公开(公告)号：KR1020070098433A

公开(公告)日：2007-10-05

申请号：KR1020060103886

申请日：2006-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  더 보드 오브 트러스티스 오브 더 리랜드 스탠포드 주니어 유니버시티

Inventor： 이항우 ,  진용완 ,  김종민 ,  유웨이 ,  바오젠난

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/02

CPC classification number: C01B32/168 ,  B01J19/10 ,  B82B3/0095 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/17 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/30 ,  C01B2202/36

Abstract: A method for selecting semiconductive single-walled carbon nanotubes is provided to select semiconductive carbon nanotubes having a certain diameter range on a large scale and with high purity through a simple process. A method for selecting semiconductive single-walled carbon nanotubes includes the steps of: adding carbon nanotubes to a poly(3-alkylthiophene) solution represented by a formula 1; dispersing the carbon nanotubes in the poly(3-alkylthiophene) solution; centrifuging the dispersion; and removing the poly(3-alkylthiophene) from the supernatant after centrifugation. In the formula 1, n is an integer of 450-500 and R is a straight and branched alkyl group having 6-12 carbon atoms.

Abstract translation: 提供一种选择半导体单壁碳纳米管的方法，通过简单的工艺大规模选择具有一定直径范围的半导体碳纳米管，并具有高纯度。 选择半导体单壁碳纳米管的方法包括以下步骤：将碳纳米管加入由式1表示的聚（3-烷基噻吩）溶液中; 将碳纳米管分散在聚（3-烷基噻吩）溶液中; 离心分散体; 并离心后从上清液中除去聚（3-烷基噻吩）。 在式1中，n为450-500的整数，R为具有6-12个碳原子的直链和支链烷基。

公开(公告)号：KR1020070056500A

公开(公告)日：2007-06-04

申请号：KR1020050115201

申请日：2005-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종민

IPC: H01L21/027

Abstract: A method for forming a semiconductor device and an apparatus for forming a semiconductor device using the same are provided to reduce a process time in a track system by exposing a circumferential part of a photoresist layer in an exposure system. A first exposure process is performed to expose a photoresist layer formed on a substrate by using light penetrating a reticle pattern(S110). A second exposure process is performed to expose a circumferential part of the exposed photoresist layer(S120). A developing process is performed to develop the photoresist later exposed by the first and second exposure processes(S130). A method for forming the photoresist layer includes a process for forming an organic anti-reflecting layer on a substrate, a first bake process for baking the substrate, a process for coating the photoresist solution on the organic anti-reflecting layer, and a second bake process for baking the substrate.

Abstract translation: 提供一种用于形成半导体器件的方法和用于形成使用其的半导体器件的设备，以通过在曝光系统中暴露光致抗蚀剂层的周向部分来减少轨道系统中的处理时间。 执行第一曝光处理以通过使用穿过掩模版图案的光来曝光形成在基板上的光致抗蚀剂层（S110）。 执行第二曝光处理以暴露曝光的光致抗蚀剂层的周向部分（S120）。 进行显影处理以开发通过第一和第二曝光工艺曝光的光致抗蚀剂（S130）。 形成光致抗蚀剂层的方法包括在基板上形成有机抗反射层的方法，用于烘焙基板的第一烘烤工艺，在有机抗反射层上涂布光致抗蚀剂溶液的方法和第二烘烤 烘烤基材的方法。

公开(公告)号：KR100621767B1

公开(公告)日：2006-09-19

申请号：KR1020040085184

申请日：2004-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장영철 ,  김종민 ,  김지기 ,  성재현 ,  이현훈

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

Abstract: 본 발명은 웨이퍼 에지 노광장치에 관한 것으로서, 즉 본 발명은 웨이퍼 에지부의 감광막을 제거하는 웨이퍼 에지 노광장치에 있어서, 척을 중심으로 양측에 각각 구비되는 버퍼(10)는 별도의 구동 수단(20)에 의해서 동시에 반대 방향으로 미세한 길이를 수평이동하면서 상기 버퍼(10)의 안치면(11)에 얹혀지는 웨이퍼의 위치를 조정하도록 하는 구성이 특징인 바 양측에 구비되는 버퍼(10)의 업다운 작용과 함께 로딩되어 안치면(11)에 안치되는 웨이퍼(W)를 서로 반대 방향으로 동시에 버퍼(10)가 수평이동토록 하면서 웨이퍼(W)의 정확한 포지션 조정이 자동으로 이루어지도록 하여 웨이퍼(W)의 포지션 에러로 인한 공정 중단과 추가적인 인력 투입을 방지하여 생산성이 대폭적으로 향상될 수 있도록 한다.
웨이퍼 에지 노광, 버퍼, 웨이퍼 포지션 조정, 웨이퍼 센터링

