System zum Bereitstellen eines geschalteten Ausgangssignals und eines hochauflösenden Ausgangssignals

    公开(公告)号:DE102011004050A1

    公开(公告)日:2011-08-18

    申请号:DE102011004050

    申请日:2011-02-14

    Abstract: Ein System, das ein Erfassungssystem, eine erste gechoppte Schaltung, eine zweite gechoppte Schaltung und einen Taktgenerator umfasst. Das Erfassungssystem ist dazu konfiguriert, erfasste Eingangssignale bereitzustellen. Die erste gechoppte Schaltung ist dazu konfiguriert, ein geschaltetes Ausgangssignal bereitzustellen, das ansprechend darauf schaltet, dass Werte der erfassten Eingangssignale eine Grenze überschreiten. Die zweite gechoppte Schaltung ist dazu konfiguriert, ein hochauflösendes Ausgangssignal bereitzustellen, das den erfassten Eingangssignalen entspricht und eine höhere Auflösung als das geschaltete Ausgangssignal aufweist. Der Taktgenerator ist dazu konfiguriert, Taktsignale bereitzustellen, die das Zerhacken der ersten gechoppten Schaltung und der zweiten gechoppten Schaltung synchronisieren.

    Winkelsensor
    44.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102009054694A1

    公开(公告)日:2010-07-15

    申请号:DE102009054694

    申请日:2009-12-15

    Abstract: Ein Winkelsensor umfasst eine erste und eine zweite Flussführung, die in einer beabstandeten Beziehung angeordnet sind, um einen ersten und einen zweiten Flussführungsluftzwischenraum zwischen sich zu definieren. Die erste und die zweite Flussführung definieren eine Mittelöffnung, wobei ein Magnet in der Mittelöffnung angeordnet ist. Der Magnet ist diametral magnetisiert und relativ zu den Flussführungen drehbar. Ein Magnetsensor, der in einem der Flussführungsluftzwischenräume angeordnet ist, ist konfiguriert, um ansprechend auf eine empfangene Magnetflussdichte Signale auszugeben.

    46.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE102008061067A1

    公开(公告)日:2009-08-27

    申请号:DE102008061067

    申请日:2008-12-08

    Abstract: An integrated circuit includes a die and a first magnetic field sensitive element formed on the die. The integrated circuit includes a first coil formed on the die and around the first magnetic field sensitive element.

    50.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE10214898B4

    公开(公告)日:2009-02-05

    申请号:DE10214898

    申请日:2002-04-04

    Abstract: The non-volatile memory cell of a memory circuit includes at least one enhancement pMOS transistor having a floating gate. It further includes an enhancement nMOS transistor having a floating gate insulated from the floating gate of the pMOS transistor. A control input is capacitively coupled to the floating gate of the pMOS transistor and to the floating gate of the nMOS transistor. The pMOS transistor and the nMOS transistor are connected by a connection point, the connection point being connected to an output of the memory cell. The pMOS transistor is additionally connected to a first terminal of the memory cell, while the nMOS transistor is additionally connected to a second terminal of the memory cell. A supply voltage is appliable to the memory cell via the first and second terminals.

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