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公开(公告)号：DE102014118769B4
公开(公告)日：2017-11-23
申请号：DE102014118769
申请日：2014-12-16
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： VAUPEL MATHIAS , THEUSS HORST , WIETSCHORKE HELMUT , LÖHNDORF MARKUS , SCHMITT STEPHAN , BÖHM MATTHIAS , GROSS STEVEN
Abstract: Drucksensor-Modul, mit; einem Gehäuse; einem Drucksensor-Chip; einem oder mehreren eines Chips eines integrierten passiven Bauelements (IPD) und diskreten passiven Bauelementen; wobei der Drucksensor-Chip und einer oder mehrere des IPD-Chips und der diskreten passiven Bauelemente innerhalb des Gehäuses angeordnet sind; und externe Kontaktelemente, die dazu ausgestaltet sind, an einer Leiterplatte befestigt zu werden und elektrische Verbindungen mit Kontaktelementen der Leiterplatte zu bilden, wobei die externen Kontaktelemente dazu ausgestaltet sind, mit einer metallischen Oberfläche verschweißt zu werden, und wobei die externen Kontaktelemente jeweils einen metallischen Körper aufweisen, wobei Abschnitte der Oberfläche des metallischen Körpers von einer Materialschicht bedeckt sind, wobei das Material der Materialschicht dazu ausgestaltet ist, das Verschweißen der externen Kontaktelemente mit der metallischen Oberfläche zu erleichtern.
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公开(公告)号：DE102004032482A1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：DE102004032482
申请日：2004-07-05
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ZIMMER JUERGEN , SCHMITT STEPHAN
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公开(公告)号：DE102005010338A1
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：DE102005010338
申请日：2005-03-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG , CAESAR STIFTUNG
Inventor： SCHMITT STEPHAN , WINKLER BERNHARD , ZIMMER JUERGEN , WECKER JOACHIM , QUANDT ECKARD , RUEHRIG MANFRED
Abstract: The arrangement has a layer sequence including reference layers, separation layer and measurement layers (121-125) arranged one above the other. The measurement layers have magnetostriction constant different from zero, and a uni-axial magnetic anisotropy with anisotropy axis. Magnetization directions and anisotropy axis of the measurement layers have an angle more than zero and less than 90 degree with the force axis in rest condition. An independent claim is also included for a method for determining the force acting on a carrier of a force sensor.
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公开(公告)号：DE102004032484B3
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：DE102004032484
申请日：2004-07-05
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ZIMMER JUERGEN , SCHMITT STEPHAN , RUEHRIG MANFRED
Abstract: A sensor has a substrate in which a mechanically deformable area is formed. A first magnetostrictive multilayer sensor element and a second magnetostrictive multilayer sensor element are formed in the mechanically deformable area, wherein the first magnetostrictive multilayer sensor element and the second magnetostrictive multilayer sensor element are connected to each other and implemented such that when generating a mechanical deformation of the mechanically deformable area, the electric resistance of the first magnetostrictive multilayer sensor element changes in an opposite way to the electric resistance of the second magnetostrictive multilayer sensor element, or the electric resistance of the first magnetostrictive multilayer sensor element remains unchanged.
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公开(公告)号：FR2952175B1
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：FR1004265
申请日：2010-10-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： AUSSERLECHNER UDO , WERTH TOBIAS , SLAMA PETER , ZIMMER JUERGEN , RABERG WOLFGAN , SCHMITT STEPHAN , ORASCH MARTIN
IPC: G01D5/12
Abstract: Elément (10) magnétique formant codeur, comprenant un capteur de champ magnétique pour mesurer une position le long d'une première direction, l'élément étant caractérisé en ce qu'il comprend une première piste (15) comprenant un matériau procurant une configuration magnétique le long de la première direction, la configuration magnétique étant formée par un vecteur d'aimantation rémanente, qui a une amplitude variable en fonction d'une position le long de la première direction, le vecteur d'aimantation rémanente ne changeant pas d'orientation le long de la première direction.
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Patent Agency Ranking6.发明专利
公开(公告)号：DE102014104114A1
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：DE102014104114
申请日：2014-03-25
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ZIMMER JÜRGEN , RABERG WOLFGANG , SCHMITT STEPHAN
Abstract: Ein magnetoresistives Bauelement enthält ein Substrat und eine elektrisch isolierende Schicht, die über dem Substrat angeordnet ist. Das magnetoresistive Bauelement enthält weiterhin eine erste freie Schicht, die in die elektrisch isolierende Schicht eingebettet ist, und eine zweite freie Schicht, die in die elektrisch isolierende Schicht eingebettet ist. Die erste freie Schicht und die zweite freie Schicht sind durch einen Teilbereich der elektrisch isolierenden Schicht getrennt.
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公开(公告)号：DE102004032482B4
公开(公告)日：2008-01-31
申请号：DE102004032482
申请日：2004-07-05
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ZIMMER JUERGEN , SCHMITT STEPHAN
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公开(公告)号：DE59810039D1
公开(公告)日：2003-12-04
申请号：DE59810039
申请日：1998-08-14
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BEVER THOMAS , SCHMITT STEPHAN , EHRLER GUENTER
Abstract: The invention relates to a semiconductor detector with a base structure (4) and at least one deformable body (8), wherein the deformable body (8) consists of a semiconductor substrate which is doped with a dopant displaying a first type of conductivity. Piezo resistors (14) doped with a dopant displaying an opposite type of conductivity are located in the deformable body (8). The deformable body (8) is in contact with a medium in at least one partial area. The inventive semiconductor detector is characterized in that the partial area has a dopant concentration that is lower than the dopant concentration in the area located between said partial area and the piezo resistor (14).
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公开(公告)号：DE102014118769A1
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：DE102014118769
申请日：2014-12-16
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： VAUPEL MATHIAS , THEUSS HORST , WIETSCHORKE HELMUT , LÖHNDORF MARKUS , SCHMITT STEPHAN , BÖHM MATTHIAS , GROSS STEVEN
Abstract: Das Drucksensor-Modul weist ein Gehäuse, einen Drucksensor-Chip und einen oder mehrere eines Chips eines integrierten passiven Bauelements (IPD) und diskreter passiver Bauelemente auf, wobei der Drucksensor-Chip und einer oder mehrere des IPD-Chips und der diskreten passiven Bauelemente innerhalb des Gehäuses angeordnet sind.
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公开(公告)号：DE102010042972A1
公开(公告)日：2011-05-12
申请号：DE102010042972
申请日：2010-10-26
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SCHMITT STEPHAN , RABERG WOLFGANG , AUSSERLECHNER UDO , ORASCH MARTIN , SLAMA PETER , WERTH TOBIAS , ZIMMER JUERGEN
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