公开(公告)号：EP0582070B1

公开(公告)日：1997-11-05

申请号：EP93109594.7

申请日：1993-06-16

Applicant: Heraeus Quarzglas GmbH

Inventor： Kirchhof, Johannes, Dr. ,  Unger, Sonja, Dr. ,  Schultz, P.C., Dr. ,  Grezesik, Ulrich, Dr. ,  Fabian, Heinz

IPC: C03B37/014 ,  C03B19/14 ,  C03B32/00

CPC classification number: C03B19/1453 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/10 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/14 ,  C03C2201/28 ,  C03C2201/30 ,  C03C2201/31 ,  C03C2201/32 ,  C03C2201/40 ,  C03C2201/42 ,  C03C2203/40

公开(公告)号：EP0463045B1

公开(公告)日：1996-08-28

申请号：EP90904872.0

申请日：1990-03-14

Applicant: TSL GROUP PLC

Inventor： WELLS, Peter, John 167 Aycliffe Crescent ,  SAYCE, Ian, George 21 Crabtree Road ,  SMITHSON, Alan 12 Pevensey Close

IPC: C01B33/18

CPC classification number: C03B37/01413 ,  C01B33/183 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/54 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/12 ,  C01P2004/50 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/80 ,  C03B19/1415 ,  C03B2201/08 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2201/32 ,  C03B2201/42 ,  C03B2207/32 ,  C03B2207/38 ,  C03C1/00 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/02 ,  C03C2201/06 ,  C03C2201/10 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/14 ,  C03C2201/32 ,  C03C2201/42 ,  C03C2203/40

Abstract: A process for the manufacture of a synthetic silica product by vapour-phase oxidation of a silica precursor material in a flame not less than 60 % of the silica in the deposited product being derived by oxidation of: (A) one or more straight chain volatile silicon compounds of the general formula: R3Si.O(SiR2O)n.SiR3 and/or (B) one or more cyclic volatile silicon compounds of the general formula: SinOn(R)2n. Doped or undoped fume powder, porous silica soot or fully densified bodies made by the process are also claimed.

公开(公告)号：EP0281282A1

公开(公告)日：1988-09-07

申请号：EP88301390.6

申请日：1988-02-18

Applicant: AT&T Corp.

Inventor： Rabinovich, Eliezer M

IPC: C03C3/06 ,  C03B8/02

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B37/01446 ,  C03B37/016 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/14 ,  C03C1/006 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/14 ,  C03C2203/20

Abstract: Incorporation of fluorine into a porous silica body, such as an unsintered body produced by a sol-gel method, by VAD or OVPO, reduces or eliminates bubble or pore formation upon re-heating of the glass formed by sintering of the porous material. Effective fluorine concentrations are between 0.01 and 5% by weight. The invention can be used advantageously in producing preforms and optical fiber.

Abstract translation: 通过VAD或OVPO将氟引入多孔二氧化硅体，例如通过溶胶 - 凝胶法制造的未烧结体，减少或消除了通过多孔材料的烧结形成的玻璃的再加热时的气泡或孔形成。 有效氟浓度为0.01〜5重量％。 本发明可有利地用于生产预成型件和光纤。

公开(公告)号：KR100130007B1

公开(公告)日：1998-04-06

申请号：KR1019910701084

申请日：1990-03-14

Applicant: 티에스엘그룹퍼블릭리미티드캄파니

Inventor： 새이스,이만죠지 ,  스미손,알란 ,  웰즈,페터죤

IPC: C01B33/18

CPC classification number: C03B37/01413 ,  C01B33/183 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/54 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/12 ,  C01P2004/50 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/80 ,  C03B19/1415 ,  C03B2201/08 ,  C03B2201/28 ,  C03B2201/31 ,  C03B2201/32 ,  C03B2201/42 ,  C03B2207/32 ,  C03B2207/38 ,  C03C1/00 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/02 ,  C03C2201/06 ,  C03C2201/10 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/14 ,  C03C2201/32 ,  C03C2201/42 ,  C03C2203/40

Abstract: 불꽃 중에서의 실리카 전구 물질의 기상 산화에 의한 합성 실리카 제품 제조 방법은 (A) 일반식 R
3 SiO(SiR
2 O)
n SiR
3 로 표시되는 1종 또는 그 이상의 직쇄 휘발성 실리콘 화합물 및/또는 (B)일반식 Si
n O
n (R)
2n 으로 표시되는 1종 또는 그 이상의 환식 휘발성 실리콘 화합물의 산화로 이루어지고 증착무룽의 실리카는 60% 이상으로 되 전기한 방법에 의하여 제조된 혼이 또는 비혼입 연무 분말, 다공성 실리카 매연 또는 밀집체로 청구 되었음.

公开(公告)号：JP2018503585A

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：JP2017531287

申请日：2015-12-09

Applicant: コーニング インコーポレイテッド

Inventor： アンナーマライ,セジアン ,  デュラン,カーロス アルバート ,  ハーディナ,ケネス エドワード

IPC: C03C3/06 ,  C03B8/04 ,  C03B20/00 ,  C03C3/112 ,  C03C3/115 ,  C03C3/118

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/1453 ,  C03B19/1461 ,  C03B25/02 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/14 ,  C03B2201/23 ,  C03B2201/32 ,  C03B2201/40 ,  C03B2201/42 ,  C03B2201/50 ,  C03B2201/54 ,  C03C3/112 ,  C03C4/00 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/14 ,  C03C2201/32 ,  C03C2201/40 ,  C03C2201/42 ,  C03C2201/50 ,  C03C2201/54 ,  C03C2203/52

