公开(公告)号：CN103119687A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180046951.7

申请日：2011-09-30

Applicant: FEI公司

Inventor： S.张

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/16 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3211 ,  H01J2237/0815

Abstract: 本发明公开了一种用于聚焦离子束（FIB）系统的电感耦合等离子体离子源，包括具有原料气输送系统的绝缘等离子体腔，与所述等离子体腔同轴放置并且与所述等离子体腔的外径接近或者与之接触的紧凑射频（RF）天线线圈。在一些实施例中，所述等离子体腔被法拉第屏蔽围绕，以防止天线上的RF电压和等离子体腔内的等离子体之间的电容耦合。使所述高介电强度绝缘管热收缩到用于形成所述天线的导电管或导线的外径上，从而允许对所述天线线圈内的匝的紧密包装。所述绝缘管能够隔离所述天线的不同部分之间以及所述天线和法拉第屏蔽之间的RF电压差。

公开(公告)号：CN103094033A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201110347060.7

申请日：2011-11-07

Applicant: 北京中科信电子装备有限公司

Inventor： 林萍 ,  伍三忠

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J37/24 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/065 ,  H01J2237/2485

Abstract: 一种双灯丝离子源弧流平衡调节方法，它包括：灯丝电源1(1)、灯丝电源2(2)、偏置电源1(3)、偏置电源2(4)、弧压电源(5)、比较器1(6)、比较器2(7)、两个霍尔传感器(8)。灯丝电源1(1)和2(2)用来给离子源的灯丝加热，当灯丝加热温度达到一定程度时，灯丝就会发射电子，偏置电源1(3)和2(4)加在阴极与灯丝之间，使得电子以一定能量打到阴极上，形成偏流。同样阴极在持续的轰击下，阴极表面发射电子，弧压电源(5)连接在弧室与阴极之间，电子在弧压电场作用下，向弧室运动，最终吸附到弧室上形成弧流。首先，调节灯丝电源1(1)，直至偏流达到设定值，在调节偏置电源1(3)，电子在弧压电场作用下，使其形成的弧流值与设定值相等。然后以灯丝电源1(1)和偏置电源1(3)为基准，分别调节灯丝电源2(2)和偏置电源2(4)。通过检测的电流反馈值，不断调节电源的输入值，直到偏流和弧流均与设定值相等。这样的双闭环控制，能达到双灯丝离子源平衡弧流的方法。

公开(公告)号：CN103069534A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180039711.4

申请日：2011-10-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 林和夫 ,  角谷晶子 ,  长内昭宏 ,  佐藤洁和 ,  来栖努 ,  吉行健

IPC: H01J27/24 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/24 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/186 ,  H01J2237/31701

Abstract: 激光/离子源通过激光的照射而产生离子，其中，具备：容器（110），被真空排气；照射箱（120），配置在容器（110）内，收容有通过激光的照射而产生离子的靶（121）；离子束引出部（112），从照射箱（120）静电地引出离子，并作为离子束向容器110的外部引导；阀（140），设置在容器（110）的离子束的取出部，在离子束射出时打开，射出时以外关闭；以及闸门（150），设置在阀（140）和照射箱（120）之间，离子束射出时间歇地打开，射出时以外关闭。由此，将激光照射时产生的微粒子关闭在容器（110）内，抑制微粒子向真空排气系统或与离子源连接的后级装置的流出。

公开(公告)号：CN101681781B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200880013320.3

申请日：2008-02-26

Applicant: 威科仪器有限公司

Inventor： A·V·海斯 ,  R·叶夫图霍夫 ,  V·卡纳罗夫 ,  B·L·德吕

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/18 ,  H01J27/16 ,  H01J37/32 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01J37/302 ,  H01J27/18 ,  H01J37/08 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/0656 ,  H01J2237/24542

Abstract: 离子源和操作离子源的电磁体的方法，所述方法用于产生具有可控的离子电流密度分布。所述离子源(10)包括放电室(16)和适于生成用于改变所述放电室(16)中的等离子体密度分布的磁场的电磁体(42；42a-d)。所述方法可以包括在所述放电室(16)中生成等离子体(17)，通过向电磁体(42；42a-d)施加电流在所述放电空间(24)中生成并使磁场(75)成形，所述磁场对限定等离子体密度分布是有效的，从所述等离子体(17)中提取离子束(15)，针对所述离子束密度测量分布轮廓，以及针对所述离子束密度，将实际的分布轮廓与期望的分布轮廓进行比较。基于所述比较，可以调整施加到所述电磁体(42；42a-d)的电流以改变所述放电空间中的磁场(75)，并且从而改变所述等离子体密度分布。

