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公开(公告)号：KR102234659B1
公开(公告)日：2021-04-05
申请号：KR1020130129556A
申请日：2013-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N23/225 , G01Q30/02
Abstract: SEM(scanning electron microscope) 장치는 샘플 내에 형성되고 서로 적층된 하부 구조와 상부 구조를 포함하는 인-셀 영역으로 1차 전자 빔을 주사하는 전자 총과, 상기 샘플을 지지하는 스테이지와, 상기 인-셀 영역으로부터 방출된 후방-산란 전자들을 검출하는 적어도 하나의 제1검출기와, 상기 후방-산란 전자들을 이용하여 상기 인-셀 영역에 대한 이미지를 생성하고, 생성된 이미지를 이용하여 상기 인-셀 영역에 포함된 오버랩된 패턴들에 대한 오버레이 오프셋을 측정하는 이미지 처리 및 오버레이 오프셋 측정 장치와, 상기 인-셀 영역에 대한 랜딩 에너지가 10kV이상이 되도록, 상기 전자 총으로 공급되는 가속 전압과 상기 샘플로 공급되는 전압을 제어하는 전압 제어기를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2022075623A1
公开(公告)日：2022-04-14
申请号：PCT/KR2021/012589
申请日：2021-09-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김민국
Abstract: 로봇 및 그 제어 방법이 개시된다. 본 로봇은 복수의 배터리, 외부 충전기로부터 제공되는 전기 에너지를 상기 복수의 배터리에 개별적으로 공급하기 위한 제1 스위치, 상기 복수의 배터리를 연결하기 위한 제2 스위치 및 상기 외부 충전기가 상기 로봇에 연결되면, 상기 복수의 배터리의 SOC(State of Charge)에 기초하여 상기 복수의 배터리 중 일부의 배터리가 충전된 후, 나머지 배터리가 충전되도록 상기 제1 스위치를 제어하고, 상기 외부 충전기와의 연결이 해제된 후, 상기 로봇의 구동에 따라 상기 복수의 배터리 간의 SOC 차이가 임계 값이 되면, 상기 복수의 배터리 중 SOC가 높은 배터리가 낮은 배터리를 충전하도록 상기 제2 스위치를 제어하는 프로세서를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR102234659B1
公开(公告)日：2021-04-05
申请号：KR1020130129556
申请日：2013-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N23/225 , G01Q30/02
Abstract: SEM(scanning electron microscope) 장치는샘플내에형성되고서로적층된하부구조와상부구조를포함하는인-셀영역으로 1차전자빔을주사하는전자총과, 상기샘플을지지하는스테이지와, 상기인-셀영역으로부터방출된후방-산란전자들을검출하는적어도하나의제1검출기와, 상기후방-산란전자들을이용하여상기인-셀영역에대한이미지를생성하고, 생성된이미지를이용하여상기인-셀영역에포함된오버랩된패턴들에대한오버레이오프셋을측정하는이미지처리및 오버레이오프셋측정장치와, 상기인-셀영역에대한랜딩에너지가 10kV이상이되도록, 상기전자총으로공급되는가속전압과상기샘플로공급되는전압을제어하는전압제어기를포함한다.
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公开(公告)号：KR101877468B1
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：KR1020110145437
申请日：2011-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J65/04
Abstract: 광대역광원장치는고압가스만으로채워져있고구 형상을갖는챔버가구비된다. 상기챔버외부에는레이저방출기가구비된다. 상기챔버와이격되면서상기챔버를둘러싸도록타원경이배치된다. 상기챔버중심부의플라즈마영역으로부터방출되어상기타원경에서반사된광을수집하는로드렌즈가구비된다. 상기챔버내부에고압가스들을이온화시키기위하여제공되는에너지공급부를포함한다. 상기광대역광원장치는챔버내에전극이구비되지않으므로, 생성된광은균일한조도를가지며, 입사각별로광량이균일하다.