Abstract: (i)シリカ−チタニアベースガラス、(ii)フッ素ドーパント及び(iii)第2のドーパントを含むガラス組成を有するガラス品を含む、ドープトシリカ−チタニアガラス品が提供される。フッ素ドーパントは5重量%までのフッ素濃度を有し、第2のドーパントは、Al、Nb、Ta、B、Na、K、Mg、Ca及びLiの酸化物からなる群から選ばれる1つ以上の酸化物を50ppmから6重量%の総酸化物濃度で含む。さらに、ガラス品は20℃において0.5ppb/K2より小さい膨張率勾配を有する。第2のドーパントは必要に応じて含めることができる。ガラス品の組成は、OHを100ppmより低い濃度で含むこともできる。

公开(公告)号：JP2004021089A

公开(公告)日：2004-01-22

申请号：JP2002178470

申请日：2002-06-19

Applicant: Asahi Glass Co Ltd ,  旭硝子株式会社

Inventor： KOIKE AKIO ,  SUGIMOTO NAOKI

IPC: G02B5/28 ,  C03C3/06 ,  G02B5/18 ,  G02B6/02 ,  G02B6/10

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/14 ,  C03C2201/28 ,  C03C2201/32 ,  C03C2201/42

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical element having glass not containing alkali metal oxides as essential components and ensuring a small change in light path due to temperature changes as a component. SOLUTION: The optical element is used for light of 450-1,700 nm wavelength and has glass through which the light should propagate as a component or comprises glass through which the light should propagate, wherein dS/dT(=dn/dT+nα) expressed using the refractive index n of the glass to light of 1,550 nm wavelength, the rate dn/dT of temperature change of n at 25°C and the coefficient α of linear expansion at 25°C is ≤8.9×10 -6 /°C and the glass contains ≤1 mass% alkali metal oxides. COPYRIGHT: (C)2004,JPO

公开(公告)号：JP2018508453A

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：JP2017542089

申请日：2016-02-10

Applicant: コーニング インコーポレイテッド

Inventor： アンナーマライ,セジアン ,  デュラン,カーロス アルバート ,  ハーディナ,ケネス エドワード ,  ロッシュ,ウィリアム ロジャーズ

IPC: C03B25/08 ,  C03C3/06 ,  C03C3/089 ,  C03C3/112

CPC classification number: C03C3/076 ,  C03B19/12 ,  C03B19/1453 ,  C03B25/00 ,  C03B25/02 ,  C03B2201/10 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/42 ,  C03C3/06 ,  C03C3/089 ,  C03C3/112 ,  C03C23/007 ,  C03C2201/10 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/14 ,  C03C2203/52

Abstract: 改質チタニア・シリカガラスの徐冷処理およびその徐冷処理により製造されたガラス。この徐冷処理は、ガラス中の改質剤濃度の不均一性により生じる仮想温度における不均一性の均等化を促進する等温保持を含む。この徐冷処理は、その等温保持後にガラスをより高い温度に加熱し、数時間に亘りガラスをその温度に保持する各工程も含むことがある。この徐冷処理により製造されたガラスは、改質剤の空間的不均一濃度の存在を含む、CTE、CTE勾配、および仮想温度の高い空間的均一性を示す。

公开(公告)号：JP5436426B2

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：JP2010522121

申请日：2009-11-16

Applicant: 株式会社フジクラ

Inventor： 映乃 中熊 ,  健太郎 市井 ,  庄二 谷川

IPC: H01S3/067 ,  G02B6/00

CPC classification number: H01S3/06716 ,  C03C3/06 ,  C03C13/045 ,  C03C2201/10 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/14 ,  C03C2201/28 ,  C03C2201/31 ,  C03C2201/3488 ,  C03C2201/36 ,  G02B6/024 ,  G02B6/036 ,  G02B6/03605 ,  G02B6/03633 ,  G02B6/03638 ,  G02B6/03644 ,  G02B6/03661 ,  H01S3/06712 ,  H01S3/06729 ,  H01S3/0675 ,  H01S3/094007 ,  H01S3/1608 ,  H01S3/1618 ,  H01S3/1691 ,  H01S3/1693

公开(公告)号：KR1019950008579B1

公开(公告)日：1995-08-03

申请号：KR1019880001895

申请日：1988-02-24

Applicant: 에이티 앤드 티 코포레이션

Inventor： 엘리저엠로비노비치

IPC: C03B37/12

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B37/01446 ,  C03B37/016 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/14 ,  C03C1/006 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/14 ,  C03C2203/20

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：JP2014033221A

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：JP2013207313

申请日：2013-10-02

Applicant: Asahi Glass Co Ltd ,  旭硝子株式会社

Inventor： KOIKE AKIO ,  EBIHARA KEN

IPC: H01L21/027 ,  C03B20/00 ,  C03C3/06 ,  C03C3/076 ,  G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03B19/1415 ,  C03B19/1453 ,  C03B19/1469 ,  C03B19/1492 ,  C03B2201/21 ,  C03B2201/42 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/14 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/42 ,  Y02P40/57

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate which is excellent in flatness and suitable for an EUV mask or an EUV mask blanks.SOLUTION: In a substrate for an EUV mask, material of the substrate is silica glass containing 1 to 12 mass% of TiO, surface roughness (rms) of the substrate is 2 nm or less in a surface quality region, and maximum stress variation (PV) of the substrate is 0.2 MPa or less in the surface quality region.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种平面度优异且适用于EUV掩模或EUV掩模坯料的基板。解决方案：在用于EUV掩模的基板中，基板的材料是含有1〜12质量％ TiO 2，表面质量区域的基板的表面粗糙度（rms）为2nm以下，表面质量区域的基板的最大应力变化（PV）为0.2MPa以下。