公开(公告)号：TWI565666B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：TW103121820

申请日：2014-06-25

Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司 ,  HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG

Inventor： 葛羅曼 波利斯 ,  GROMANN, BORIS ,  歐伯雷 布爾克哈德 ,  OBERLE, BURKHARD ,  宣克 克里斯汀 ,  SCHENK, CHRISTIAN ,  費雪 傑洛 ,  FISCHER, GERO ,  德可雷克 裴拉基 ,  法蘭茲 貝爾哈德 ,  FRANZ, BERNHARD ,  萊恩 烏利希 ,  LEIN, ULRICH ,  拉茲 阿雷桑德 ,  LAAZ, ALEXANDER ,  霍夫曼 哈辛 ,  HOFMANN, ACHIM

IPC: C03B20/00 ,  C03B23/04

CPC classification number: C03B23/053 ,  C03B19/14 ,  C03B23/043 ,  C03B23/045 ,  C03B23/07 ,  C03B23/08 ,  C03B2201/04 ,  C03C3/06 ,  C03C2203/44

公开(公告)号：TW201627236A

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW104131177

申请日：2015-09-21

Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司 ,  HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG

Inventor： 霍夫曼 艾奇 ,  HOFMANN, ACHIM ,  凱瑟 湯瑪士 ,  KAYSER, THOMAS ,  歐特 馬休斯 ,  OTTER, MATTHIAS ,  庫恩 波多 ,  KUEHN, BODO

IPC: C03B20/00 ,  C01B33/18

CPC classification number: C03B19/066 ,  C03B19/108 ,  C03B19/1095 ,  C03B2201/02 ,  C03C3/06 ,  C03C11/00 ,  C03C12/00 ,  C03C2201/02

Abstract: 本發明提供一種藉由熔合SiO2粒子產製不透明合成石英玻璃的已知方法，其包含以下方法步驟：合成非晶SiO2初始顆粒；粒化該等非晶SiO2初始顆粒以便形成開孔SiO2粒子；藉由在燒結氛圍中在燒結溫度下並持續一定燒結時間段加熱來燒結該開孔SiO2粒子以便形成經緻密化之SiO2粒子；及在熔融溫度下熔融該經緻密化之SiO2粒子以便形成該合成石英玻璃。以此起始，為指示一種儘管使用仍開孔SiO2粒子，但准許低價產製石英玻璃之低氣泡透明組件的方法，根據本發明建議，在根據方法步驟(c)之燒結期間，調整燒結氛圍、燒結溫度及燒結持續時間，使得該經緻密化之SiO2粒子一方面仍包含開孔，且另一方面在波長1700nm下顯示材料特異性紅外線透射T1700，該透射在相同材料之石英玻璃小顆粒之紅外線透射T1700之50-95%範圍內。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种借由熔合SiO2粒子产制不透明合成石英玻璃的已知方法，其包含以下方法步骤：合成非晶SiO2初始颗粒；粒化该等非晶SiO2初始颗粒以便形成开孔SiO2粒子；借由在烧结氛围中在烧结温度下并持续一定烧结时间段加热来烧结该开孔SiO2粒子以便形成经致密化之SiO2粒子；及在熔融温度下熔融该经致密化之SiO2粒子以便形成该合成石英玻璃。以此起始，为指示一种尽管使用仍开孔SiO2粒子，但准许低价产制石英玻璃之低气泡透明组件的方法，根据本发明建议，在根据方法步骤(c)之烧结期间，调整烧结氛围、烧结温度及烧结持续时间，使得该经致密化之SiO2粒子一方面仍包含开孔，且另一方面在波长1700nm下显示材料特异性红外线透射T1700，该透射在相同材料之石英玻璃小颗粒之红外线透射T1700之50-95%范围内。

公开(公告)号：TW201509838A

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：TW103126324

申请日：2014-08-01

Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司 ,  HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG

Inventor： 歐克斯 史帝芬 ,  OCHS, STEFAN ,  貝克 克勞斯 ,  BECKER, KLAUS ,  湯瑪士 史帝芬 ,  THOMAS, STEPHAN

IPC: C03B19/01

CPC classification number: C03B19/1461 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/23 ,  C03B2201/42 ,  C03C3/00 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/42 ,  C03C2203/46 ,  C03C2203/52 ,  C03C2204/00 ,  G03F1/52 ,  G03F1/60