公开(公告)号：CN101303956B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200810125878.2

申请日：2008-04-09

Applicant: 精工电子有限公司

Inventor： 伊藤雅彰

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/265 ,  H01J37/244

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/22 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/032 ,  H01J2237/1501 ,  H01J2237/2482

Abstract: 离子束检查装置、离子束检查方法、半导体制造装置以及离子源装置。源头的中心轴和引出电极排在一条直线上，并通过激光束确定该直线和离子束轴是否同轴。因此，将离子束轴上的发射激光束的光发射单元装配到外壳以代替源头，并将反射激光束的反射镜装配到引出电极。光发射装置还具有检测激光束的功能以检测由反射镜反射的激光束，并将该检测的激光束的强度发送到控制单元。调节引出电极的位置以便使激光束的强度变为最大，由此离子束轴可以和离子源及引出电极的中心轴相重合。

公开(公告)号：CN102859635A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180019749.5

申请日：2011-04-20

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  史费特那·瑞都凡诺 ,  克里斯多夫·R·汉特曼

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/08

Abstract: 揭示一种产生分子离子的设备以及产生分子离子的方法。在离子源(208)中，离子化至少第一物种(211)。所述第一物种离子和/或第一物种组合形成分子离子(213)。可将这些分子离子传送到第二腔室(201)并进行提取，所述第二腔室可为电弧腔室或扩散腔室。所述分子离子的原子质量可大于所述第一物种或第一物种离子。也可离子化第二物种，与所述第一物种形成分子离子。在一个实例中，所述第一和第二物种都为分子。

公开(公告)号：CN101379583B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN200680053147.0

申请日：2006-12-20

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 威廉·雷诺斯 ,  克里斯托弗·雷格登 ,  威廉·狄佛吉利欧 ,  辛·乔伊丝 ,  丹尼尔·堤格

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  B08B7/0035 ,  H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种用于从离子源内表面清除沉积的沉积清洁系统，包括：氟源、节流机构、以及控制器。氟源将氟作为清洁材料供至离子源。节流机构通过至少部分覆盖源孔径的方式，减少通过离子源的源孔径的氟损失。控制器控制从氟源到离子源的供氟以及流速，还控制节流机构的定位。

公开(公告)号：CN102789945A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201110127851.9

申请日：2011-05-17

Applicant: 上海凯世通半导体有限公司

Inventor： 陈炯 ,  洪俊华 ,  钱锋

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/083

Abstract: 本发明公开了一种用于产生带状束流的热阴极离子源系统，该热阴极离子源系统包括一放电室、由一热阴极与一对阴极构成的阴极单元以及一引出系统，该引出系统具有一设有引出缝的引出区域，该引出缝的数量为两条以上，该些引出缝在该引出区域内相互平行。本发明不但能够显著地提高所引出的离子束的束流强度、显著地提高所引出的离子束的束流强度分布均匀性，还能够更好地保证所引出的离子束的光学质量。

公开(公告)号：CN102782811A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180011189.9

申请日：2011-02-26

Applicant: 高级技术材料公司

Inventor： 罗伯特·凯姆 ,  约瑟夫·D·斯威尼 ,  安东尼·M·阿维拉 ,  理查德·S·雷

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/2225 ,  F17C7/00 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/304 ,  H01L21/223 ,  H01L21/26506 ,  Y02E60/321 ,  Y10T428/13

Abstract: 一种离子注入系统和方法，其中，通过利用富含同位素的掺杂剂材料，来提高离子注入系统的离子源的性能和寿命，或通过利用具有可有效地提供这种提高的补充气体的掺杂剂材料来实现。

公开(公告)号：CN102612731A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201080051134.6

申请日：2010-11-12

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 阿西木·斯里瓦斯塔瓦 ,  威廉·迪韦尔吉利奥 ,  格伦·吉尔克里斯特

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/0225

Abstract: 在此所公开的技术有助于从分子束部件清除残余物。例如，在示例性方法中，沿着束路径提供分子束，使得残余物产生在分子束部件上。为了减少残余物，分子束部件被暴露到氢氟碳化物等离子。根据是否符合第一预定条件来结束至氢氟碳化物等离子的暴露，第一预定条件表示残余物的移除程度。其它方法和系统也同时被公开。