公开(公告)号：KR100869108B1

公开(公告)日：2008-11-17

申请号：KR1020070072469

申请日：2007-07-19

Applicant: 삼성에스디아이 주식회사

Inventor： 김윤진 ,  김재명 ,  문희성 ,  조영석

IPC: H01J1/304 ,  G02F1/13357 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01J63/02 ,  H01J31/127 ,  H01J1/304 ,  G02F1/1336 ,  H01J2201/30484

Abstract: An electron emission type backlight unit including the electron-emissive element is provided to apply the high voltage to the anode electrode and secure the necessary luminance using the electron-emissive element making the uniform electron emission. An electron emission type backlight unit comprises the first electrode(120); the second electrode(130) which is faced with the first electrode; the electron-emissive element(300) including the electron emission unit which is arranged in the lateral direction of the first electrode and is electrically connected. The electron emission unit is discontinuously formed in the lateral direction of the first electrode. The electron emission unit is arranged between the first electrode and the second electrode.

Abstract translation: 提供包括电子发射元件的电子发射型背光单元，以将高电压施加到阳极电极，并使用产生均匀电子发射的电子发射元件来确保必要的亮度。 电子发射型背光单元包括第一电极（120）; 所述第二电极（130）面向所述第一电极; 所述电子发射元件（300）包括沿所述第一电极的横向布置并电连接的所述电子发射单元。 电子发射单元在第一电极的横向上不连续地形成。 电子发射单元布置在第一电极和第二电极之间。

公开(公告)号：TWI483279B

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：TW100111874

申请日：2011-04-06

Applicant: 光學實驗室公司 ,  LIGHTLAB SWEDEN AB

Inventor： 胡魁鴻 ,  HU, QIU-HONG

IPC: H01J1/304 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/3044 ,  B82Y20/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/123 ,  H01J63/02 ,  H01J63/04 ,  H01J2201/3043 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30484 ,  H01J2201/30488 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2329/0428 ,  H01J2329/0439 ,  H01J2329/0465 ,  H01J2329/0468 ,  H01J2329/0471 ,  H01J2329/0473

公开(公告)号：TW201214495A

公开(公告)日：2012-04-01

申请号：TW100111874

申请日：2011-04-06

Applicant: 光學實驗室公司

Inventor： 胡魁鴻

IPC: H01J

CPC classification number: H01J1/3044 ,  B82Y20/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/123 ,  H01J63/02 ,  H01J63/04 ,  H01J2201/3043 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/30484 ,  H01J2201/30488 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2201/30496 ,  H01J2329/0428 ,  H01J2329/0439 ,  H01J2329/0465 ,  H01J2329/0468 ,  H01J2329/0471 ,  H01J2329/0473

Abstract: 本發明係關於一種場發射陰極，該場發射陰極包含至少部分導電基底結構，及空間上分佈於該基底結構處之複數個導電微米大小區段，其中該複數個微米大小區段之至少一部分各自具備複數個導電奈米結構。本發明之優點包括較低功率消耗，以及(例如)包含該場發射陰極之場發射照明配置之光輸出增加。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种场发射阴极，该场发射阴极包含至少部分导电基底结构，及空间上分布于该基底结构处之复数个导电微米大小区段，其中该复数个微米大小区段之至少一部分各自具备复数个导电奈米结构。本发明之优点包括较低功率消耗，以及(例如)包含该场发射阴极之场发射照明配置之光输出增加。

公开(公告)号：TW201810343A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106126688

申请日：2017-08-08

Applicant: 漢民微測科技股份有限公司 ,  HERMES MICROVISION, INC. ,  荷蘭商ASML荷蘭公司 ,  ASML NETHERLANDS B.V.

Inventor： 竇 菊英 ,  DOU, JUYING ,  樊征 ,  FAN, ZHENG ,  郭子毅 ,  KUO, TZU YI ,  陳 仲瑋 ,  CHEN, ZHONGWEI

IPC: H01J37/075 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/14 ,  H01J1/304 ,  H01J37/06 ,  H01J37/065 ,  H01J37/073 ,  H01J37/3178 ,  H01J2201/196 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/30449 ,  H01J2201/30484 ,  H01J2201/30492 ,  H01J2209/0223 ,  H01J2237/06308 ,  H01J2237/06325

Abstract: 本發明揭示電子發射器及製造該等電子發射器之方法。根據某些實施例，一電子發射器包括具有一平坦區之一頂端，該平坦區具有在大約(0.05至10)微米範圍內之一直徑。該電子發射器頂端經組態以釋放場發射電子。該電子發射器進一步包括塗佈於該頂端上之一功函數降低材料。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示电子发射器及制造该等电子发射器之方法。根据某些实施例，一电子发射器包括具有一平坦区之一顶端，该平坦区具有在大约(0.05至10)微米范围内之一直径。该电子发射器顶端经组态以释放场发射电子。该电子发射器进一步包括涂布于该顶端上之一功函数降低材料。