Abstract: 摻鈦矽玻璃所含之Ti3+離子會使該玻璃染成褐色，造成玻璃檢驗之困難。在摻鈦矽玻璃中，還原Ti3+離子以增加Ti4+離子，可透過一足夠高之OH基成分安全達成，然其係伴隨一內部之氧化以及氫氣之逸出，抑或在較低OH基成分下於玻璃化之前進行氧處理，然其需要高溫處理以及特殊耐腐蝕烤箱，因此亦極為昂貴。為提出一種摻鈦矽玻璃之便宜製造方法，其係於氫氧基含量小於百萬分之120時，在400nm至1000nm之波長範圍內有一至少為70%之內穿透率(樣品厚度10mm)，依據本發明，其係以火焰水解之煤灰體沈積法為起點，在TiO2-SiO2煤灰體玻璃化之前先進行調節處理，而其係包含一使用氮氧化物之處理。如此製成之摻鈦矽玻璃胚件，特徵為具有Ti3+/Ti4+≦5×10-4之比例。

Abstract in simplified Chinese: 掺钛硅玻璃所含之Ti3+离子会使该玻璃染成褐色，造成玻璃检验之困难。在掺钛硅玻璃中，还原Ti3+离子以增加Ti4+离子，可透过一足够高之OH基成分安全达成，然其系伴随一内部之氧化以及氢气之逸出，抑或在较低OH基成分下于玻璃化之前进行氧处理，然其需要高温处理以及特殊耐腐蚀烤箱，因此亦极为昂贵。为提出一种掺钛硅玻璃之便宜制造方法，其系于氢氧基含量小于百万分之120时，在400nm至1000nm之波长范围内有一至少为70%之内穿透率(样品厚度10mm)，依据本发明，其系以火焰水解之煤灰体沉积法为起点，在TiO2-SiO2煤灰体玻璃化之前雪铁龙行调节处理，而其系包含一使用氮氧化物之处理。如此制成之掺钛硅玻璃胚件，特征为具有Ti3+/Ti4+≦5×10-4之比例。

公开(公告)号：TW201504178A

公开(公告)日：2015-02-01

申请号：TW103116306

申请日：2014-05-07

Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司 ,  HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG

Inventor： 史肯克 克里斯 ,  SCHENK, CHRISTIAN ,  尼爾森 紐斯 ,  NIELSEN, NILS ,  史肯齊 葛里特 ,  SCHEICH, GERRIT

IPC: C03C17/23 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L21/68757

Abstract: 本發明係關於一種裝置，其用於用腐蝕性處理氣體改質半導體或用於塗覆由矽、陶瓷、玻璃或石墨製成之物件或用於製造矽，該裝置包含具有石英玻璃基體之組件，該等石英玻璃基體塗有孔隙率高於石英玻璃之二氧化矽層。此外，本發明係關於一種摻雜且塗覆半導體、塗覆由玻璃、矽、陶瓷或石墨製成之物件以及製造矽之方法，其中利用根據本發明之裝置。此外，本發明係關於一種非晶二氧化矽層之用途，其用於石英玻璃基體上以減少由處理氣體造成的腐蝕。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种设备，其用于用腐蚀性处理气体改质半导体或用于涂覆由硅、陶瓷、玻璃或石墨制成之对象或用于制造硅，该设备包含具有石英玻璃基体之组件，该等石英玻璃基体涂有孔隙率高于石英玻璃之二氧化硅层。此外，本发明系关于一种掺杂且涂覆半导体、涂覆由玻璃、硅、陶瓷或石墨制成之对象以及制造硅之方法，其中利用根据本发明之设备。此外，本发明系关于一种非晶二氧化硅层之用途，其用于石英玻璃基体上以减少由处理气体造成的腐蚀。

公开(公告)号：TW201434778A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW103103371

申请日：2014-01-29

Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司 ,  HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG

Inventor： 庫恩 伯多

IPC: C03C3/06 ,  C03B20/00 ,  C03B19/01 ,  G02B1/00

CPC classification number: C03C3/06 ,  C03B19/1453 ,  C03B32/00 ,  C03B32/02 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/075 ,  C03B2201/21 ,  C03B2201/23 ,  C03B2201/24 ,  C03C4/04 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/24 ,  C03C2203/54 ,  C03C2204/00 ,  G02B1/00 ,  G02B1/02 ,  Y02P40/57

