PROCEDE DE REALISATION D'UN CAPTEUR D'IMAGES A ECLAIREMENT PAR LA FACE ARRIERE

    公开(公告)号:FR2974238A1

    公开(公告)日:2012-10-19

    申请号:FR1153178

    申请日:2011-04-12

    Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un capteur d'images (31) à éclairement par la face arrière à partir d'un substrat semiconducteur (33), ce procédé comportant les étapes suivantes : a) former, depuis la face avant du substrat, des zones (38) de même type de conductivité que le substrat mais de niveau de dopage supérieur, s'étendant en profondeur sous ladite face avant, ces zones étant bordées de régions isolantes (35) orthogonales à la face avant ; b) amincir le substrat par la face arrière jusqu'à proximité desdites zones et jusqu'à atteindre les régions isolantes ; c) évider partiellement les régions isolantes du côté de la face arrière ; et d) recuire superficiellement, par laser, la face arrière du substrat.

    DISPOSITIF D'IMAGERIE MATRICIEL A PHOTOSITES A COMMANDES MONOCOUP DE TRANSFERT DE CHARGES

    公开(公告)号:FR2969821A1

    公开(公告)日:2012-06-29

    申请号:FR1061198

    申请日:2010-12-23

    Abstract: Dispositif d'imagerie formé dans un substrat (8) semi-conducteur comprenant un réseau matriciel de photosites, chaque photosite comportant une zone semi-conductrice de stockage de charges (90), une zone semi-conductrice de lecture de charges (3) propre audit photosite, et des moyens de transfert de charges configurés pour autoriser un transfert de charges entre la zone de stockage de charges (90) et la zone de lecture de charges (3). Chaque photosite comprend au moins une première électrode (2) enterrée dont au moins une partie délimite au moins une partie de ladite zone de stockage de charges (90), et les moyens de transfert de charges de chaque photosite comprennent au moins deuxième une électrode enterrée (4).

    47.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:FR2910703B1

    公开(公告)日:2009-03-20

    申请号:FR0655895

    申请日:2006-12-22

    Inventor: ROY FRANCOIS

    Abstract: The device has a set of components formed on a substrate (100), and superimposed metallic interconnection levels (N1-N3) for interconnecting the components. The levels are located in insulating layers (160, 165) placed on the substrate, where the level (N2) has conductive zones (120a-120c) made of copper. The level (N3) is located on the level (N2) and comprises two other conductive zones made of copper and aluminum, respectively. The latter conductive zones are respectively connected to the conductive zones (120b, 120c). An independent claim is also included for a method for forming a micro-electronic device.

    48.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:FR2897472B1

    公开(公告)日:2008-09-05

    申请号:FR0650536

    申请日:2006-02-14

    Abstract: A photodetector including a photodiode formed in a semiconductor substrate and a waveguide element formed of a block of a high-index material extending above the photodiode in a thick layer of a dielectric superposed to the substrate, the thick layer being at least as a majority formed of silicon oxide and the block being formed of a polymer of the general formula R1R2R3SiOSiR1R2R3 where R1, R2, and R3 are any carbonaceous or metal substituents and where one of R1, R2, or R3 is a carbonaceous substituent having at least four carbon atoms and/or at least one oxygen atom.

    CAPTEUR D'IMAGES ECLAIRE PAR LA FACE ARRIERE A TEMPERATURE DE SUBSTRAT UNIFORME

    公开(公告)号:FR2904143A1

    公开(公告)日:2008-01-25

    申请号:FR0653082

    申请日:2006-07-24

    Abstract: L'invention concerne un capteur d'images comprenant des cellules photosensibles comportant des photodiodes (D) et au moins un circuit supplémentaire à forte dissipation thermique comportant des transistors (M7, M8). Le capteur d'images est réalisé de façon monolithique et comprend une couche (60) d'un matériau semiconducteur ayant des première et deuxième faces opposées (15, 16) et comprenant, du côté de la première face (15), des premières régions (34, 38) correspondant aux bornes de puissance des transistors, l'éclairage du capteur d'images étant destiné à être réalisé du côté de la deuxième face ; un empilement de couches isolantes (70) recouvrant la première face ; un renfort (78) thermiquement conducteur recouvrant l'empilement du côté opposé à la couche ; et des vias (76) thermiquement conducteurs reliant la couche au renfort.

    FILTRE OPTIQUE INTEGRE DANS OU SOUS LES NIVEAUX DE METALLISATION D'UNE CELLULE PHOTOSENSIBLE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT

    公开(公告)号:FR2894073A1

    公开(公告)日:2007-06-01

    申请号:FR0512156

    申请日:2005-11-30

    Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant au moins une cellule photosensible. La cellule (1) comprend un élément photosensible (4), une face d'entrée (2) associée audit élément photosensible, un filtre optique (6) situé sur au moins un chemin optique menant à l'élément photosensible et une partie d'interconnexion (5) située entre l'élément photosensible et la face d'entrée. Le filtre optique (6) est disposé entre l'élément photosensible et la surface de la partie d'interconnexion la plus proche de la face d'entrée. En particulier, le filtre optique peut être disposé dans la partie d'interconnexion. L'invention propose également de réaliser le filtre à l'aide d'un verre comprenant du sulfure de cérium ou au moins un oxyde métallique.

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