公开(公告)号：CN102452635B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201110002502.4

申请日：2011-01-07

Applicant: 鑫创科技股份有限公司

Inventor： 李建兴 ,  谢聪敏 ,  操礼齐 ,  刘志成

IPC: B81B3/00 ,  H04R19/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0257 ,  H04R19/005

Abstract: 本发明公开一种微机电系统结构，其包含衬底、结构状的电介质层以及振动膜的MEMS结构。结构状的电介质层安置于衬底的上方。振动膜由结构状的电介质层固持于周边端部处。振动膜包含位于周边区域处且围绕振动膜的中心区域的多个沟槽/脊环。皱状结构位于振动膜的中心区域处，由沟槽/凹痕环所围绕。本发明能够有效吸收残余应力，且该振动膜能提高对于空气压力的灵敏度。

公开(公告)号：CN102440005B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201080022255.8

申请日：2010-05-21

Applicant: 株式会社日立医疗器械

Inventor： 町田俊太郎 ,  小林孝

IPC: H04R19/00 ,  A61B8/00 ,  H04R1/40

CPC classification number: B06B1/0292 ,  A61B8/00 ,  A61B8/4483 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0257 ,  G01N29/2406 ,  H04R19/005

Abstract: 本发明提供一种具备优选的突起配置结构的超声波换能器及利用该超声波换能器的超声波诊断装置。该超声波换能器具备：第一电极；形成于该第一电极上的下部绝缘膜；被设置为在该下部绝缘膜上形成空洞部的上部绝缘膜；和形成于该上部绝缘膜上的第二电极，其特征在于，在所述下部绝缘膜或所述上部绝缘膜上，在所述空洞部侧形成突起，在相当于形成所述突起的位置的所述第一电极或第二电极上形成有开口部。由此，在为了抑制薄膜下表面与空洞部下表面接触所引起的电荷向绝缘膜注入而配置向空洞部突出的绝缘膜的突起的情况下，可以抑制CMUT的驱动电压的上升、接收灵敏度的降低。

公开(公告)号：CN104030233A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410077250.5

申请日：2014-03-04

Applicant: 宇芯(马)有限公司

Inventor： R·普罗瑟罗 ,  A·伊凡斯 ,  梁建明 ,  唐明项 ,  管军华

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00309 ,  B81C1/00333 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/052 ,  G01L9/0042 ,  H01L23/053 ,  H01L2224/16225 ,  H04R1/021 ,  H04R1/04 ,  H04R2201/003

Abstract: 一种用于制造包封微机电系统（MEMS）设备的封装的方法提供具有盖（13）和侧壁（15）的覆盖物（12），端口（16）通过盖（13）延伸。第一底座部件（14）结合到侧壁（15），从而限定内腔体。该第一底座部件（14）进一步包括通过其延伸的孔隙（38）。MEMS设备（18）通过孔隙插入并且结合到盖（13），该MEMS设备（18）至少部分地与端口（16）重叠。组装通过将第二底座部件（32）结合到第一底座部件（14）以便密封孔隙（38）而完成。

公开(公告)号：CN103964368A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410034311.X

申请日：2014-01-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.德赫

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B3/001 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00166 ,  B81C1/00658 ,  H04R19/005

Abstract: 本发明涉及MEMS器件和制造MEMS器件的方法。公开了具有刚性背板的MEMS器件和制作具有刚性背板的MEMS器件的方法。在一个实施例中，器件包括衬底和由衬底支撑的背板。背板包括细长的突起。

公开(公告)号：CN103935953A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410172235.9

申请日：2014-04-25

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 徐元俊 ,  颜毅林 ,  薛维佳

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/0198 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明提供一种复合腔体的形成方法，包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成氧化层；对氧化层作图形化，形成一个或多个凹槽，凹槽的位置与待形成的小腔体的位置对应；提供键合片，将其与图形化的氧化层键合，在硅衬底与键合片之间形成一个或多个密闭的微腔结构；在键合片的上方形成保护膜，并在硅衬底的背面形成掩蔽层；对掩蔽层作图形化，掩蔽层的图形与待形成的大腔体的位置对应；以掩蔽层为掩模，从背面刻蚀硅衬底至其正面的氧化层，在硅衬底中形成大腔体；以掩蔽层和氧化层为掩模，从背面穿过硅衬底刻蚀键合片至其上方的保护膜，在键合片中形成一个或多个小腔体。本发明很好地控制了复合腔体中小腔体所在的半导体介质层的厚度均匀性。

