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    Schaltkreis und Verfahren für einen Transformator und ein Phasenschieber-Netzwerk
    41.
    发明专利
    Schaltkreis und Verfahren für einen Transformator und ein Phasenschieber-Netzwerk 未知

    公开(公告)号：DE102014109003B4

    公开(公告)日：2018-04-12

    申请号：DE102014109003

    申请日：2014-06-26

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAKALSKI WINFRIED ,  SOLOMKO VALENTYN

    IPC: H03H7/40

    Abstract: Schaltkreis (1, 800), der folgendes umfasst: einen magnetischen Transformator, der eine erste Wicklung umfasst, die zwischen einem ersten Signal-Knoten (2) und einem zweiten Signal-Knoten (3) angeschlossen ist, und eine zweite Wicklung, die zwischen einem ersten Referenz-Knoten und einem Strommessungs-Knoten (5, 6) angeschlossen ist; und ein zwischen dem zweiten Knoten (3) und einem Spannungsmessungs-Knoten (4) angeschlossenes Phasenschieber-Netzwerk, wobei der Schaltkreis (1, 800) derart ausgebildet ist, dass ein Zustand mit angepasster Impedanz auf Basis einer Amplitudendifferenz und einer Phasendifferenz zwischen dem Spannungsmessungs-Knoten (4) und dem Strommessungs-Knoten (5, 6) angezeigt wird.

    SPANNUNGS-STEHWELLEN-FUNKMESSUNGS- UND -ABSTIMM-SYSTEME UND -VERFAHREN
    42.
    发明专利
    SPANNUNGS-STEHWELLEN-FUNKMESSUNGS- UND -ABSTIMM-SYSTEME UND -VERFAHREN 未知

    公开(公告)号：DE102016120239A1

    公开(公告)日：2017-05-18

    申请号：DE102016120239

    申请日：2016-10-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： THOMAS ANTHONY ,  SOLOMKO VALENTYN ,  BAUDER RÜDIGER ,  BAKALSKI WINFRIED

    IPC: H04B1/40

    Abstract: Eine Stehwellenverhältnis-Detektionsanordnung ist offenbart. Die Anordnung umfasst einen Stehwellenverhältnisdetektor und eine Steuerung. Der Stehwellenverhältnisdetektor ist ausgebildet, um ein isoliertes Signal und ein gekoppeltes Signal zu empfangen und um ein Multibit-Rückflussdämpfungssignal basierend auf dem isolierten Signal und dem gekoppelten Signal in dem analogen Bereich unter Verwendung einer sukzessiven Dämpfung des gekoppelten Signals zu erzeugen. Die Steuerung ist ausgebildet, um ein Stehwellenverhältnis aus der Rückflussdämpfung zu bestimmen und um ein Antennenabstimm-Steuerungssignal unter Verwendung des Stehwellenverhältnisses zu erzeugen.

    Vorrichtung und Verfahren für einen ESD-Schutz eines Halbleiters
    43.
    发明专利
    Vorrichtung und Verfahren für einen ESD-Schutz eines Halbleiters 未知

    公开(公告)号：DE102016218598A1

    公开(公告)日：2017-03-30

    申请号：DE102016218598

    申请日：2016-09-27

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAKALSKI WINFRIED

    IPC: H01L23/60 ,  H01L27/06

    Abstract: Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein Schaltkreis zum Schutz gegen elektrostatische Entladungen (ElectroStatic Discharge protection circuit, ESD-Schutzschaltkreis) einen ersten Transistor, der aufweist: einen ersten Source/Drain, der mit einer ersten Eingangs-/Ausgangsklemme verbunden ist, einen zweiten Source/Drain, der mit einer ersten Bezugsspannungsklemme verbunden ist, und ein Gate, das mit einer zweiten Bezugsspannungsklemme verbunden ist. Der ESD-Schutzschaltkreis umfasst außerdem einen Gleichstromsperrkreis (Direct Current blocking circuit, DC-Sperrkreis), der aufweist: einen ersten Eingangs-/Ausgangsknoten, der mit der ersten Eingangs-/Ausgangsklemme verbunden ist, einen zweiten Eingangs-/Ausgangsknoten, der konfiguriert ist, um mit einem Nutzschaltkreis verbunden zu werden, und einen dritten Eingangs-/Ausgangsknoten, der mit einem Gate des ersten Transistors verbunden ist.

