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公开(公告)号：CN107010589A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710061204.X
申请日：2017-01-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B81B3/001 , B81B2201/0264 , B81B2207/015 , B81C2203/0728 , G01C5/06 , G01L9/0054 , B81B3/0027 , B81C1/00349 , B81C1/0038 , B81C1/00404 , B81C2201/0174 , B81C2201/0176 , B81C2201/0198
Abstract: 本发明提供一种能够减少粘附的发生的压力传感器、该压力传感器的制造方法、具备该压力传感器的可靠性较高的高度计、电子设备以及移动体。压力传感器(1)具有：基板(2)，其具有隔膜(25)；空洞部(S)，其位于隔膜(25)的一侧；顶部(49)，其以隔着空洞部(S)而与隔膜(25)对置的方式而配置，并且在基板(2)的面向空洞部(S)的表面上形成有凹凸(27)。此外，凹凸(27)具有多个凹部(271)。
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公开(公告)号：CN106946221A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710164125.1
申请日：2017-03-20
Applicant: 中北大学
CPC classification number: B81C1/00166 , B81C1/00015 , B81C1/00849 , B81C2201/01 , B81C2201/0198 , G03F7/0002 , G03F7/162 , G03F7/40
Abstract: 本发明属于柔性传感领域和微纳系统领域，具体为基于“V”型槽阵列电极的柔性压力传感器制作方法。基于“V”型阵列电极的柔性压力传感器制作方法，包括柔性压力传感器“V”型槽阵列电极的制备和碳纳米管/PDMS聚合物的制备，取制得的两个柔性压力传感器“V”型槽阵列电极分别作为上电极和下电极，碳纳米管/PDMS复合薄膜作为中间介电层，封装形成柔性压力传感器。针对金属材料与柔性衬底粘附性差的问题，本发明选用聚二甲基硅氧烷（PDMS）作为柔性衬底材料，金属Ag作为电极材料，并利用plasma工艺对PDMS柔性衬底表面进行修饰处理用于增强金属Ag与PDMS的粘附性，设计的“V”型槽阵列微电极结构有效解决了柔性压力传感器在发生较大形变时金属电极产生断裂的问题。
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公开(公告)号：CN104662641B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380046681.9
申请日：2013-09-05
Applicant: 株式会社LG化学 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G11B5/855 , B81C1/00396 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C08F220/18 , C08F220/56 , C08F2438/03 , G03F7/0002 , G11B5/746 , G11B5/8404 , G11B5/851 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及形成氧化硅纳米图案的方法、形成金属纳米图案的方法以及使用该纳米图案的信息存储用磁性记录介质，所述方法可易于形成纳米点或纳米孔型纳米图案，并且使得使用所述纳米图案形成的金属纳米图案等适用于用于信息存储等的新一代磁性记录介质。形成氧化硅纳米图案的方法包括：在基底上的氧化硅上形成嵌段共聚物薄膜的步骤，所述嵌段共聚物包括预定的硬链段以及具有基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元的软链段；对准所述薄膜的步骤；从所述嵌段共聚物薄膜选择性地移除所述软链段的步骤；以及使用已移除软链段的嵌段共聚物薄膜作为掩膜通过在所述氧化硅上进行反应离子蚀刻形成氧化硅的纳米点或纳米孔图案。
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公开(公告)号：CN106276772A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610465132.0
申请日：2016-06-23
Applicant: 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00619 , B81B2201/035 , B81B2203/0384 , B81C1/00103 , B81C2201/0112 , B81C2201/0132 , B81C2201/0138 , B81C2201/014 , B81C2201/0188 , B81C2201/0198 , G04B13/02 , G04B13/026 , G04B13/027 , G04D99/00 , B81B7/0032 , B81B7/0074 , B81C1/00 , B81C1/00388
Abstract: 本发明涉及具有至少一个减少的接触面的硅基部件，所述硅基部件是由这样的方法形成的：所述方法结合了至少一个倾斜侧壁蚀刻步骤和竖直侧壁“博世”蚀刻，所述硅基部件特别是改进了由微加工硅基片形成的部件的摩擦性能。
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公开(公告)号：CN104619631B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380025597.9
申请日：2013-05-15
Applicant: 马克思-普朗克科学促进协会
CPC classification number: B01J19/0046 , B01J2219/00596 , B05D3/06 , B05D3/068 , B81B2207/056 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C18/06 , C23C18/08 , G03F1/68 , Y10T428/24893
Abstract: 本发明提供用于增加衬底表面上聚合物胶束或纳米颗粒的阵列的有序度的方法，其包括：a)提供衬底表面上胶束或包覆有聚合物壳的纳米颗粒的有序阵列；以及b)通过在液体介质中超声处理将胶束或纳米颗粒的阵列退火，所述液体介质选自H2O、极性有机溶剂以及H2O和极性有机溶剂的混合物。在相关的方面，本发明提供由本发明的方法可得的胶束或纳米颗粒的高度有序阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104986722A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510275200.2