公开(公告)号：CN103917483A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280054437.2

申请日：2012-09-21

Applicant: 美商楼氏电子有限公司

Inventor： 桑·博克·李

IPC: B81B7/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B7/0029 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/15151 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R2201/003 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种微机电系统(MEMS)装置包括外壳和底座。该底座包括延伸穿过该底座的端口开口并且该端口开口与外部环境连通。微机电系统管芯被布置在底座上，并且位于开口上方。微机电系统管芯包括振动膜和背板，并且微机电系统管芯、底座和外壳形成后腔。至少一个通风口延伸穿过微机电系统管芯而不穿过振动膜。该至少一个通风口与后腔和端口开口连通，并且被构造成允许后腔和外部环境之间的通风。

公开(公告)号：CN103609141A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280019024.0

申请日：2012-02-20

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·策林 ,  U·肖尔茨 ,  R·埃伦普福特

IPC: H04R19/00 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

CPC classification number: H04R19/005 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2203/0154 ,  G01H11/06 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/1815 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00 ,  H04R2499/11 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及微机电声音探测装置，包括衬底，壳体，至少一个用于声音穿过的开口和用于拾取声音的微机电元件，其中壳体借助模制被构造用于作为空腔提供前容积和后容积用于通过微机电元件探测声音。本发明同样涉及用于制造微机电声音探测装置的方法以及声音探测装置的应用。

公开(公告)号：CN103569941A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310345497.6

申请日：2013-08-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E.菲尔古特 ,  R.洛伊施纳 ,  H.托伊斯

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00253 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H04R19/005 ,  H04R31/006 ,  H04R2201/003 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及包括嵌入式MEMS器件的装置和用于制造嵌入式MEMS器件的方法。公开了用于形成封装的MEMS器件的系统和方法。在一个实施例中，封装的MEMS器件包括：具有第一主表面的MEMS器件，所述第一主表面具有沿第一方向和第二方向的第一区域；部署在MEMS器件的第一主表面上的膜；以及与膜相邻的背板。封装的MEMS器件进一步包括灌封MEMS器件并限定背面容积的灌封材料，而背面容积具有沿第一方向和第二方向的第二区域，其中第一区域小于第二区域。

公开(公告)号：CN101665230B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200910171760.8

申请日：2009-09-02

Applicant: 鑫创科技股份有限公司

Inventor： 李建兴 ,  谢聪敏 ,  林智翔

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  B81C5/00 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种微机电系统(MEMS)封装及其形成方法。该微机电系统封装包含MEMS麦克风装置。所述MEMS麦克风装置具有第一衬底和位于第一衬底上的至少一感测元件，其中MEMS麦克风装置中的第一腔室连接到感测元件。第二衬底安置在MEMS麦克风装置上方以在感测元件上方在第二衬底中提供与第一腔室相对的第二腔室。

公开(公告)号：CN103130175A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210473930.X

申请日：2012-11-21

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： R.埃伦普福特 ,  M.布吕恩德尔 ,  A.格拉赫 ,  C.莱南巴赫 ,  S.克尼斯 ,  A.法伊 ,  U.朔尔茨

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0067 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/0023 ,  B81C1/00325

Abstract: 本发明涉及MEMS芯片封装以及用于制造MEMS芯片封装的方法，该MEMS芯片封装具有：第一芯片，该第一芯片具有第一和第二芯片表面；第二芯片，该第二芯片具有第一和第二芯片表面；第一耦合元件，该第一耦合元件把该第二芯片的第一芯片表面与该第一芯片的第一芯片表面相耦合，使得在该第一与第二芯片之间形成第一空腔；第一布线层，该第一布线层设计用于提供至衬底的连接，这两个芯片之一具有至少一个微机电结构元件、框架元件，其中该框架元件包围了该微机电结构元件。相应另一芯片具有浇注材料层、嵌入该浇注材料层中的控制电路以及在该第一芯片表面所施加的第三布线层，其中该控制电路构造用于控制至少一个微机电结构元件。