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公开(公告)号：KR1020160076097A
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：KR1020140185834
申请日：2014-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L22/26 , C30B25/165 , C30B29/40 , C30B29/52 , H01L22/12 , H01L21/20 , H01L21/02 , H01L21/2003
Abstract: 박막형성장치및 방법이개시된다. 소스물질및 불순물(dopants)의공급유량을포함하는공정조건을설정하고기판상에이종접합박막을형성한다. 박막을분석하여소스물질의조성비및 불순물의농도를검출하고, 기준조성비및 기준농도와각각비교하여조성비편차및 농도편차를수득한다. 조성비편차및 농도편차가조성비및 농도에관한허용범위를넘는경우소스물질및 불순물중의적어도하나의공급유량을보정한다. 소스물질과불순물의공급유량을모두조절함으로써팹 공정에서막질특성에대한인라인제어의정밀도를높일수 있다.
Abstract translation: 公开了一种成膜装置和成膜方法。 设定包括掺杂剂和源物质的供给流量的处理条件，在基板上形成异质结构膜。 通过分析膜来检测源物质的组成比和掺杂剂的浓度，并分别与基准组成比和基准浓度进行比较，以获得组成比偏差和浓度偏差。 如果组成比偏差和浓度偏差超过关于组成比和浓度的允许范围，则源物质和掺杂剂中的至少一种的供给流量被校正。 由于能够控制源物质和掺杂剂的供给流量，本发明能够提高乳剂处理时的膜特性的在线控制的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130076982A
公开(公告)日：2013-07-09
申请号：KR1020110145437
申请日：2011-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01J65/04
Abstract: PURPOSE: A light source device and a light generating method are provided to emit the lights of broadband having high lighting efficiency and uniform illuminance. CONSTITUTION: A broadband light source device (100) includes a chamber (102), a laser emitter, an oval mirror (112), and an energy source. The chamber is filled with only high-pressure gases. The laser emitter is arranged outside the chamber for generating a plasma domain (18) on the central portion of the chamber. The oval mirror surrounds the chamber while being spaced from the chamber so that the lights emitted from the plasma domain are incident to and reflected by the surface of the oval mirror uniformly and collected. A rod lens collects the lights emitted from the plasma domain of the central portion of the chamber and reflected by the oval mirror, thereby generating a surface-light source. The energy source evaporates the initial mercury inside the chamber and ionizes the high-pressure gases.
Abstract translation: 目的：提供一种光源装置和发光方法来发射具有高照明效率和均匀照度的宽带光。 构成：宽带光源装置（100）包括室（102），激光发射器，椭圆镜（112）和能量源。 该室只装满高压气体。 激光发射器布置在腔室的外部，用于在腔室的中心部分上产生等离子体区域（18）。 椭圆形镜子围绕腔室同时与腔室间隔开，使得从等离子体区域发射的光均匀地入射到椭圆镜的表面并被其反射并被收集。 棒状透镜收集从室的中心部分的等离子体区域发射并由椭圆形反射镜反射的光，从而产生表面光源。 能量源蒸发室内的初始汞，并使高压气体离子化。
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公开(公告)号：KR101843042B1
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：KR1020120003497
申请日：2012-01-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01J37/265 , H01J37/08 , H01J2237/002 , H01J2237/006 , H01J2237/0807
Abstract: 헬륨이온현미경(helium ion microscopy, HIM)을이용하여, 반도체기판상에형성되어있는패턴을 3차원적인입체정보로얻을수 있는반도체기판검사장비를제공하는것이다. 상기반도체기판검사장비는헬륨가스를담아두는가스용기, 상기가스용기내에위치하고, 상기헬륨가스를헬륨이온으로변환시키는헬륨이온발생부, 상기가스용기아래에위치하고, 피검사기판이놓이는웨이퍼스테이지, 상기웨이퍼스테이지상에위치하고, 상기피검사기판으로부터발생되는전자를검출하는이차전자검출기, 연속적인질소공급장치로부터제1 기체질소를공급받아액체질소로압축하는압축기, 상기압축기와연결되어상기액체질소를저장하는액체질소듀워(Dewar), 및상기액체질소듀워로부터공급받은상기액체질소를제2 기체질소로기화시켜상기헬륨이온발생부를냉각시키고, 상기가스용기상에서상기헬륨이온발생부와결합되어있는냉각장치를포함한다.