公开(公告)号：KR100601937B1

公开(公告)日：2006-07-14

申请号：KR1020030097806

申请日：2003-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심형섭 ,  김종민 ,  오지영

IPC: C12Q1/68 ,  G06F19/20

CPC classification number: C12Q1/6827 ,  C12Q1/6837 ,  G06F19/20 ,  C12Q2565/501 ,  C12Q2545/101 ,  C12Q2535/131

Abstract: 본 발명은 하나이상의 암플리콘을 포함하는 시료에서 각 암플리콘내의 알려진 하나 이상의 돌연변이 위치별로 정상형 유전자 또는 돌연변이형 유전자 중 어떤 유전자가 존재하는지를 확인하기 위해 돌연변이형 유전자 또는 정상형 유전자에 완전히 일치하는 분별 프로브와 상기 각 암플리콘 내의 돌연변이 위치의 뉴클레오티드 서열을 포함하지 않는 영역에 완전히 일치하고 다른 암플리콘 서열에는 존재하지 않는 서열로 구성된 암플리콘 프로브로 이루어진 최적 프로브 세트만이 배열되어 있는 DNA 칩을 사용하여 유전자형을 판별하는 유전자형 판별 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 사용되는 프로브의 수를 감소시킬 수 있고, 유전자형 판별 결과의 신뢰도를 높일 수 있다.
DNA 칩, 유전자형 판별, 판별 함수, 로지스틱 회귀분석, 사후 확률, 암플리콘 프로브, 분별 프로브

公开(公告)号：KR100508077B1

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：KR1019980026485

申请日：1998-07-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 주현욱 ,  신경선 ,  김종민

IPC: H01L21/66

Abstract: 리페어 공정을 수행하면서 저수율 웨이퍼를 자동으로 선별하고, 다수의 런(Run)을 연속적으로 리페어하도록 하는 반도체 이디에스 공정의 레이저 리페어 자동화 시스템 및 이의 운용 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 제조공정이 이루어진 웨이퍼를 검사하는 프리레이저 공정에서 발생된 데이터를 포함하는 각종 반도체 제조공정 정보를 관리하는 종합전산망, 상기 종합전산망에 통신망을 통해 접속하여 상기 프리레이저 공정에서 발생된 데이터를 전송받고, 리페어 작업의 개시와 종료를 알리며, 상기 데이터에 의해 상기 웨이퍼 중 수율이 소정 설정치를 기준으로 선별하여 자동으로 리페어 공정을 수행하는 레이저 리페어 시스템 및 상기 통신망을 통해 상기 종합전산망에 접속하여 상기 정보를 포함하는 각종 데이터 입출력이 이루어지는 단말기를 구비하여 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 리페어 시스템의 저수율 웨이퍼를 자동으로 스크랩하고, 다수의 카세트를 로딩하여 리페어를 진행함으로써 작업공정이 단축되고, 생산성이 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050066509A

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：KR1020030097806

申请日：2003-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심형섭 ,  김종민 ,  오지영

IPC: C12Q1/68 ,  G06F19/20

CPC classification number: C12Q1/6827 ,  C12Q1/6837 ,  G06F19/20 ,  C12Q2565/501 ,  C12Q2545/101 ,  C12Q2535/131

Abstract: 본 발명은 하나이상의 암플리콘을 포함하는 시료에서 각 암플리콘내의 알려진 하나 이상의 돌연변이 위치별로 정상형 유전자 또는 돌연변이형 유전자 중 어떤 유전자가 존재하는지를 확인하기 위해 돌연변이형 유전자 또는 정상형 유전자에 완전히 일치하는 분별 프로브와 상기 각 암플리콘 내의 돌연변이 위치의 뉴클레오티드 서열을 포함하지 않는 영역에 완전히 일치하고 다른 암플리콘 서열에는 존재하지 않는 서열로 구성된 암플리콘 프로브로 이루어진 최적 프로브 세트만이 배열되어 있는 DNA 칩을 사용하여 유전자형을 판별하는 유전자형 판별 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 사용되는 프로브의 수를 감소시킬 수 있고, 유전자형 판별 결과의 신뢰도를 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR100434554B1

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：KR1019970047191

申请日：1997-09-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종민

IPC: H01J9/02

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing field effect electron emission device is provided to reduce leakage current between the two electrodes formed on a front substrate and facilitate mass production. CONSTITUTION: A method comprises a step of forming an ITO thin film on a substrate, and patterning the ITO thin film into a stripe pattern so as to form a plurality of anodes(15b,15g) such that at least two of the three anodes are electrically connected with each other; a step of forming a first insulating layer(31) on an anode disposed on a region corresponding to a connection portion of anodes which are not electrically connected in the previous step so as to connect anodes; a step of forming a second insulating layer(32) on the first insulating layer so as to suppress leakage current; a step of interconnecting connection lines all over the connection portion; a step of applying a phosphor material on each of the anodes; and a step of separating a front substrate(16) and a rear substrate by a shield material, and sealing and combining the front and rear substrate.

