-
公开(公告)号：KR102233577B1
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020140021687A
申请日：2014-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/26 , G03F7/38 , H01L21/0337 , H01L21/31058 , H01L21/02164 , H01L21/02277
Abstract: 반도체 소자의 패턴 형성 방법으로, 기판 상에 하드 마스크막을 형성한다. 상기 하드 마스크막 상에 포토레지스트막을 코팅한다. 상기 포토레지스트막에 대해 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 제1 포토레지스트 패턴의 표면에 유기 용매를 접촉시키는 스무징 공정을 수행하여 제2 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 제2 포토레지스트 패턴의 표면 프로파일을 따라 원자층 증착막을 형성한다. 상기 원자층 증착막이 형성된 제2 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여, 상기 원자층 증착막 및 하드 마스크막을 식각하여 하드 마스크 패턴을 형성한다. 상기 공정에 의하면, 거칠기 특성이 우수한 패턴을 형성할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020140089854A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020130001790
申请日：2013-01-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 고차원 , 블라디미르우라자에브 , 이전일 , 김현우 , 김인성
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0273 , H01L21/0274
Abstract: A semiconductor device manufacturing apparatus includes a support part which has a support surface which supports a substrate, an electric field application part for vertically applying an electric field to the substrate, and a heat exchange part for dispersing the heat of the substrate. In a method of manufacturing a semiconductor device, acid is generated by exposing a part of a photoresist layer formed on the substrate from the upper part of the photoresist layer to a preset depth. The acid is diffused into the photoresist layer by vertically applying the electric field to the substrate. A photoresist pattern is formed by developing the photoresist layer.
Abstract translation: 半导体器件制造装置包括具有支撑基板的支撑面的支撑部，用于向基板垂直施加电场的电场施加部，以及用于分散基板的热量的热交换部。 在制造半导体器件的方法中，通过将形成在衬底上的光致抗蚀剂层的一部分从光致抗蚀剂层的上部暴露到预定深度而产生酸。 通过将电场垂直施加到基底上，将酸扩散到光致抗蚀剂层中。 通过显影光致抗蚀剂层形成光致抗蚀剂图案。
-
-
公开(公告)号：KR100610762B1
公开(公告)日：2006-08-08
申请号：KR1020040041436
申请日：2004-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/0752 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L21/31138 , H01L21/31144
Abstract: 패턴 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 하부층이 형성된 기판 상에 제 1 유기 폴리머막(first organic polymer layer)을 형성하고, 상기 제 1 유기 폴리머막 상에 상기 제 1 유기 폴리머막이 노출된 오프닝을 가지는 제 2 유기 폴리머막(second organic polymer layer)을 형성하는 것을 포함한다. 상기 제 2 유기 폴리머막은 감광성 유기막으로 형성할 수 있다. 상기 오프닝을 덮는 실리콘 함유 폴리머막(silicon containing polymer layer)을 형성한다. 이 때, 상기 실리콘 함유 폴리머막은 상기 제 2 유기 폴리머막보다 얇은 두께로 도포할 수도 있고, 두꺼운 실리콘 함유 폴리머막을 도포한 후 에치백할 수도 있다. 산소 플라즈마를 이용하여 상기 실리콘 함유 폴리머막을 산화시킴과 동시에 상기 제 2 유기 폴리머막 및 상기 제 1 유기 폴리머막을 이방성 에슁한다. 상기 실리콘 함유 폴리머막 및 상기 제 1 유기 폴리머막을 식각마스크로 사용하여 상기 하부층을 식각하여 패턴을 형성한다.
Abstract translation: 由此提供图案形成方法。 该方法包括在其上形成下层的基板上形成第一有机聚合物层，并在第一有机聚合物层上形成第二有机聚合物层， 以形成有机聚合物层。 第二有机聚合物膜可以由光敏有机膜形成。 形成覆盖开口的含硅聚合物层。 此时，可以将含硅聚合物膜涂覆成小于第二有机聚合物膜的厚度，或者可以涂覆并回蚀厚含硅聚合物膜。 使用氧等离子体来氧化含硅聚合物膜，并且第二有机聚合物膜和第一有机聚合物膜被各向异性地灰化。 使用含硅聚合物膜和第一有机聚合物膜作为蚀刻掩模来蚀刻下层以形成图案。
-
公开(公告)号：KR1020150100193A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：KR1020140021687
申请日：2014-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/26 , G03F7/38 , H01L21/02164 , H01L21/02277 , H01L21/0337 , H01L21/31058
Abstract: 반도체 소자의 패턴 형성 방법으로, 기판 상에 하드 마스크막을 형성한다. 상기 하드 마스크막 상에 포토레지스트막을 코팅한다. 상기 포토레지스트막에 대해 노광 및 현상하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 제1 포토레지스트 패턴의 표면에 유기 용매를 접촉시키는 스무징 공정을 수행하여 제2 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 제2 포토레지스트 패턴의 표면 프로파일을 따라 원자층 증착막을 형성한다. 상기 원자층 증착막이 형성된 제2 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여, 상기 원자층 증착막 및 하드 마스크막을 식각하여 하드 마스크 패턴을 형성한다. 상기 공정에 의하면, 거칠기 특성이 우수한 패턴을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 通过形成半导体器件的图案的方法在基板上形成硬掩模层。 光致抗蚀剂层涂覆在硬掩模层上。 通过在光致抗蚀剂层上进行曝光和显影处理来形成第一光致抗蚀剂图案。 通过进行用于使有机溶剂接触第一光致抗蚀剂图案的表面的平滑处理来形成第二光致抗蚀剂图案。 沿着第二光致抗蚀剂图案的表面轮廓形成原子层沉积层。 通过使用形成在原子层沉积层上的第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻原子层沉积层和硬掩模层，以形成硬掩模图案。 因此，形成硬掩模。 根据该方法，可以形成具有优异粗糙度的图案。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150007921A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：KR1020140004005
申请日：2014-01-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 고차원
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/091 , H01L21/0206 , H01L21/02271 , H01L21/0271 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L21/3088 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , Y10S438/948 , Y10S438/949 , Y10S438/952 , H01L21/0273
Abstract: In a method of forming a fine pattern for a semiconductor device, a photoresist layer which includes an acid removing agent containing layer and a latent acid is formed on a substrate. After a part of the photoresist layer is exposed, an insoluble polymer thin film is formed between the d removing agent containing layer and the exposure region of the photoresist layer. A spacer which exposes the insoluble polymer thin film in an exposure region by developing the photoresist layer and a photoresist pattern integrally connected to the insoluble polymer thin film are formed. The insoluble polymer thin film is removed. The acid removing agent containing layer is removed, thereby forming a fine pattern.