Abstract translation: 使用氦离子显微镜（氦离子显微镜，HIM），以提供所获得形成具有三维立体信息在半导体衬底上的图案的半导体基板检查装置。 半导体基板检查装置是气体容器，位于容器中的气体，位于所述氦离子产生单元，所述氦气转换成氦离子气体容器的下方，位于避免检查器板的晶片台，晶片定位把氦气 位于舞台上，接收该血液二次电子检测器，用于检测从所述测试基板中产生的电子，从连接到所述压缩机，所述压缩机用于压缩液氮商店液氮在连续氮气供给供给第一气态氮 液氮dyuwo（杜瓦），和汽化液氮从液氮被提供dyuwo，其耦合到所述氦离子产生单元的气体容器上，并且冷却部件的第二气态氮冷却单元引起的氦离子，以 它包括。
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公开(公告)号：KR1020170066846A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：KR1020150172999
申请日：2015-12-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02B21/00
CPC classification number: H01J37/222 , G01N23/2251 , G01N2223/418 , G01N2223/423 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/0473 , H01J2237/226 , H01J2237/24485 , H01J2237/2803 , H01J2237/2804 , H01J2237/2805 , H01J2237/2806
Abstract: 주사전자현미경을이용한구조해석방법이개시된다. 주사전자현미경을이용한구조해석방법은샘플의제1 깊이로침투되는제1 랜딩에너지를가지는전자빔을상기샘플에조사하여, 제1 깊이에서의제1 이미지를획득하고, 제1 랜딩에너지보다높고, 샘플의제2 깊이로침투되는제2 랜딩에너지를전자빔이가지도록전자빔을가속하여, 제2 깊이에서의제2 이미지를획득하는것을포함한다.
Abstract translation: 公开了使用扫描电子显微镜的结构分析方法。 使用扫描电子显微镜的结构分析方法获得的第一图像，通过照射具有第一着陆能量渗透到样品的样品中的第一深度，高于1，着陆能量，样品的电子束eseoui第一深度 并且加速电子束使得电子束入射到穿过Ag 2深度的第二着陆能量上以获得第二深度处的第二图像。
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公开(公告)号：KR1020160034491A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：KR1020140125085
申请日：2014-09-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01J37/3005 , H01J37/28 , H01J37/285 , H01J37/3053 , H01J2237/2812 , H01J2237/3174
Abstract: 반도체검사장비는, 샘플웨이퍼의표면상으로클러스터이온빔을조사하여상기샘플웨이퍼의상기표면을식각하는이온빔 밀링유닛, 및상기샘플웨이퍼의식각된표면상으로전자빔을조사하여상기식각된표면의이미지를측정하는이미지측정유닛을포함한다.
Abstract translation: 半导体检查系统包括：离子束研磨单元，被配置为将聚簇离子束照射到样品晶片的表面上以蚀刻样品晶片的表面; 以及图像测量单元，被配置为将电子束照射到样品晶片的蚀刻表面上，以测量蚀刻表面的图像。 因此，该系统可实现高速大面积破坏性检测。
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公开(公告)号：KR1020130082334A
公开(公告)日：2013-07-19
申请号：KR1020120003497
申请日：2012-01-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01J37/265 , H01J37/08 , H01J2237/002 , H01J2237/006 , H01J2237/0807
Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for inspecting a semiconductor substrate are provided to obtain the 3D information of a pattern formed on the semiconductor substrate by using a helium ion microscope. CONSTITUTION: A gas container (110) stores a helium gas. A helium ion source (100) changes the helium gas to a helium ion. A wafer stage (20) is located under the gas container. A secondary electron detector (30) detects electrons from a substrate under test. A compressor (150) receives a first nitrogen gas from a continuous nitrogen supply device and compresses the first nitrogen gas into liquid nitrogen. A liquid nitrogen dewar (140) is connected to the compressor and stores the liquid nitrogen.
Abstract translation: 目的：提供一种用于检查半导体衬底的装置和方法，以通过使用氦离子显微镜获得在半导体衬底上形成的图案的3D信息。 构成：气体容器（110）存储氦气。 氦离子源（100）将氦气转化为氦离子。 晶片台（20）位于气体容器下方。 二次电子检测器（30）从被测衬底检测电子。 压缩机（150）从连续供氮装置接收第一氮气，并将第一氮气压缩成液氮。 液氮杜瓦瓶（140）连接到压缩机并储存液氮。
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