公开(公告)号：KR1020130014458A

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：KR1020120145412

申请日：2012-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: (과제) 표면거칠기의정밀도를더욱개선할수 있어, 진전되는콘택트홀이나라인등의미세화에대응가능한어모퍼스실리콘의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를흘려하지(2)의표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고가열한하지(2)의표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 아미노기를포함하지않는실란계가스를열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막을형성하는공정을구비한다.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成非晶硅膜的方法，其方法是通过提高表面粗糙度的精度来精细地形成接触孔和线。 构成：加热硅衬底（1）的基底（2）。 通过将氨基硅烷基气体流到基底，在基底的表面上形成种子层（3）。 没有氨基的硅烷气体被供给到基底表面上的种子层。 没有氨基的硅烷气体被热分解。 在种子层上形成非晶硅膜（4）。

公开(公告)号：KR1020110131220A

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：KR1020117022152

申请日：2010-03-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  가키모토아키노부 ,  홋타다카노부

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/28562 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75

Abstract: 챔버내에 피처리 기판인 웨이퍼를 반입하고, 챔버내를 진공으로 유지한 상태로 하고, 웨이퍼를 가열하면서, 챔버내에 TiCl
4 가스와 MMH 가스를 교대로 공급하여 웨이퍼 상에 TiN막을 성막한다.

公开(公告)号：KR1020110122059A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：KR1020110040550

申请日：2011-04-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02636 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/481 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262

Abstract: PURPOSE: A thin film formation method and a film deposing method thereof are provided to arrange a mixed film, thereby forming a silicon film including impurities in an amorphous state with good embedding properties in a low temperature film deposition. CONSTITUTION: A mono silane gas is provided in an adsorption state on a semiconductor wafer surface from a gas nozzle of a silane system gas supply unit in a first gas supply process(S1). An impurity including gas is provided from the gas nozzle of a support gas supply unit in a second gas supply process(S2). A BCl3 gas is provided from the gas nozzle of an impurity including gas supply unit while the flux is controlled(S3). A silicon film including impurities in an amorphous state is arranged by alternatively and repeatedly performing the first gas supply process and second gas supply process(S5).

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜形成方法及其薄膜沉积方法来设置混合膜，从而在低温薄膜沉积中形成具有非晶态杂质的硅膜，具有良好的嵌入性能。 构成：在第一气体供给过程（S1）中，从硅烷系统气体供给单元的气体喷嘴在半导体晶片表面上以吸附状态提供单硅烷气体。 在第二气体供给处理（S2）中，从支撑气体供给部的气体喷嘴设置包含气体的杂质。 在控制焊剂的情况下，从包括气体供给单元的杂质的气体喷嘴提供BCl 3气体（S3）。 通过交替地并且重复地执行第一气体供给处理和第二气体供给处理（S5）来布置包括非晶状态的杂质的硅膜。

公开(公告)号：KR1020100115376A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：KR1020107021022

申请日：2009-02-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  엘피다 메모리 가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무 ,  가키모토아키노부 ,  히로타도시유키 ,  기요무라다카카즈

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L28/40

Abstract: Sr-Ti-O계 막의 성막 방법은 처리용기내에 Ru막이 형성된 기판을 배치하고, 기체상의 Ti 원료와, 기체상의 Sr 원료와, 기체상의 산화제를 상기 처리용기내에 도입해서 Ru막 상에 두께 10㎚ 이하의 제 1 Sr-Ti-O계 막을 성막하는 것과, 제 1 Sr-Ti-O계 막을 어닐해서 결정화시키는 것과, 제 1 Sr-Ti-O계 막의 위에, 기체상의 Ti 원료와, 기체상의 Sr 원료와, 기체상의 산화제를 처리용기내에 도입하고 그 위에 제 2 Sr-Ti-O계 막을 성막하는 것과, 제 2 Sr-Ti-O계 막을 어닐해서 결정화시키는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR100854428B1

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：KR1020077001745

申请日：2005-09-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/02189 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40

Abstract: 박막 커패시터에 있어서, 전계 집중을 억제하여 누설 전류를 저감한다. 도전 재료로 이루어진 하부 전극(22) 상에 제1 지르코늄 산화물층(26A)을 형성한다. 제1 지르코늄 산화물층(26A상)에 비정질 재료로 이루어진 버퍼층(28)을 형성한다. 버퍼층(28) 상에 제2 지르코늄 산화물층(26B)을 형성하고, 제2 지르코늄 산화물층(26B) 상에 도전 재료로 이루어진 상부 전극(24)을 형성한다.