申请日：2015-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心
CPC classification number: B81C1/00031 , B81C2201/0198 , H01L21/2633 , H01L21/302
Abstract: 本发明提供一种纳米图形化的方法，所制备结构单元具有周期性排列，所述纳米图形化方法包括以下步骤：提供至少由两种化学元素组成的单晶材料的衬底；对衬底或表面进行加热；利用离子束辐照衬底表面，在衬底表面产生空位。
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公开(公告)号：CN104764558A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510004118.6
申请日：2015-01-06
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C2201/014 , B81C2201/0198 , B81C2203/0728 , G01L7/08 , G01L9/0042 , G01L9/0044 , G01L9/0047 , G01L9/0054 , G01L9/0055
Abstract: 具有具凸起的膜片的压力传感器。一种具有膜片的压力传感器，膜片具有带有图案的凸起部。具有凸起部的膜片可被视为具凸起的膜片。具凸起的膜片可具有比具有与具凸起的膜片相同面积的平板膜片更高的灵敏度。具凸起的膜片可并入可在低压力下进一步改进膜片的压力响应的灵敏度和线性度的简单十字图案。凸起部和在膜片的周边周围的其腿的尖锐边缘和角的减少可减少高应力点并因而增加具凸起的膜片的破裂压力额定值。
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公开(公告)号：CN104619631A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380025597.9
申请日：2013-05-15
Applicant: 马克思-普朗克科学促进协会
CPC classification number: B01J19/0046 , B01J2219/00596 , B05D3/06 , B05D3/068 , B81B2207/056 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C18/06 , C23C18/08 , G03F1/68 , Y10T428/24893
Abstract: 本发明提供用于增加衬底表面上聚合物胶束或纳米颗粒的阵列的有序度的方法，其包括：a)提供衬底表面上胶束或包覆有聚合物壳的纳米颗粒的有序阵列；以及b)通过在液体介质中超声处理将胶束或纳米颗粒的阵列退火，所述液体介质选自H2O、极性有机溶剂以及H2O和极性有机溶剂的混合物。在相关的方面，本发明提供由本发明的方法可得的胶束或纳米颗粒的高度有序阵列。
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公开(公告)号：CN103839785A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310445648.5
申请日：2013-09-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/20 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: G03F7/0002 , B81B7/0006 , B81B2203/0353 , B81B2207/07 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , G03F7/0035 , G03F7/165 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/31144 , H01L29/66803 , H01L29/785
Abstract: 本发明涉及形成构图结构的方法。在中性聚合物层之上形成模板层之后，自组装嵌段共聚物材料被施加并且自组装。该模板层包括第一线状部分、比所述第一线状部分短的第二线状部分、以及具有比所述第二线状部分大的宽度的块状模板结构。在远离在宽度方向上延伸的部分的区域中，该自组装嵌段共聚物材料被相分离成交替薄层。所述块状模板结构扰乱所述薄层并且引起所述薄层的终止。在聚合物嵌段成分被选择性地去除时，形成与所述第一和第二线状部分平行并且与块状模板结构自对准地终止的腔。所述腔的图形可以被反转并转移到材料层中以形成具有不同长度的鳍。
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公开(公告)号：CN102123941B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200980132233.4
申请日：2009-08-12
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B82B3/00 , H01L21/3065 , C08F297/00
CPC classification number: B81C1/00031 , B81B2203/0361 , B81C2201/0198 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , H01L21/3083 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , Y10T156/10 , Y10T428/24479 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明的细微结构体的制造方法，其特征在于，具有以下阶段：含有至少具有第1链段(101)及第2链段(102)的高分子嵌段共聚物(103)的高分子层在基板(105)的表面进行配置的第1阶段；以及使高分子层发生微相分离，使由第2链段(102)作为成分的连续相(204)与在该连续相(204)的贯穿方向上排列的以第1链段(101)作为成分的微畴(104)形成的结构呈现的第2阶段；基板(105)具有与在形成微畴(104)的位置上离散配置的基板(105)的表面化学性质不同的图案部件，在第1阶段配置的高分子层的厚度t与高分子嵌段共聚物(103)形成的微畴(104)的固有周期do的关系为：(m+0.3)×do＜t＜(m+0.7)×do，m为0以上的整数。
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