Abstract: 本發明係關於一種由合成石英玻璃製成之光學元件，應用於氬氟準分子雷射製版術，其操作波長為193nm，且具一基本上不含氧缺陷點之玻璃結構，其氫含量介於0.1×1016分子/cm3至1.0×1018分子/cm3之間，矽氫基含量低於2×1017分子/cm3，氫氧基含量介於0.1及100重量百萬分比之間，其中，該玻璃結構具一低於1070℃之假想溫度。若以量測波長為633nm之密實度測量為起點，使其得以可靠預測紫外線雷射於操作波長操作時之密實度，則該光學元件之架構應如下所述，即以一波長為193nm及5×109脈衝數之射線照射，脈衝寬度為125ns，各脈衝之能量密度為500μJ/cm2，而且脈衝重複頻率為2000Hz，用以反應雷射誘生之折射係數變化，其數據以193nm之操作波長所測得之第一測量值為M193nm，而以633nm之量測波長所測得之第二測量值為M633nm，而且：M193nm/M633nm＜1.7成立。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种由合成石英玻璃制成之光学组件，应用于氩氟准分子激光制版术，其操作波长为193nm，且具一基本上不含氧缺陷点之玻璃结构，其氢含量介于0.1×1016分子/cm3至1.0×1018分子/cm3之间，硅氢基含量低于2×1017分子/cm3，氢氧基含量介于0.1及100重量百万分比之间，其中，该玻璃结构具一低于1070℃之假想温度。若以量测波长为633nm之密实度测量为起点，使其得以可靠预测紫外线激光于操作波长操作时之密实度，则该光学组件之架构应如下所述，即以一波长为193nm及5×109脉冲数之射线照射，脉冲宽度为125ns，各脉冲之能量密度为500μJ/cm2，而且脉冲重复频率为2000Hz，用以反应激光诱生之折射系数变化，其数据以193nm之操作波长所测得之第一测量值为M193nm，而以633nm之量测波长所测得之第二测量值为M633nm，而且：M193nm/M633nm＜1.7成立。

公开(公告)号：TW201245101A

公开(公告)日：2012-11-16

申请号：TW101107584

申请日：2012-03-07

Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司

Inventor： 諾伊曼 克里斯汀 ,  貝克 約爾格 ,  霍夫曼 亞慶

IPC: C04B ,  C03B ,  H01M

CPC classification number: H01M4/1393 ,  C03B19/06 ,  C03B19/14 ,  C04B14/022 ,  C04B14/06 ,  C04B18/023 ,  C04B20/008 ,  C04B38/0022 ,  C04B38/045 ,  C23C16/01 ,  C23C16/402 ,  C23C16/453 ,  H01M10/052 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54

Abstract: 以多孔性無機材料製造小顆粒之方法，一般已知為生長製粒法或加壓製粒法。此處提出一種方法，該方法能以便宜且可重複製造之方式，來製造多孔性顆粒，該顆粒具有強烈階層式多孔性結構之特性，該方法包含下列方法步驟：(a)將使用材料流導入至一反應區內，在該區內，其使用材料係以熱解或水解方式轉化成材料之粒子，(b)在一沈積面上沈積出其材料粒子，以形成一層煤灰層，(c)加熱固化其煤灰層，使其變成多孔性煤灰片，(d)打碎煤灰片，使其變成多孔性小顆粒。

Abstract in simplified Chinese: 以多孔性无机材料制造小颗粒之方法，一般已知为生长制粒法或加压制粒法。此处提出一种方法，该方法能以便宜且可重复制造之方式，来制造多孔性颗粒，该颗粒具有强烈阶层式多孔性结构之特性，该方法包含下列方法步骤：(a)将使用材料流导入至一反应区内，在该区内，其使用材料系以热解或水解方式转化成材料之粒子，(b)在一沉积面上沉积出其材料粒子，以形成一层煤灰层，(c)加热固化其煤灰层，使其变成多孔性煤灰片，(d)打碎煤灰片，使其变成多孔性小颗粒。

公开(公告)号：TW200951084A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：TW098115224