Abstract translation: 在形成半导体器件的精细图案的方法中，在基板上形成含有除酸剂层和潜在酸的光致抗蚀剂层。 在光致抗蚀剂层的一部分被暴露之后，在除去污物含有层和光致抗蚀剂层的曝光区域之间形成不溶性聚合物薄膜。 形成通过显影光致抗蚀剂层和与不溶性聚合物薄膜一体连接的光致抗蚀剂图案而使曝光区域中的不溶性聚合物薄膜露出的间隔物。 去除不溶性聚合物薄膜。 除去除酸剂层，从而形成精细图案。
-
公开(公告)号：KR1020090004172A
公开(公告)日：2009-01-12
申请号：KR1020070068170
申请日：2007-07-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70466 , H01L21/0337 , H01L21/0338
Abstract: A method of forming a fine pitch hard mask and a formation method of fine patterns of semiconductor device are provided to form the various pattern with the excellent CD uniformity by using the double patterning process. The first, second and third hard mask layers(20,30,40) having different etch property are successively formed on a substrate(10). A plurality of first sacrificed patterns(60a) which are repeatedly formed into the first pitch are formed on the third hard mask. A plurality of fourth hard mask patterns(70a) are formed on the side wall of the first sacrificed pattern. The desired first hard mask pattern of the height is formed by etching the third, second and first hard mask layers successively using the fourth hard mask pattern as the etching mask. The trench of the desired depth is created by etching the substrate using the first hard mask pattern as the etching mask.
Abstract translation: 提供形成细间距硬掩模的方法和半导体器件的精细图案的形成方法，以通过使用双重图案化工艺形成具有优异的CD均匀性的各种图案。 具有不同蚀刻性质的第一，第二和第三硬掩模层（20,30,40）依次形成在衬底（10）上。 在第三硬掩模上形成有重复形成为第一间距的多个第一牺牲图案（60a）。 在第一牺牲图案的侧壁上形成多个第四硬掩模图案（70a）。 通过使用第四硬掩模图案作为蚀刻掩模，依次蚀刻第三，第二和第一硬掩模层来形成高度的期望的第一硬掩模图案。 通过使用第一硬掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻衬底来产生所需深度的沟槽。
-
公开(公告)号：KR1020080026388A
公开(公告)日：2008-03-25
申请号：KR1020060091346
申请日：2006-09-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11531 , H01L27/11526 , H01L21/31144 , H01L27/2463
Abstract: A flash memory device using double patterning technology and a method thereof are provided to ensure a distance between patterns by implementing macro patterns using the double patterning technology. A flash memory device includes a string selection line(SSL), a ground selection line(GSL), and a string(100a) having odd numbered word lines(WL1-WL33). The odd numbered word lines are formed between the string and ground selection lines. The width of the word lines wider than a distance between the word lines is formed. One of the word lines is not utilized to store information. The word line not utilized to store the information is formed adjacent to the ground selection line.
Abstract translation: 提供使用双重图案化技术的闪存器件及其方法，以通过使用双重图案化技术实现宏图案来确保图案之间的距离。 闪速存储装置包括具有奇数编号字线（WL1-WL33）的串选择线（SSL），地选择线（GSL）和串（100a）。 在弦和地选择线之间形成奇数字线。 形成宽于字线之间的距离的字线的宽度。 其中一条字线不用于存储信息。 不用于存储信息的字线形成在接地选择线附近。
-
-
公开(公告)号：KR1020070037098A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：KR1020050092329
申请日：2005-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , H01L21/312
CPC classification number: G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , G03F7/42
Abstract: 반도체 장치의 패턴 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 기판 상에 복수개의 제 1 마스크 패턴을 형성하고, 각각의 제 1 마스크 패턴의 측벽에 제 2 마스크 패턴을 형성하고, 상기 제 2 마스크 패턴들 사이를 채우는 제 3 마스크 패턴을 형성하는 것을 포함한다. 상기 제 2 마스크 패턴을 제거하고, 상기 제 1 및 제 3 마스크 패턴들을 식각마스크로 사용하여 상기 기판의 일부를 제거한다. 본 발명에 따르면, 이중 노광에서 발생하는 1차 노광 및 2차 노광 사이의 오정렬이 발생하지 않고 일정한 피치로 반복되는 미세 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 포토레지스트의 트리밍 및 화학 흡착의 두께 조절을 통하여 사진 공정으로 정의할 수 없는 선폭 및 피치의 규칙적인 패턴을 형성할 수 있다.
포토레지스트, 이중노광, 화학흡착
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
45
records
(took 0.026 seconds)
