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    금속산화물 나노와이어를 이용한 나노활성화 물질과 박막트랜지스터의 제조방법
    41.
    发明授权
    금속산화물 나노와이어를 이용한 나노활성화 물질과 박막트랜지스터의 제조방법 有权
    使用金属氧化物纳米管制备纳米材料和薄膜晶体管的方法

    公开(公告)号：KR101102143B1

    公开(公告)日：2012-01-02

    申请号：KR1020100016582

    申请日：2010-02-24

    Applicant: 연세대학교 산학협력단

    Inventor： 김현재 ,  김도경 ,  배중현

    IPC: B82B3/00 ,  H01L29/786

    Abstract: 본 발명은 금속산화물 나노와이어의 제조방법 및 이를 이용한 나노활성화 물질과 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 금속층(Metal plate) 또는 기판의 가열을 통해 금속층 또는 기판으로부터 금속산화물 나노와이어를 성장시키고, 성장된 금속산화물 나노와이어에 반응성 금속인 알루미늄을 증착하여 반응성이 매우 큰 나노활성화 물질을 제조함으로써, 기존의 나노분말을 이용하여 제조한 활성화 물질에 비해 반응성이 우수하며, 낮은 점화 온도, 불순물 감소에 유리한 효과가 있다.

    유기 모노실란과 사염화규소를 이용한 규소 나노 구조체의 합성방법
    43.
    发明公开
    유기 모노실란과 사염화규소를 이용한 규소 나노 구조체의 합성방법 有权
    使用有机硅和硅酮四氯化硅组合硅纳米结构的方法

    公开(公告)号：KR1020100090554A

    公开(公告)日：2010-08-16

    申请号：KR1020090009901

    申请日：2009-02-06

    Applicant: 연세대학교 산학협력단

    Inventor： 김현재 ,  김동림 ,  김시준 ,  김두나

    IPC: C01B33/021 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

    CPC classification number: C01B33/023 ,  B01J23/04 ,  C01P2004/64

    Abstract: PURPOSE: A synthetic method of silicon nanostructure is provided to disperse a catalyst during Wurtz-type coupling reaction, and to perform the synthesis process at the low temperature and the low pressure. CONSTITUTION: A synthetic method of silicon nanostructure using organomonosilane and silicon tetrachloride comprises the following steps: inserting a constant amount of catalyst inside a reactor including a dispersing agent(S100); heating the catalyst to promote the dispersion of the catalyst(S200); inserting the organomonosilane to the reactor to react with the catalyst(S300); and cooling the mixture before adding the silicon tetrachloride to react with the mixture(S400).

    Abstract translation: 目的：提供硅纳米结构的合成方法以在Wurtz型偶联反应期间分散催化剂，并在低温和低压下进行合成过程。 构成：使用有机基硅烷和四氯化硅的硅纳米结构的合成方法包括以下步骤：在包含分散剂的反应器内插入恒定量的催化剂（S100）; 加热催化剂以促进催化剂的分散（S200）; 将有机基硅烷插入反应器与催化剂反应（S300）; 并在加入四氯化硅与混合物反应之前冷却混合物（S400）。

    적층형 유기 태양전지 및 그 제조방법
    44.
    发明公开
    적층형 유기 태양전지 및 그 제조방법 无效
    TANDEM有机太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020100053930A

    公开(公告)日：2010-05-24

    申请号：KR1020080112816

    申请日：2008-11-13

    Applicant: 연세대학교 산학협력단

    Inventor： 이근우 ,  김현재 ,  허건의 ,  정태훈

    IPC: H01L51/42 ,  B82Y30/00

    CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/42 ,  B82Y30/00

    Abstract: PURPOSE: A tandem organic solar cell and a fabrication method are provided to improve photoelectric conversion efficiency of a solar cell by expanding an effective absorption wavelength range to a solar energy. CONSTITUTION: A photoelectric conversion layer is formed on the top of a first electrode(110). The photoelectric conversion layer includes a plurality of organic layers which are laminated in parallel with each other. A plurality of organic layers includes a doner material layer laminated on the top of the acceptor material layer and an acceptor material layer. A carbon isotope material is mixed in the doner material layer included in one among a plurality of organic layers. A second electrode(150) is formed on the top of the photoelectric conversion layer.

    Abstract translation: 目的：提供串联有机太阳能电池和制造方法，以通过将有效吸收波长范围扩展到太阳能来提高太阳能电池的光电转换效率。 构成：在第一电极（110）的顶部形成光电转换层。 光电转换层包括彼此平行叠层的多个有机层。 多个有机层包括层叠在受主材料层的顶部的受体材料层和受主材料层。 碳同位素材料混合在包含在多个有机层中的一个中的一个材料层中。 第二电极（150）形成在光电转换层的顶部。

    비정질 실리콘층의 결정화 방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터의 제조방법
    45.
    发明授权
    비정질 실리콘층의 결정화 방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터의 제조방법 失效
    非晶硅层的结晶方法及其薄膜晶体管的制造方法

    公开(公告)号：KR100803867B1

    公开(公告)日：2008-02-14

    申请号：KR1020060089050

    申请日：2006-09-14

    Applicant: 연세대학교 산학협력단

    Inventor： 김현재 ,  정태훈 ,  박상훈

    IPC: H01L29/786

    CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1285 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1274

    Abstract: A method for crystallizing an amorphous silicon layer and a method for manufacturing a thin film transistor using the same are provided to form a polycrystal layer by changing a characteristic of a local area of an amorphous silicon layer and crystallizing the entire surface of the amorphous silicon layer. A substrate(10) with an amorphous silicon layer(30) deposited on an upper portion thereof is prepared. A protruding tip(100) contacts with the amorphous silicon layer so as to change a characteristic of a local area on the amorphous silicon layer. The amorphous silicon layer is crystallized by using the local area as a crystallization seed. The characteristic of the local area is changed by heat generation of the tip. In the step of crystallizing the amorphous silicon layer, the amorphous silicon layer is irradiated by a laser or by rear exposure.

    Abstract translation: 提供一种使非晶硅层结晶的方法和使用其的制造薄膜晶体管的方法，以通过改变非晶硅层的局部区域的特性并使非晶硅层的整个表面结晶来形成多晶层 。 制备在其上部沉积有非晶硅层（30）的衬底（10）。 突起尖端（100）与非晶硅层接触以改变非晶硅层上的局部区域的特性。 通过使用局部区域作为结晶种子，使非晶硅层结晶。 通过尖端的发热来改变局部区域的特征。 在结晶非晶硅层的步骤中，通过激光或后曝光照射非晶硅层。

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