5)와 도우프되지 않은 InAlAs화합물반도체로 구성된 제2의 격리층(6), n형 도우프된 InGaAs화합물반도체로 구성된 뚜껑층(7)으로 구성되어 있고 각 에피택셜층의 조성은 도우프되지 않은 53% In조성의 InGaAs격자정합예비채널층과 60% In조성에서 70% In조성의 경사조성을 가지는 도우프되지 않는 격자비정합 스트레인층으로 구성되어 있는 채널층을 제외하고 InAlAs화합물반도체층은 52%의 In, 48%의 Al으로 구성되어 있는 Ⅲ족 원소와 As의 V족 원소가 각각 1:1의 조성비를 이� �어야하고, InGaAs화합물반도체층은 53%의 In, 47%의 Ga으로 구성되어 있는 Ⅲ족 원소와 As의 V족 원소가 각각 1:1의 조성비를 이룬다.
따라서, 채널층의 두께를 감소시키지 않으면서 In의 조성비를 증가시킬 수 있으므로 전자이동도를 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980044521A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960062614
申请日：1996-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/148
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
고전자 이동도 트랜지스터
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
전자들이 경계면으로부터 멀리떨어지도록하여 에너지대 구조가 역삼각형을 이루어, 보다 이동도가 증대된 고전자 이동도 트랜지스터를 제공한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
기판 상부에 애피택셜 성장되며 Al의 조성이 점차떨어지고 대신 Ga이 점차적으로 증대되는 선형적인 조성 변화를 갖는 InGaAlAs 완충층을 형성하고, 전도층은 InGaAs층이 되도록 애피택셜 성장시킨다.
4. 발명의 중요한 용도
고전자 이동도 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1019980037010A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960055692
申请日：1996-11-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 특히, 화합물 반도체 소자 제조용 에피택셜 기판 및 화합물 반도체 소자의 완충층 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 화합물 반도체 소자 제조용 에피택셜 기판은, 에피택시 방법에 의해 제조되며, 기판, 완충층 및 채널층을 포함하는, 화합물 반도체 소자 제조용 에피택셜 기판에 있어서, 상기한 완충층은, 도핑하지 않은 인듐 알루미늄 갈륨 비소의 4원소 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 화합물 반도체 완충층 형성 방법은, 화합물 반도체 소자 제조시 에피택시 방법에 의해, 채널층과 기판 사이에 완충층을 형성하는 방법에 있어서, 상기한 기판 상에, 도핑하지 않은 인듐 알루미늄 갈륨 비소의 4원소 화합물로 이루어진 완충층을 500~1,500Å의 두께로 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에서와 같이, 화합물 반도체 소자제조시 4원소 화합물로 완충층을 형성하거나, 4원소 화합물의 조성비를 선형적으로 변화시켜 완충층을 형성하게 되면, 이동도를 대폭적으로 향상시킬 수 있어, 화합물 반도체 소자의 고속 특성과 저잡음 특성을 향상시킬 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1019980036262A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960054819
申请日：1996-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 본 발명은 갈륨비소(GaAs) 마이크로 웨이브 반도체 장치 중 증가형 모드와 공핍형 모드 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(E-MESFET 및 D-MESFET) 제조용 기판 구조 및 제조 방법에 관한 것으로서, 기판 성장시 활성층 사이에 원하는 깊이로 얇은 식각 멈춤층을 삽입하고 식각 공정에서 채널층과 식각 멈춤층을 선택적으로 식각함으로써 공정 재현성과 특성 균일도 및 생산 수율 향상 효과를 얻을 수 있으며, 이 기판을 이용하여 E-MESFET와 D-MESFET를 제작하고 T-형 게이트를 형성하여 잡음 특성 등 마이크로웨이브 특성이 우수한 E-MESFET와 D-MESFET를 동일 기판 위에 간단한 방법으로 동시에 제작할 수 있어 공정 개선 및 원가 절감에 기여할 수 있는 것이다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100119281B1
公开(公告)日：1998-07-01
申请号：KR1019940023881
申请日：1994-09-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C30B25/02
Abstract: 본 발명은 초고진공 중에서 질소 래디칼을 생성하는 소오스로서 특히 반응에 활성화된 질소 래디칼을 형성하고 프라즈마 챔버의 자체 형태에 의해 프라즈마를 추출하면서 초음파를 이용해 균일도를 높여 질화물 화합물 반도체 제작시 결정성과 전기적인 특성을 향상시킬 수 있는 질소 래디칼 생성장치에 관한 것이다.
본 발명은 분자선 에피택시 장비를 이용한 질소 래디칼 발생장치에 있어서, 하전된 질소 래디칼과 화학결합하여 질화물 반도체를 형성할 수 있는 기판; 프라즈마가 밀도차에 의해 상기 기판을 향하여 입사될 수 있도록 원추형상의 구조를 갖는 챔버; 상기 챔버의 외측벽에 형성되어 프라즈마를 형성하기 위한 마그네트; 상기 챔버내로 불활성 가스인 질소를 주입하기 위한 니들밸브; 상기 니들밸브로부터 유입된 질소가스를 침버내로 확산시키기 위한 확산자; 확산된 질소가스를 이온화시키기 위한 필라멘트; 및 형성된 프라즈마와 균일한 분포를 이룰 수 있도록 상기 챔버의 하측외벽에 부착된 초음파 진동자로 구성된다.-
-
公开(公告)号：KR1019970003692A
公开(公告)日：1997-01-28
申请号：KR1019950017304
申请日：1995-06-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/334
Abstract: 본 발명은 인듐갈륨비소, 인듐 알루미늄 비소 이종접합의 고전자 이동도 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 반도체기판의 상부에 버퍼층 및 채널층을 형성한 후 동일한 진공 챔버 내에서 진공을 깨지않고 채널층 표면에 도착된 소오스 분자들이 각각의 격자점으로 이동되기 위한 표면 이동시간을 갖도록 단지 결정 성장층들을 형성하기 위한 소오스들의 셔터를 닫아 성장을 일시 멈추게 한 후 연속해서 스페이서층, 도너층 및 캡층을 형성한다. 따라서, 채널층의 표면에 도착된소오스 분자들이 각각의 격자점에 위치되도록 하므로써 격자 결함이 감소되고 계면 급준성이 향상되어 전자이동도가 증가된다.
-
-
公开(公告)号：KR1019960012343A
公开(公告)日：1996-04-20
申请号：KR1019940023879
申请日：1994-09-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체소자를 제조할때 건식식각공정에서 식각 잔유물을 효율적으로 제거하기 위하여 고정 중 기판에 초음파를 인가하여 소자의 기능을 살리고 수율을 향상시키기 위하여 식각 공정중인 기판에 초음파를 인가하는 방법 및 그 장치를 제공한다. 본 발명은 상술한 작용으로 반도체 제조공정시 건식식각공정에서 발생하는 잔유물인 폴리머를 식각표면으로부터 초음파를 이용하여 효율적으로 제거하여 기존의 공저에서 제거하기 어려워 소자의 실패의 원인이었던 것을 공정 중에 도시에 제거하므로써 소자의 기능을 원활히 할 수 있어서 소자의 수율을 증대할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
55
records
(took 0.042 seconds)