申请日：2009-05-08

Applicant: 德國何瑞斯廓格拉斯公司

Inventor： 凱薩 湯瑪士 ,  雷曼 華特 ,  勞當 西瑪

IPC: C03B ,  C30B

CPC classification number: C30B15/10 ,  C03B19/095 ,  C30B35/002

Abstract: 本發明係由一種石英玻璃坩鍋之製造方法為起點，其係於一旋轉之熔化模具內將二氧化矽內覆層晶粒玻璃化，該熔化模具至少有部分被一熱屏蓋住，並於一含輕氣體之空氣中經電漿之作用而形成一透明內覆層，且至少有部分包含輕氣體之空氣係經由熱屏上之氣體注入口注入至熔化模具內。為讓內覆層含有特別低之氣泡含量，並讓能量及材料之花費為最少，本發明所提出之方法為，於玻璃化步驟前之覆層形成步驟中，於內壁形成一二氧化矽內覆層晶粒之晶粒覆層，而電漿區及與氣體注入口連在一起之熱屏，至少可於一與轉軸垂直之方向上移動，且能在玻璃化步驟當中於晶粒覆層方向上橫向移動，以讓晶粒覆層璃玻化。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系由一种石英玻璃坩锅之制造方法为起点，其系于一旋转之熔化模具内将二氧化硅内覆层晶粒玻璃化，该熔化模具至少有部分被一热屏盖住，并于一含轻气体之空气中经等离子之作用而形成一透明内覆层，且至少有部分包含轻气体之空气系经由热屏上之气体注入口注入至熔化模具内。为让内覆层含有特别低之气泡含量，并让能量及材料之花费为最少，本发明所提出之方法为，于玻璃化步骤前之覆层形成步骤中，于内壁形成一二氧化硅内覆层晶粒之晶粒覆层，而等离子区及与气体注入口连在一起之热屏，至少可于一与转轴垂直之方向上移动，且能在玻璃化步骤当中于晶粒覆层方向上横向移动，以让晶粒覆层璃玻化。

公开(公告)号：TW527316B

公开(公告)日：2003-04-11

申请号：TW089107473

申请日：2000-04-20

Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司 ,  信越石英股份有限公司

Inventor： 佳格 貝克 ,  喬青 諾瓦可

IPC: C01B ,  C03C

CPC classification number: C03C1/022 ,  C01B33/18 ,  C01P2006/80

Abstract: 在清潔二氧化矽粒子之習知方法中，具有垂直定向中心軸之反應器內之顆粒裝填物會被加熱，同時曝露至處理氣體，其係在特定流速下自底部至頂部通過反應器及裝填物。基於此，為了提供改良的清潔方法及適當簡單裝置，根據本發明以及相關清潔方法，已提出使用氯的處理氣體，在裝填物區內其被設定至處理溫度為至少1,000℃，而流速被設定為至少10cm/s。關於實施根據本發明方法之根據本發明之裝置，氣體入口設有氣體篷頭，氣體篷頭在裝填物下方包括許多側間分布至中心軸之噴嘴開口供處理氣體導入裝填物內。天然產生之原料並根據本發明清潔之二氧化矽粒子具有特徵為，鐵含量為低於20重量ppb，較佳為低於5重量ppb；錳含量為低於30重量ppb，較佳為5重量ppb；鋰含量為低於50重量ppb，較佳為5重量ppb；以及鉻、銅及鎳各為低於20重量ppb，較佳為1重量ppb。

Abstract in simplified Chinese: 在清洁二氧化硅粒子之习知方法中，具有垂直定向中心轴之反应器内之颗粒装填物会被加热，同时曝露至处理气体，其系在特定流速下自底部至顶部通过反应器及装填物。基于此，为了提供改良的清洁方法及适当简单设备，根据本发明以及相关清洁方法，已提出使用氯的处理气体，在装填物区内其被设置至处理温度为至少1,000℃，而流速被设置为至少10cm/s。关于实施根据本发明方法之根据本发明之设备，气体入口设有气体篷头，气体篷头在装填物下方包括许多侧间分布至中心轴之喷嘴开口供处理气体导入装填物内。天然产生之原料并根据本发明清洁之二氧化硅粒子具有特征为，铁含量为低于20重量ppb，较佳为低于5重量ppb；锰含量为低于30重量ppb，较佳为5重量ppb；锂含量为低于50重量ppb，较佳为5重量ppb；以及铬、铜及镍各为低于20重量ppb，较佳为1重量ppb。