    Einstellbares Impedanzanpassungsnetz
    45.
    发明专利
    Einstellbares Impedanzanpassungsnetz 未知

    公开(公告)号：DE102013202124A1

    公开(公告)日：2013-08-14

    申请号：DE102013202124

    申请日：2013-02-08

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAKALSKI WINFRIED

    IPC: H03H7/38 ,  H04B1/18 ,  H04B1/40

    Abstract: Ein Impedanzanpassungsnetz umfasst einen ersten Anschluss, einen zweiten Anschluss und einen Referenzpotentialanschluss. Das Impedanzanpassungsnetz umfasst ferner einen ersten Nebenschlusszweig zwischen dem ersten Anschluss und dem Referenzpotentialanschluss, wobei der erste Nebenschlusszweig ein kapazitives Element umfasst. Das Impedanzanpassungsnetz umfasst auch einen zweiten Nebenschlusszweig zwischen dem zweiten Anschluss und dem Referenzpotentialanschluss, wobei der zweite Nebenschlusszweig ein induktives Element umfasst. Ferner umfasst das Impedanzanpassungsnetz einen Übertragungsleitungstransformator mit einem ersten Induktorpfad und einem zweiten Induktorpfad, wobei der erste Induktorpfad den ersten Anschluss und den zweiten Anschluss verbindet. Ein alternatives Impedanzanpassungsnetz umfasst einen Transformator und ein adaptives Anpassungsnetz. Der Transformator ist dazu konfiguriert, eine Impedanz, die mit einem ersten Port verbunden ist, zu transformieren, so dass eine entsprechende transformierte Impedanz innerhalb eines begrenzten Impedanzbereichs in einer komplexen Impedanzebene liegt.

    Hochfrequenz-Schaltschaltung
    46.
    发明专利
    Hochfrequenz-Schaltschaltung 未知

    公开(公告)号：DE102011003880A1

    公开(公告)日：2011-08-18

    申请号：DE102011003880

    申请日：2011-02-09

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAKALSKI WINFRIED ,  ILKOV NIKOLAY ,  KEBINGER HERBERT ,  TADDIKEN HANS

    IPC: H03K17/04 ,  H04B1/38

    Abstract: Eine Hochfrequenz-Schaltschaltung umfasst einen Hochfrequenz-Schalttransistor, wobei sich ein Hochfrequenzsignalweg über einen Kanalweg des Hochfrequenz-Schalttransistors erstreckt. Die Hochfrequenz-Schaltschaltung umfasst eine Steuerschaltung und die Steuerschaltung ist konfiguriert, um zumindest zwei unterschiedliche Vorspannungspotentiale an ein Substrat des Hochfrequenz-Schalttransistors anzulegen, abhängig von einem Steuersignal, das durch die Steuerschaltung empfangen wird.

    System und Verfahren zum Prüfen eines integrierten Schaltkreises
    49.
    发明专利
    System und Verfahren zum Prüfen eines integrierten Schaltkreises 未知

    公开(公告)号：DE102013209068B4

    公开(公告)日：2022-06-15

    申请号：DE102013209068

    申请日：2013-05-16

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAKALSKI WINFRIED ,  ILKOV NIKOLAY

    IPC: H04B17/00 ,  G01R31/28

    Abstract: Verfahren zum Prüfen eines integrierten Schaltkreises, wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Aufnehmen einer Speisespannung im integrierten Schaltkreis über einen ersten Eingangsstift, über den im integrierten Schaltkreis angeordnete Schaltkreise mit Leistung versorgt werden;Vergleichen der Speisespannung mit einer in dem integrierten Schaltkreis innen generierten Spannung;Generieren eines digitalen Ausgangswerts basierend auf dem Vergleichen; undAusgeben des digitalen Ausgangswerts auf einen Stift des integrierten Schaltkreises über eine serielle Datenschnittstelle, die konfiguriert ist, um auch andere Aspekte des integrierten Schaltkreises zu steuern.

    System und Verfahren zum Ansteuern eines Hochfrequenzschalters
    50.
    发明专利
    System und Verfahren zum Ansteuern eines Hochfrequenzschalters 未知

    公开(公告)号：DE102015105113B4

    公开(公告)日：2021-07-01

    申请号：DE102015105113

    申请日：2015-04-02

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAKALSKI WINFRIED ,  THOMAS ANTHONY

    IPC: H03F3/19

    Abstract: Hochfrequenz-Schaltschaltung, umfassend:mehrere in Reihe geschaltete Hochfrequenz-Schalterzellen (201), die einen Lastpfad und einen Steuerungsknoten umfassen,wobei die mehreren in Reihe geschalteten Hochfrequenz-Schalterzellen (201) jeweils einen Schalttransistor und einen Gatewiderstand (RGATE), der ein mit einem Gate des Schalttransistors gekoppeltes erstes Ende und ein mit dem Steuerungsknoten gekoppeltes zweites Ende aufweist, umfassen, undeinen mit dem Steuerungsknoten gekoppelten Schaltertreiber (126; 261; 272; 282; 300), wobei der Schaltertreiber (126; 261; 272; 282; 300) eine variable Ausgangsimpedanz (202; 262, 264) umfasst, die mit einer Spannung des Steuerungsknotens variiert.

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