公开(公告)号：KR1020170131274A

公开(公告)日：2017-11-29

申请号：KR1020170062408

申请日：2017-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 지앙,동옌 ,  린,창후이 ,  말라디,크리슈나 ,  김종민 ,  정,홍종

IPC: G06F12/02 ,  G06F3/06

Abstract: 중복제거모듈과연관된메모리에저장된데이터를회수하는방법이제공된다. 방법은포함한다: 데이터의논리적주소를식별하는단계; 변환테이블의논리적주소의적어도일부를검색하여논리적주소에따른데이터의 PLID를식별하는단계; 각각의물리적라인의위치를찾는단계, 각각의물리적라인은 PLID에대응하고; 그리고각각의물리적라인으로부터데이터를회수하는단계, 회수하는단계는각각의해시원통을읽기캐시로복사하는단계를포함하고, 각각의해시원통은포함한다: 각각의물리적라인을포함하는각각의해시버킷; 및각각의물리적라인과연관된각각의참조카운터를포함하는각각의참조카운터버킷.

Abstract translation: 提供了一种检索存储在与去重复模块相关联的存储器中的数据的方法。 该方法包括：识别数据的逻辑地址; 根据逻辑地址，检索转换表的至少一部分逻辑地址以识别数据的PLID; 查找每条物理线路的位置，每条物理线路对应一个PLID; 并且从每条物理线路恢复数据，恢复步骤包括每次通过汽缸将汽缸复制到读取高速缓冲存储器，每个汽缸包括相应的物理线路， 。 并且每个参考计数器桶包括与每条物理线路相关联的相应参考计数器。

公开(公告)号：KR1020170070687A

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：KR1020150178509

申请日：2015-12-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종민 ,  박형준 ,  심재호 ,  윤찬호 ,  이정필

IPC: G01R31/28 ,  G08C19/02

CPC classification number: G06F11/2215 ,  G06F11/079 ,  G06F11/273 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54446

Abstract: 멀티칩 디버깅방법및 이를적용하는멀티칩 시스템에관하여개시한다. 멀티칩 시스템은디버깅포트를구비하고각기다른식별정보를갖는복수의칩들및, 상기복수의칩들에각각구비된디버깅포트와전기적으로연결되는한 세트의테스트액세스포트를포함하고, 상기한 세트의테스트액세스포트를통하여테스트장치와접속되어멀티드롭방식에기초하여상기복수의칩들에대한디버깅처리를수행하는것을특징으로한다.

Abstract translation: 公开了一种多芯片调试方法和使用该方法的多芯片系统。 多芯片系统包括多个具有调试端口并具有不同识别信息的芯片和一组测试访问端口，该组测试访问端口电连接到分别设置在多个芯片中的调试端口， 通过测试访问端口的测试访问端口连接到测试设备，并且基于多点方法对多个芯片执行调试过程。

公开(公告)号：KR101743152B1

公开(公告)日：2017-06-05

申请号：KR1020100051978

申请日：2010-06-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김선일 ,  김종민 ,  이장원

IPC: H01L51/50 ,  C09K11/77

Abstract: 에너지변환소자및 이를적용한디스플레이장치가개시된다. 개시된에너지변환소자는, 베이스물질로이루어진기판과, 기판에내재된표면플라즈몬필드를발생시키는금속나노입자와, 기판에내재되며적어도일부가금속나노입자의표면플라즈몬필드내에위치하는무기발광입자를포함하여, 플라즈몬효과에의해에너지변환을일으켜발광을하도록되어있다. 개시된디스플레이장치는, 자외선광을출사하는자외선광원유니트와, 자외선광원유니트로부터조사되는자외선광을서로다른칼라광으로변환하는복수의에너지변환요소를포함하는색 표현유니트를포함하며, 복수의에너지변환요소각각은베이스물질에금속나노입자와무기발광입자가내재되어있으며, 복수의에너지변환요소각각의무기발광입자는조사되는자외선광을금속나노입자가흡수하여전달하는에너지에의해칼라광으로발광하도록마련된다.

Abstract translation: 公开了一种能量转换元件和使用该能量转换元件的显示装置。 所公开的能量转换元件，和所述金属纳米颗粒以产生在衬底固有的表面等离子体振子场，由基体材料的基板被嵌入在所述衬底包括无机发光颗粒以至少位于金属纳米粒子的表面等离子体振子场的一部分 因此，能量转换是由等离子体激元效应引起的，并且执行发光。 所公开的显示装置，和用于发射紫外线光，包括紫外光源单元：一个颜色表达单元，包括多个能量转换元件的用于转换紫外光到在不同颜色的光照射从紫外线光源单元，多个能量转换的 其中的每一个元件被嵌入的金属纳米粒子和无机发光粒子到基体材料，和多个能量转换元件，每个所述无机发光颗粒的发光与由金属纳米粒子的颜色光通过使紫外线照射能量被吸收 它提供。