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公开(公告)号:KR1019990000637A
公开(公告)日:1999-01-15
申请号:KR1019970023660
申请日:1997-06-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: 반도체 장치의 커패시터의 하부전극(storage node)으로 사용되는 백금막의 식각에서 식각경사도를 개선시키는 방법에 관하여 개시한다. 이를 위하여 본 발명은 백금막 위에 Ti로 구성된 장벽층이 산소가 풍부한 식각가스를 사용하면 TiOx로 변하여 부가적인 식각마스크로 작용하는 특성과, 이러한 TiOx층이 특정온도에서 ek단위 시간당 더욱 깊이까지 형성되는 특성을 이용하여 백금막을 오버에칭함으로써 백금막의 식각경사도를 개선시키는 반도체 장치의 백금막 식각방법을 제공한다. 이러한 TiOx층이 충분히 형성되는 특정온도는 반도체 기판의 온도가 120∼300의 범위가 적당하다.
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公开(公告)号:KR1019980066739A
公开(公告)日:1998-10-15
申请号:KR1019970002436
申请日:1997-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 커패시터의 스토리지 전극 형성 방법을 개시한다. 이는 반도체 기판 상에 절연 물질을 증착한 후 상기 반도체 기판을 노출하는 콘택홀을 형성하는 단계; 도전 물질을 사용하여 상기 콘택홀을 메움으로써 플러그를 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 장벽층을 형성하는 단계; 상기 장벽층 상에 백금(Pt)을 증착하여 전극층을 형성하는 단계; 상기 전극층 상에 티타늄(Ti) 및 티타늄질화물(TiN)중 어느 하나를 증착하여 물질층을 형성하는 단계; 상기 물질층 상에 산화막을 증착하여 마스크층을 형성하는 단계; 상기 마스크층/물질층이 상기 플러그 상부에서 상기 플러그보다 크게 남겨지도록 식각하는 단계; 및 상기 반도체 기판을 회전(rotating)시키면서 상기 전극층을 이온빔 식각하는 단계; 상기 마스크층을 제거하는 단계; 및 상기 물질층과 장벽층을 식각하는 단계로 이루어진다. 그 결과 스토리지 전극의 측벽 프로파일이 수직으로(vertical) 형성되는 잇점이 있다.
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公开(公告)号:KR1019970052668A
公开(公告)日:1997-07-29
申请号:KR1019950057135
申请日:1995-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor: 김현우
IPC: H01L21/304
Abstract: 실리콘 에티텍셜 박막을 형성하기 전의 웨이퍼를 클리닝 방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 실리콘 에티텍셜 박막제조를 위한 웨이퍼를 전기적 사이클로트론 공명(ECR)플라즈마 시스템에서 수소를 이용하여 클리닝하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 웨이퍼의 표면에 결함이 없는 에티텍셜 박막을 효율적으로 형성할 수 있다.
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公开(公告)号:KR1019970030516A
公开(公告)日:1997-06-26
申请号:KR1019950042797
申请日:1995-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor: 김현우
IPC: H01L21/027
Abstract: 반도체 장치의 세정방법에 대해 기재되어 있다. 이는, ECR수소 플라즈마를 이용하여 반도체기판을 인-사이튜 세정하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 종래의 세정방법에 비해 저온에서의 세정이 가능하고, 박막의 결합밀도를 낮출 수 있다.
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公开(公告)号:KR102160570B1
公开(公告)日:2020-09-28
申请号:KR1020130117885
申请日:2013-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , H01L21/8247
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公开(公告)号:KR101910518B1
公开(公告)日:2018-10-22
申请号:KR1020170046972
申请日:2017-04-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06K9/0002 , G06F1/1626 , G06F1/1643 , G06F1/1684 , G06F3/0412 , G06F3/0414 , G06F3/042 , G06F3/0421 , G06F2203/04109 , G06K9/0004 , G06K9/00053 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14636 , H01L27/323 , H01L27/3234 , H01L27/3276 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H04M1/026 , H04M1/0266 , H04M1/0277 , H05K1/0203 , H05K1/147 , H05K1/181 , H05K1/189 , H05K5/0017 , H05K5/0086 , H05K5/03 , H05K2201/066 , H05K2201/10128 , H05K2201/10151 , H01L2924/00
Abstract: 본발명의다양한실시예에다른디스플레이장치는, 디스플레이패널, 상기디스플레이패널의위에배치된커버글래스및 상기디스플레이패널의아래에배치된생체센서모듈을포함하고, 상기생체센서모듈은, 회로기판, 상기회로기판위에배치된생체센서및 개구부가형성된하우징을포함하고, 상기하우징의개구부에상기생체센서가수용되고, 상기생체센서모듈은상기하우징에의해상기디스플레이패널의일면에부착될수 있다. 또한, 다른실시예도가능하다.
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公开(公告)号:KR101839454B1
公开(公告)日:2018-04-27
申请号:KR1020160105085
申请日:2016-08-18
Abstract: 본발명은냉각탑에관한것이다. 냉각탑은일측면에형성된제1 및제2 유입구들을갖는케이스; 상기제1 유입구와인접하게배치되고, 외부공기를냉각수와간접적으로열교환하기위한건식열교환기; 및상기제1 및제2 유입구를개폐하는유입구댐퍼부를포함하고, 상기유입구댐퍼부는, 동절기모드또는하절기모드에따라, 상기제1 및제2 유입구들을선택적으로개폐하는유입구댐퍼부를포함할수 있다.
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公开(公告)号:KR1020170097980A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:KR1020160019766
申请日:2016-02-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06Q50/10 , H04N21/8549 , G06Q30/02 , G06Q50/30
CPC classification number: H04L51/10 , H04L12/185 , H04L51/14 , H04L51/34
Abstract: 다양한실시예에따르면전자장치의컨텐트그룹공유방법에있어서, 컨텐트그룹의공유요청정보를서버에전송하는동작과, 상기컨텐트그룹을공유할적어도하나의연락처를선택하는입력을수신하는동작과, 상기적어도하나의연락처의정보를상기서버로전송하는동작과, 상기서버로부터, 상기적어도하나의연락처에대응하는적어도하나의외부전자장치로부터의상기컨텐트그룹의공유수락정보를수신하면, 상기컨텐트그룹을공유상태로변경하는동작과, 상기컨텐트그룹은, 상기전자장치또는상기적어도하나의외부전자장치에의해업데이트가능한것을특징으로할 수있다. 다른실시예가가능하다.
Abstract translation: 根据各种实施例,提供了一种共享电子设备的内容组的方法,该方法包括:将用于共享内容组的请求发送到服务器;接收用于选择至少一个联系人以共享内容组的输入; 该方法包括:向服务器发送至少一个联系人的信息;从服务器接收来自与至少一个联系人相对应的至少一个外部电子设备的内容组的共享, 并且内容组可以由电子设备或至少一个外部电子设备更新。 其他实施例是可能的。
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公开(公告)号:KR1020170068173A
公开(公告)日:2017-06-19
申请号:KR1020150175067
申请日:2015-12-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0751 , G03F7/0758 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/76802 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795
Abstract: 포토레지스트조성물은실리콘함유이탈기가결합된반복단위를포함하는포토레지스트고분자, 불화설포늄염을포함하는광불소발생제및 용매를포함한다.
Abstract translation: 光致抗蚀剂组合物包含含氟光发生器,和含有溶剂的光致抗蚀剂的聚合物,bulhwaseol四克盐包括结合含有离去基团的聚硅氧烷的重复单元。
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