公开(公告)号：TW491818B

公开(公告)日：2002-06-21

申请号：TW089108137

申请日：2000-04-28

Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司 ,  朗訊科技公司

Inventor： 哈維 查普 ,  諾柏 春柏 ,  奧利佛 漢貝契 ,  玉 漢根 ,  當那 保羅 珍波諾斯基

IPC: C03B

CPC classification number: C03B37/01892 ,  C03B37/01205 ,  C03B37/01211 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/31 ,  C03B2203/22 ,  C03B2203/36

Abstract: 以習知生產供適用於光資料通訊技術的光纖所用之雛形模的方法為基礎，生產具有複雜折射係數分布之基板管的方法藉由提供一石英玻璃基板管而獲得改良。該石英基板管在沿著其向外之半徑方向上具有不同的摻雜，將由合成石英所構成之芯玻璃導入該基板管內，並且以一套管將該基板管包圍。因此，亦提供了一種基板管，其需要較少的芯玻璃材料以形成雛形模，無論是以內部沉積法或是以管中棒的技術形成芯玻璃棒。根據本發明所提出之方法，所使用之基板管係藉由將一多孔之管型SiO2空管玻璃化而形成，在被提供有一芯玻璃層之該基板管之製造方法中， SiO2空管之第一半徑區域在玻璃化之前被添加了一第一摻雜劑，其可增加石英玻璃的折射係數。根據本發明之基板管具有沿著半徑方向之不同摻雜濃度的區域，其使用一具有至少為1.459之折射係數的芯玻璃層。

Abstract in simplified Chinese: 以习知生产供适用于光数据通信技术的光纤所用之雏形模的方法为基础，生产具有复杂折射系数分布之基板管的方法借由提供一石英玻璃基板管而获得改良。该石英基板管在沿着其向外之半径方向上具有不同的掺杂，将由合成石英所构成之芯玻璃导入该基板管内，并且以一套管将该基板管包围。因此，亦提供了一种基板管，其需要较少的芯玻璃材料以形成雏形模，无论是以内部沉积法或是以管中棒的技术形成芯玻璃棒。根据本发明所提出之方法，所使用之基板管系借由将一多孔之管型SiO2空管玻璃化而形成，在被提供有一芯玻璃层之该基板管之制造方法中， SiO2空管之第一半径区域在玻璃化之前被添加了一第一掺杂剂，其可增加石英玻璃的折射系数。根据本发明之基板管具有沿着半径方向之不同掺杂浓度的区域，其使用一具有至少为1.459之折射系数的芯玻璃层。

公开(公告)号：TW477777B

公开(公告)日：2002-03-01

申请号：TW089122677

申请日：2000-10-27

Applicant: 何瑞斯廓格拉斯公司 ,  信越石英股份有限公司

Inventor： 克勞斯 狄蒙 ,  漢斯 法畢安 ,  蘇山尼 爾森舍

IPC: C03B

CPC classification number: C03B19/1484 ,  C03B2201/03

Abstract: 在一石英玻璃體之已知製法中將SiO2粒子澱積於繞其縱軸旋轉的洗缸套表面上形成一本質上圓筒素燒坯料有一夾座元件石英玻璃設在拯料之一端區內。以此為基礎欲改進由石英玻璃體所製產物特徵的復現性起見，根據本發明主張用一低於30wtppm亞穩OH濃度之夾座元件，其夾座元件經受加熱預處理。夾持素燒石英玻璃的適當夾座元件特徵在其含30wtppm以下亞穩OH濃度之石英玻璃(圖1)。

Abstract in simplified Chinese: 在一石英玻璃体之已知制法中将SiO2粒子淀积于绕其纵轴旋转的洗缸套表面上形成一本质上圆筒素烧坯料有一夹座组件石英玻璃设在拯料之一端区内。以此为基础欲改进由石英玻璃体所制产物特征的复现性起见，根据本发明主张用一低于30wtppm亚稳OH浓度之夹座组件，其夹座组件经受加热预处理。夹持素烧石英玻璃的适当夹座组件特征在其含30wtppm以下亚稳OH浓度之石英玻璃(图1)。